發(fā)布時(shí)間：2021-10-26 16:43

　　非晶合金最突出的特點(diǎn)是成分和結(jié)構(gòu)的均勻性,相對(duì)于傳統(tǒng)的晶體材料,表現(xiàn)出優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度和耐腐蝕性能。非晶合金可以突破溶解度的限制,容納更多的活性元素而避免金屬間化合物的產(chǎn)生,因此非晶合金是研究溶質(zhì)元素對(duì)腐蝕性能影響的理想模型材料。鋁基非晶作為非晶合金家族中的重要成員,相對(duì)其他成分體系具有超高的比強(qiáng)度,是航空航天工業(yè)中替代傳統(tǒng)鋁合金的理想選擇。晶態(tài)鋁合金組織中往往析出大量金屬間化合物,其在提升材料強(qiáng)度的同時(shí),卻使材料局部腐蝕敏感性顯著增加。緩蝕劑是目前改善傳統(tǒng)鋁合金耐蝕性的重要手段之一,雖開展大量研究,但緩蝕劑的作用機(jī)制一直存在爭議,采用鋁基非晶合金作為研究體系則可以有效避免結(jié)構(gòu)不均勻造成的干擾,有利于澄清相關(guān)機(jī)理。此外,由于鋁基成分體系的非晶形成能力有限,將其制備成非晶涂層,同樣可以對(duì)傳統(tǒng)鋁合金實(shí)現(xiàn)有效保護(hù)。因此,開展鋁基非晶合金及涂層的腐蝕性能研究具有重要的科學(xué)意義及應(yīng)用價(jià)值。本文首先選取Al-Y這一簡單的二元非晶體系,研究鋁基非晶中重要的組成元素釔對(duì)腐蝕行為影響,排除了過渡族元素的干擾。采用開爾文探針力顯微鏡（KPFM）對(duì)A1-Y非晶合金鈍化膜的穩(wěn)定性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。選取A186Ni6Y... 

【文章來源】：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：133 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【圖文】：

圖１．２純Ａ１的電位－ｐＨ?（Ｐｏｕｒｂａｉｘ）圖丨８丨??Ｆｉｇ．?１．２?Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ－ｐＨ?（Ｐｏｕｒｂａｉｘ）?ｄｉａｇｒａｍ?ｆｏｒ?ｐｕｒｅ?Ａ１｜Ｓ，??１．２．１

氯離子通過形成可溶性的ａｉｃｉ３促進(jìn)鈍化膜的破損，并在點(diǎn)蝕坑內(nèi)溶液中富集。??當(dāng)鋁離子發(fā)生遷移，在點(diǎn)蝕坑入口析出氧化鋁形成薄膜，進(jìn)一步隔離并加劇局部??酸化，維持點(diǎn)蝕的生長。金屬鋁在含氯環(huán)境中的自催化點(diǎn)蝕過程［１２］如圖１．３所示。??ＳＯＬＵＴＩＯＮ?ＯＦ?〇２?ＡＮＤ?Ｃｌ＇?ＡＮＤ?ＰＲＥＦＥＲＡＢＬＹ?Ｃｕ”?Ｃ〇“ＡＮＤ?ＨＣＯ；??〇２?〇２??Ｈ?（Ｔ．ｍｐｏｒｏｒｙ）?Ｃｏ＊：?ＨＣＯ：．?０＾＿??２Ｈ２０．０２＋４．－＿／４ＯＨ－?；ｊｊ／?）Ｘ，ｙ＼〇Ｈ－４＊＊Ｖ２ＨＺ〇??ＣＡＴＨＯＤＥ?—?＼?（＊?Ｖ?＼＾－ＣＡＴＨＯＯＥ??ｃ／??ＣＯＰＰＥＲ?ｏｅｐｏｓｉＡ?Ｈａｉｃｉ？?；?／?Ａ＾ｎｏ＾ｒｅｃｉｐｉｔａｔｅ??＼?＼?，Ｈ?｜?Ｌ＿?Ａｌ?Ｖ３Ｈ％?２０｜＇＊�。常�?Ｈ?？?ＡＩＣＩ＊�。�，）??ＣＯＮＣＥＮＴＲＡＴＥＤ?＼?ＡＩＣＩ＾?／??ＡＣＩＤ?ＰＩＴ?ＳＯＬＵＴＩＯＮ?＼ａｉｏｈｃ．４?／／??／ｙ＾ＡｌＶ?Ｈ?０?＋?ｃｒ?．?－Ｔ?Ｈ４＋?ＡｌＯＨＣｌ’ｆｅｇ）??ＵＮＯＯＥ??Ｖ＾Ｘ＿＿ＡＩ?＿?Ａｌ＊４；?３０＂??圖１．３鋁點(diǎn)蝕坑內(nèi)發(fā)生的反應(yīng)Ｍ??Ｆｉｇ．?１．３?Ｍｕｌｔｉｐｌｅ?ｒｅａｃｔｉｏｎｓ?ｏｃｃｕｒｒｉｎｇ?ｉｎ?ａｎ?ａｌｕｍｉｎｕｍ?ｐｉｔ，１２）??鋁合金在含氯介質(zhì)中的點(diǎn)蝕過程描述如下：（ｉ）鋁的氧化物在ｃｒ離子存在??的介質(zhì)中可溶，優(yōu)先形成ＡｌＣｂ，引起氧化膜的局部破壞；（２）點(diǎn)蝕一旦萌生，??由于Ａ１在低ｐＨ條件下迅速溶解并發(fā)生水解，進(jìn)一步

Ａｌ?？?３Ｈ，０?—?ＡＫ〇Ｈ），?？?３Ｈ＊?？?３ｅ??Ｍｇ?？?２Ｈ：０?—?Ｍｇ（ＯＨ｝，?？?２Ｈ．?？?２？??圖１．４?ＡｈＣｕＭｇ溶解機(jī)制示意圖１１７】??Ｆｉｇ．?１．４?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｉｌｌｕｓｔｒａｔｉｏｎ?ｏｆ?ａ?ｍｅｃｈａｎｉｓｍ?ｆｏｒ?ｄｉｓｓｏｌｕｔｉｏｎ?ｏｆ?ＡｈＣｕＭｇ＂７】??（四）晶間腐蝕和剝離腐蝕??晶間腐蝕也是一種鋁合金中較為普遍的腐蝕形式，其起源于金屬間化合物在??晶界的析出。在鋁合金中，晶間腐蝕是一個(gè)三相電偶腐蝕體系，通常由金屬間化??合物，溶質(zhì)貧化晶界和晶粒本體三部分構(gòu)成［１８］，它們根據(jù)溶質(zhì)種類的不同，在電??偶腐蝕中充當(dāng)陰極或陽極，一般發(fā)生晶間腐蝕的晶界和晶粒區(qū)域的電勢(shì)差可以達(dá)??到１００ｍＶ。在Ａｌ－Ｃｕ體系中，ＡｂＣｕ在晶界析出，使鄰近的晶界區(qū)域貧Ｃｕ，相??對(duì)于晶粒充當(dāng)陽極［１９，２Ｇ］，晶界區(qū)域面積小，晶粒本身面積大，導(dǎo)致晶界陽極區(qū)電??流顯著增大，促進(jìn)了腐蝕溶解。在Ａｌ－Ｍｇ體系中，情況正好相反，析出相Ｍｇ２Ａｌ３??（Ｐ相）的腐蝕電位低于晶界固溶體

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]2024-T3鋁合金表面磁控濺射沉積氧化鈰基涂層的制備及耐腐蝕性能研究[D]. 劉園園.重慶大學(xué) 2016



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