銅表面碳?xì)湮锓N脫氫的理論研究
發(fā)布時(shí)間:2021-04-09 02:13
石墨烯是一種蜂窩狀的二維材料,其特殊的量子性能吸引了大家的廣泛研究,然而要很好的利用石墨烯的這些優(yōu)異性能,需要能夠可控制地制備大面積高質(zhì)量的石墨烯。經(jīng)過(guò)多年的探究,利用化學(xué)氣相沉積方法制備石墨烯被廣泛認(rèn)為是一種成本較低效率較高的方法。然而,在化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)石墨烯的過(guò)程中還有許多機(jī)理有待探究,以幫助我們更好實(shí)現(xiàn)大面積高質(zhì)量石墨烯的可控化制備。本論文主要通過(guò)基于第一性原理的DFT計(jì)算對(duì)在銅表面化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)石墨烯過(guò)程中涉及到的一些脫氫過(guò)程進(jìn)行了探究。包括常用碳源乙烯在Cu(410)表面的吸附脫氫過(guò)程及含氧體系銅表面生長(zhǎng)石墨烯過(guò)程中涉及到的氧輔助脫氫過(guò)程。第一章主要是本論文研究過(guò)程中涉及到的一些理論及方法的介紹。首先簡(jiǎn)要介紹了第一性原理計(jì)算中的相關(guān)理論主要包括密度泛函理論及DFT計(jì)算中一些常用交換關(guān)聯(lián)泛函。然后介紹了反應(yīng)動(dòng)力學(xué)中的過(guò)渡態(tài)理論,及常用的過(guò)渡態(tài)搜尋方法。接下來(lái)介紹了基于平均場(chǎng)近似的微動(dòng)力學(xué)分析方法及動(dòng)力學(xué)蒙特卡洛方法。由于本論文中的體系不適用于常規(guī)的動(dòng)力學(xué)蒙特卡洛方法,故我們也介紹了本論文中應(yīng)用的兩種加速方法。第二章是關(guān)于乙烯在Cu(410)表面的吸附脫氫過(guò)程的探究。我們首...
【文章來(lái)源】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:72 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.2.1?Cu(410)表面結(jié)構(gòu)示意圖??
在本工作中,01(410)表面使用了五層的銅原子和約15?A的真空層來(lái)模擬。??在計(jì)算中,底層的兩層銅原子是固定的,其余原子放開優(yōu)化。超包的晶格常數(shù)為??a=7.27A,b=7.7lA和c=24.26A。Cu(410)表面的結(jié)構(gòu)如圖2.2.1所示,其中表面??上的亮橘色和淺橘色的球分別代表臺(tái)階處和平臺(tái)處的銅原子。從圖中我們可以看??出,平臺(tái)處的原子排布如同Cu(100)表面的原子排布,而臺(tái)階處的原子排布如同??Cu(110)表面的原子排布。??圖2.2.1?Cu(410)表面結(jié)構(gòu)示意圖??本工作中的所有計(jì)算結(jié)果都是由應(yīng)用了?DFT的VASP軟件包得到的n8]。在??結(jié)構(gòu)優(yōu)化時(shí),能量和力的收斂精度分別取得是O.OOOleV和0.02eV/A。經(jīng)過(guò)測(cè)試,??在結(jié)構(gòu)優(yōu)化和過(guò)渡態(tài)搜尋時(shí)采用的是2X2X1的K點(diǎn)取樣,而在計(jì)算能量和振??動(dòng)頻率時(shí)采用的是5X4X?1的K點(diǎn)取樣。過(guò)渡態(tài)搜尋采用的是CI-NEB方法|191。??在計(jì)算振動(dòng)頻率是,除了底層被固定的兩層銅原子其余原子都被計(jì)入考慮中。由??于計(jì)算體系為氣體分子在金屬表面的吸附,所以這里我們采用了?〇PtB86b版本??的vdW-DF修正以更好地模擬氣體分子與表面的長(zhǎng)程相互作用。??18??
圖2.3.2乙烯直接間接脫氫生成CH2CH流程圖??由最穩(wěn)定構(gòu)型7T-S-17通過(guò)旋轉(zhuǎn)平移轉(zhuǎn)變?yōu)椋罚裕樱穑?7T-t_V,?7T-t?—?p,??cr-sh?—st,?ff-sh-tt,?<7-4-st’,〇■-比一ss構(gòu)型所1需要越過(guò)的能全分別為0.03??eV,0.39?eV,0.48?eV,?0.39?eV,0.38?eV,0.37?eV?,0.38?eV,分別對(duì)應(yīng)圖?2.3.2?中的??反應(yīng)①-⑦。而從這些次穩(wěn)定構(gòu)型進(jìn)一步脫氫分別需要克服1.35?eV,1.04?eV.?1.08??eV,0.87eV,0.95eV,?0.98?eV,0.87eV,分別對(duì)應(yīng)圖2.3.2中的反應(yīng)⑧-0。所有間??接脫氫過(guò)程對(duì)應(yīng)的反應(yīng)勢(shì)能圖如圖2.3.3所示。??1,6'?—?*-s-p??一f??0.4?-?■■?—?*-l-p?i^SSS%%??以:二/?1:,???a-lb-ss?,b?*??廣?0.0?-?,/*??%?f??g-02-?if:?W=??5?-〇4-??if?'、???*?f—??_/?:??
本文編號(hào):3126711
【文章來(lái)源】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:72 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.2.1?Cu(410)表面結(jié)構(gòu)示意圖??
在本工作中,01(410)表面使用了五層的銅原子和約15?A的真空層來(lái)模擬。??在計(jì)算中,底層的兩層銅原子是固定的,其余原子放開優(yōu)化。超包的晶格常數(shù)為??a=7.27A,b=7.7lA和c=24.26A。Cu(410)表面的結(jié)構(gòu)如圖2.2.1所示,其中表面??上的亮橘色和淺橘色的球分別代表臺(tái)階處和平臺(tái)處的銅原子。從圖中我們可以看??出,平臺(tái)處的原子排布如同Cu(100)表面的原子排布,而臺(tái)階處的原子排布如同??Cu(110)表面的原子排布。??圖2.2.1?Cu(410)表面結(jié)構(gòu)示意圖??本工作中的所有計(jì)算結(jié)果都是由應(yīng)用了?DFT的VASP軟件包得到的n8]。在??結(jié)構(gòu)優(yōu)化時(shí),能量和力的收斂精度分別取得是O.OOOleV和0.02eV/A。經(jīng)過(guò)測(cè)試,??在結(jié)構(gòu)優(yōu)化和過(guò)渡態(tài)搜尋時(shí)采用的是2X2X1的K點(diǎn)取樣,而在計(jì)算能量和振??動(dòng)頻率時(shí)采用的是5X4X?1的K點(diǎn)取樣。過(guò)渡態(tài)搜尋采用的是CI-NEB方法|191。??在計(jì)算振動(dòng)頻率是,除了底層被固定的兩層銅原子其余原子都被計(jì)入考慮中。由??于計(jì)算體系為氣體分子在金屬表面的吸附,所以這里我們采用了?〇PtB86b版本??的vdW-DF修正以更好地模擬氣體分子與表面的長(zhǎng)程相互作用。??18??
圖2.3.2乙烯直接間接脫氫生成CH2CH流程圖??由最穩(wěn)定構(gòu)型7T-S-17通過(guò)旋轉(zhuǎn)平移轉(zhuǎn)變?yōu)椋罚裕樱穑?7T-t_V,?7T-t?—?p,??cr-sh?—st,?ff-sh-tt,?<7-4-st’,〇■-比一ss構(gòu)型所1需要越過(guò)的能全分別為0.03??eV,0.39?eV,0.48?eV,?0.39?eV,0.38?eV,0.37?eV?,0.38?eV,分別對(duì)應(yīng)圖?2.3.2?中的??反應(yīng)①-⑦。而從這些次穩(wěn)定構(gòu)型進(jìn)一步脫氫分別需要克服1.35?eV,1.04?eV.?1.08??eV,0.87eV,0.95eV,?0.98?eV,0.87eV,分別對(duì)應(yīng)圖2.3.2中的反應(yīng)⑧-0。所有間??接脫氫過(guò)程對(duì)應(yīng)的反應(yīng)勢(shì)能圖如圖2.3.3所示。??1,6'?—?*-s-p??一f??0.4?-?■■?—?*-l-p?i^SSS%%??以:二/?1:,???a-lb-ss?,b?*??廣?0.0?-?,/*??%?f??g-02-?if:?W=??5?-〇4-??if?'、???*?f—??_/?:??
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