介觀尺度下Sn/Cu焊點(diǎn)的界面擴(kuò)散及尺寸效應(yīng)
發(fā)布時(shí)間:2021-04-01 00:21
微電子產(chǎn)品不斷向小型化、便攜化和高性能方向發(fā)展,導(dǎo)致互聯(lián)焊點(diǎn)尺寸持續(xù)減小,其承載的力、電和熱負(fù)荷不斷增加,對(duì)焊點(diǎn)的可靠性提出了更高的要求。微電子封裝焊點(diǎn)的尺寸是介于微觀與宏觀之間的介觀尺度范圍。介觀尺度下依靠傳統(tǒng)的力學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)和金屬學(xué)等方法獲得的性能參數(shù)均表現(xiàn)出試樣尺寸依賴性,即這些本應(yīng)為常數(shù)的參數(shù)卻隨試樣尺寸變化而變化,這給工程設(shè)計(jì)和可靠性預(yù)測(cè)帶來了不利的影響。研究焊點(diǎn)可靠性,幾何尺度效應(yīng)是一個(gè)不可忽略的重要問題。有關(guān)微焊點(diǎn)在力學(xué)方面的尺寸效應(yīng)已經(jīng)有了大量的研究,而對(duì)微觀組織,特別是界面元素的擴(kuò)散與界面化合物(IMC)生成與演變的尺寸效應(yīng)問題的研究較少。本研究的主要目的是揭示介觀尺度下微焊點(diǎn)在回流、時(shí)效過程中依賴尺寸的固-液、固-固界面的擴(kuò)散規(guī)律,闡明焊點(diǎn)依賴尺寸的主要參量的變化特征并進(jìn)行數(shù)學(xué)表征。以Cu/solder/Cu三明治結(jié)構(gòu)的釬料層厚度為1050μm的焊點(diǎn)為主要研究載體,以200500μm焊球直徑的BGA結(jié)構(gòu)的焊點(diǎn)作對(duì)比,分析在不同的組成及工藝條件下,釬縫的幾何尺寸與反應(yīng)生成的界面IMC層的厚度、主控元素在擴(kuò)散區(qū)的濃度分布之間...
【文章來源】:哈爾濱理工大學(xué)黑龍江省
【文章頁數(shù)】:122 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
電子封裝中倒裝焊點(diǎn)和BGA焊點(diǎn)示意圖
解速率造成形核率低,低的形核率使 Cu6Sn5晶粒生長(zhǎng)的更快釋為什么小尺寸焊點(diǎn)的 Cu6Sn5晶粒粗大。圖 1-2 為 250℃回流IMC 的形貌及晶粒尺寸。
如圖1-3 所示。研究發(fā)現(xiàn),回流焊后焊點(diǎn)界面扇貝狀的 Cu6Sn5的平均厚度隨著焊點(diǎn)直徑的增大而減小,依次為 2.91、2.59 及 1.38μm,如圖 1-3(a)、(c)、Cu6Sn5Cu6Sn5Cu6Sn5 Cu6Sn5
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]微連接Cu/SAC305/Cu界面元素?cái)U(kuò)散與幾何尺寸效應(yīng)[J]. 羅亮亮,孫鳳蓮,朱艷. 焊接學(xué)報(bào). 2013(12)
[2]Sn-3Ag-0.5Cu/Ni微焊點(diǎn)多次回流焊后IMC厚度及組織分析[J]. 劉超,孟工戈,孫鳳蓮,谷柏松. 電子元件與材料. 2013(03)
[3]尺寸效應(yīng)下的無鉛微焊點(diǎn)研究進(jìn)展[J]. 萇文龍,于治水,房加強(qiáng),王波. 上海工程技術(shù)大學(xué)學(xué)報(bào). 2012(02)
[4]微焊點(diǎn)的幾何尺寸效應(yīng)[J]. 孫鳳蓮,朱艷. 哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2012(02)
[5]SnAgCu凸點(diǎn)互連的電遷移[J]. 吳懿平,張金松,吳豐順,安兵. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2006(06)
[6]銅含量對(duì)Sn-Cu釬料與Cu、Ni基板釬焊界面IMC的影響[J]. 何大鵬,于大全,王來,C M L Wu. 中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào). 2006(04)
[7]集成電路互連引線電遷移的研究進(jìn)展[J]. 吳豐順,張金松,吳懿平,鄭宗林,王磊,譙鍇. 半導(dǎo)體技術(shù). 2004(09)
[8]擴(kuò)散阻擋層對(duì)Cu-Zr納米合金膜電阻率與殘余應(yīng)力的影響[J]. 宋忠孝,鞠新華,徐可為. 金屬學(xué)報(bào). 2002(07)
[9]Ni對(duì)Sn96.5Ag3.5/Cu之間擴(kuò)散行為的阻擋作用[J]. 朱奇農(nóng),羅樂,肖克,杜黎光. 中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào). 2000(02)
博士論文
[1]Sn基釬料/Cu界面柯肯達(dá)爾空洞機(jī)理研究[D]. 楊揚(yáng).上海交通大學(xué) 2012
[2]BGA結(jié)構(gòu)Cu(Ni)/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni(Cu)微焊點(diǎn)顯微組織形成和演化及剪切斷裂行為的尺寸效應(yīng)[D]. 李勛平.華南理工大學(xué) 2011
[3]微小互連高度下焊點(diǎn)界面反應(yīng)及力學(xué)性能研究[D]. 王波.華中科技大學(xué) 2010
本文編號(hào):3112330
【文章來源】:哈爾濱理工大學(xué)黑龍江省
【文章頁數(shù)】:122 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
電子封裝中倒裝焊點(diǎn)和BGA焊點(diǎn)示意圖
解速率造成形核率低,低的形核率使 Cu6Sn5晶粒生長(zhǎng)的更快釋為什么小尺寸焊點(diǎn)的 Cu6Sn5晶粒粗大。圖 1-2 為 250℃回流IMC 的形貌及晶粒尺寸。
如圖1-3 所示。研究發(fā)現(xiàn),回流焊后焊點(diǎn)界面扇貝狀的 Cu6Sn5的平均厚度隨著焊點(diǎn)直徑的增大而減小,依次為 2.91、2.59 及 1.38μm,如圖 1-3(a)、(c)、Cu6Sn5Cu6Sn5Cu6Sn5 Cu6Sn5
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]微連接Cu/SAC305/Cu界面元素?cái)U(kuò)散與幾何尺寸效應(yīng)[J]. 羅亮亮,孫鳳蓮,朱艷. 焊接學(xué)報(bào). 2013(12)
[2]Sn-3Ag-0.5Cu/Ni微焊點(diǎn)多次回流焊后IMC厚度及組織分析[J]. 劉超,孟工戈,孫鳳蓮,谷柏松. 電子元件與材料. 2013(03)
[3]尺寸效應(yīng)下的無鉛微焊點(diǎn)研究進(jìn)展[J]. 萇文龍,于治水,房加強(qiáng),王波. 上海工程技術(shù)大學(xué)學(xué)報(bào). 2012(02)
[4]微焊點(diǎn)的幾何尺寸效應(yīng)[J]. 孫鳳蓮,朱艷. 哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2012(02)
[5]SnAgCu凸點(diǎn)互連的電遷移[J]. 吳懿平,張金松,吳豐順,安兵. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2006(06)
[6]銅含量對(duì)Sn-Cu釬料與Cu、Ni基板釬焊界面IMC的影響[J]. 何大鵬,于大全,王來,C M L Wu. 中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào). 2006(04)
[7]集成電路互連引線電遷移的研究進(jìn)展[J]. 吳豐順,張金松,吳懿平,鄭宗林,王磊,譙鍇. 半導(dǎo)體技術(shù). 2004(09)
[8]擴(kuò)散阻擋層對(duì)Cu-Zr納米合金膜電阻率與殘余應(yīng)力的影響[J]. 宋忠孝,鞠新華,徐可為. 金屬學(xué)報(bào). 2002(07)
[9]Ni對(duì)Sn96.5Ag3.5/Cu之間擴(kuò)散行為的阻擋作用[J]. 朱奇農(nóng),羅樂,肖克,杜黎光. 中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào). 2000(02)
博士論文
[1]Sn基釬料/Cu界面柯肯達(dá)爾空洞機(jī)理研究[D]. 楊揚(yáng).上海交通大學(xué) 2012
[2]BGA結(jié)構(gòu)Cu(Ni)/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni(Cu)微焊點(diǎn)顯微組織形成和演化及剪切斷裂行為的尺寸效應(yīng)[D]. 李勛平.華南理工大學(xué) 2011
[3]微小互連高度下焊點(diǎn)界面反應(yīng)及力學(xué)性能研究[D]. 王波.華中科技大學(xué) 2010
本文編號(hào):3112330
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