金屬鉭具有良好的生物相容性而為醫(yī)學(xué)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用價(jià)值,可用作手術(shù)縫合線、骨組織修復(fù)等。作為植入材料時(shí),要求其表面能夠適于細(xì)胞貼壁生長(zhǎng)。微弧氧化技術(shù)能夠在閥金屬表面原位生成多孔陶瓷層,在一定程度上能夠利于細(xì)胞的貼壁生長(zhǎng)。因此,本文選用硅酸鈉、磷酸鈉、偏鋁酸鈉三種單一電解液體系在金屬鉭表面制備微弧氧化陶瓷膜層,系統(tǒng)研究了不同電解液體系下制備的陶瓷膜層表面性能,分析電解液濃度對(duì)陶瓷層的微觀形貌、相組成、生長(zhǎng)特性等的影響,然后借助電化學(xué)阻抗譜（EIS）特性討論單一電解液體系下陶瓷膜層的生長(zhǎng)行為。最后,針對(duì)單一體系電解液制備陶瓷層中存在的問題,對(duì)電解液進(jìn)行復(fù)配,研究了復(fù)合體系下金屬鉭表面微弧氧化陶瓷層生長(zhǎng)速率及微觀結(jié)構(gòu)和相組成。結(jié)果表明,金屬鉭在硅酸鈉、偏鋁酸鈉單一電解液中可形成性能較為良好的微弧氧化陶瓷膜層。其中,在偏鋁酸鈉電解液中制備的陶瓷膜層最厚,在硅酸鈉電解液中形成的陶瓷膜層表面粗糙度最大。在硅酸鈉和磷酸鈉電解液體系中制備的陶瓷膜層相組成為Ta2O5,在偏鋁酸鈉電解液中制備的陶瓷膜層主要有非晶Ta-O氧化物組成。偏鋁酸鈉電解液下所制備的陶瓷層表面質(zhì)量較好及硅酸鹽電解液下所制備陶瓷膜層... 

【文章來源】：西安理工大學(xué)陜西省

【文章頁(yè)數(shù)】：71 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

微弧氧化裝置示意圖

5g/L 10g/L 15g/L 20g/L 25g/L圖 3-1 不同硅酸鈉濃度下陶瓷膜的宏觀形貌acroscopic morphology of MAO ceramic coating under different sodium silicate co鈉濃度對(duì)電解液特性的影響2 顯示了硅酸鈉濃度與電解液電導(dǎo)率之間的關(guān)系曲線，可以看出，電濃度呈正比關(guān)系，Na2SiO3濃度越大，電解液電導(dǎo)率增加。原因可能離子數(shù)目的多少和離子本身活動(dòng)能力的大小有關(guān)[57]，硅酸鈉水溶液，電解液電導(dǎo)率會(huì)隨硅酸鈉加入量的增加而增大。10152025onductivity(ms/cm)

西安理工大學(xué)工程碩士專業(yè)學(xué)位論文5 10 15 20 2567891011121314151617Na2SiO3(g/L)5 10 15 20 25330340350360370380390Arcstrikingvoltage(V)Na2SiO3(g/L)圖 3-4 Na2SiO3濃度對(duì) Ta 微弧氧化陶瓷層形成過程的影響Fig. 3-4 Effect of Na2SiO3Concentration on Ta micro-arc oxidation ceramic Layer(a) (b)(a)(b)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]微弧氧化制備Zr基非晶合金表面涂層及其生物相容性研究[D]. 程翔.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2015
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本文編號(hào)：3103047