發(fā)布時(shí)間：2021-02-08 17:19

　　金鍵合絲和銅鍵合絲廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝行業(yè),而金價(jià)的攀升和半導(dǎo)體封裝體量的激增,促進(jìn)了銅鍵合絲內(nèi)源式的顯著進(jìn)步,但抗氧化性差的缺點(diǎn)限制了其在封裝行業(yè)的應(yīng)用范圍,研究制備抗氧化銅基復(fù)合鍵合絲是當(dāng)前的研究熱點(diǎn)之一。銀、金具有優(yōu)異的抗氧化性能,且與銅具有相同的變形滑移機(jī)制。銀、金表面改性銅基復(fù)合鍵合絲,兼具銅的價(jià)格優(yōu)勢(shì)和銀、金優(yōu)異的氧化性,在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本文選擇粗銅棒作為基材電鍍銀或者金層,采用冷拔和退火的方式制備銅銀和銅金復(fù)合鍵合絲。采用掃描電鏡、透射電鏡和X射線衍射對(duì)銅基銀/金電鍍過程和冷拔成形過程的微觀組織進(jìn)行表征,研究其對(duì)制備銅銀和銅金復(fù)合鍵合絲的影響。并探索了使用透射電鏡和X射線衍射來表征電鍍銀、金層晶粒外形擇優(yōu)取向的可行性,得到如下結(jié)論:采用透射電鏡對(duì)銅銀界面（煙酸電鍍銀）進(jìn)行顯微分析:中間層納米級(jí)銀晶粒是由化學(xué)鍍銀和電化學(xué)鍍銀競(jìng)爭(zhēng)反應(yīng)形成;由電化學(xué)鍍銀反應(yīng)主導(dǎo)形成的柱狀銀顆粒垂直于銅基表面生長(zhǎng)。引入MarchDollase函數(shù)對(duì)銅板銀鍍層進(jìn)行分析:隨著電鍍時(shí)間的延長(zhǎng)和電流密度的增加,晶粒<111>外形擇優(yōu)取向程度增加、應(yīng)變能增加;銀鍍層厚度與電... 

【文章來源】：太原理工大學(xué)山西省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：153 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

合金線在電子元器件（IC）中的應(yīng)用Fig.1-1Theapplicationofbondingwiresinelectroniccomponents

圖 1-2 合金線在發(fā)光二極管（LED）上的應(yīng)用Fig. 1-2 The application of bonding wires in Light Emitting Diode

圖 1-3 合金線在互補(bǔ)金屬-氧化物-半導(dǎo)體（C-MOS）上的應(yīng)用ig. 1-3 The application of bonding wires in complementary Metal-Oxide-Semiconduc泛應(yīng)用的鍵合絲有金鍵合絲[13]、銀鍵合絲[14]、鋁鍵合絲[15]和銅鍵合絲不同，其性能存在較大差異，因而應(yīng)用的范圍也存在顯著的區(qū)別，下

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3024273