SiC陶瓷與AISI 446不銹鋼空氣反應(yīng)釬焊工藝與界面形成機(jī)理
發(fā)布時(shí)間:2021-01-11 00:53
SiC陶瓷作為一種優(yōu)秀的高溫陶瓷材料,機(jī)械性能優(yōu)異,耐高溫抗氧化能力很強(qiáng),線膨脹系數(shù)很低且化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。由于其本身具有極高的硬度和脆性,難以通過常規(guī)機(jī)加工手段制備大尺寸、復(fù)雜結(jié)構(gòu)工件,限制了其優(yōu)異性能的發(fā)揮。高鉻鐵素體不銹鋼(446)具備較強(qiáng)的抗氧化能力,耐熱蝕性良好,塑性和延展性優(yōu)異,與SiC陶瓷連接后獲得的陶瓷/不銹鋼復(fù)合構(gòu)件能夠綜合二者優(yōu)勢(shì),在工業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用潛力巨大。目前常用的連接方法(如擴(kuò)散連接、活性金屬釬焊等)工藝設(shè)備復(fù)雜,接頭不具備抗氧化能力。空氣反應(yīng)釬焊作為一種新型陶瓷連接方法目前主要用于氧化物與鈣鈦礦類陶瓷的連接,未見非氧化物陶瓷空氣反應(yīng)釬焊特性的任何報(bào)道。本課題首次采用空氣反應(yīng)釬焊方法,在高溫空氣氣氛中成功實(shí)現(xiàn)非氧化物SiC陶瓷與446不銹鋼之間的可靠連接,利用掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、X射線衍射(XRD)和抗剪強(qiáng)度測(cè)試等技術(shù)深入分析了接頭組織與力學(xué)性能演化規(guī)律。首先通過高溫氧化在SiC陶瓷表面制備一層均勻致密的無定形SiO2,旨在改善Ag基釬料在SiC陶瓷表面的潤(rùn)濕效果。選擇Ag-CuO釬料體系空氣反應(yīng)釬焊SiC陶瓷時(shí),發(fā)現(xiàn)Ag-...
【文章來源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:87 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
SiC/W/Ni/SS接頭界面微觀組織與結(jié)構(gòu)
圖 1-2 SiC/W/Ni/Cu/Ni/F82H 接頭界面微觀組織與結(jié)構(gòu)[33]a) 總體形貌;b) SiC/W 界面;c) W/Ni/Cu 界面;d) Ni/SS 界e) W/Ni 界面 EDS 分析結(jié)果;f)與 g) 接頭界面元素分布處理時(shí),外加電場(chǎng)能夠促進(jìn)原子與空位的擴(kuò)散,從而因此,除了采用傳統(tǒng)擴(kuò)散連接實(shí)現(xiàn) SiC 與金屬的連用下 SiC/金屬擴(kuò)散連接特性。李其海[34]研究了電場(chǎng)作接工藝及機(jī)理。在 950℃/1.5h/7.5MPa/400V 最佳工接頭抗剪強(qiáng)度達(dá)到 69.6MPa,相比于傳統(tǒng)擴(kuò)散連接,,縮短保溫時(shí)間,從而達(dá)到提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)織結(jié)構(gòu)(如圖 1-3 所示)進(jìn)行分析時(shí)發(fā)現(xiàn),接Cx+TiC)/Ti。金屬接負(fù)極,陶瓷接正極時(shí),界面原子反接時(shí)則會(huì)抑制界面擴(kuò)散。在界面接觸階段,外加電附力,有利于 SiC/Ti 表面緊密接觸。在擴(kuò)散反應(yīng)階子擴(kuò)散通量增加,加劇離子擴(kuò)散,但界面物相組成不
圖 1-2 SiC/W/Ni/Cu/Ni/F82H 接頭界面微觀組織與結(jié)構(gòu)[33]a) 總體形貌;b) SiC/W 界面;c) W/Ni/Cu 界面;d) Ni/SS 界面e) W/Ni 界面 EDS 分析結(jié)果;f)與 g) 接頭界面元素分布處理時(shí),外加電場(chǎng)能夠促進(jìn)原子與空位的擴(kuò)散,從而對(duì)因此,除了采用傳統(tǒng)擴(kuò)散連接實(shí)現(xiàn) SiC 與金屬的連接用下 SiC/金屬擴(kuò)散連接特性。李其海[34]研究了電場(chǎng)作接工藝及機(jī)理。在 950℃/1.5h/7.5MPa/400V 最佳工藝接頭抗剪強(qiáng)度達(dá)到 69.6MPa,相比于傳統(tǒng)擴(kuò)散連接,外,縮短保溫時(shí)間,從而達(dá)到提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成組織結(jié)構(gòu)(如圖 1-3 所示)進(jìn)行分析時(shí)發(fā)現(xiàn),接頭i3Cx+TiC)/Ti。金屬接負(fù)極,陶瓷接正極時(shí),界面原子擴(kuò)反接時(shí)則會(huì)抑制界面擴(kuò)散。在界面接觸階段,外加電場(chǎng)附力,有利于 SiC/Ti 表面緊密接觸。在擴(kuò)散反應(yīng)階段子擴(kuò)散通量增加,加劇離子擴(kuò)散,但界面物相組成不受
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]陶瓷空氣反應(yīng)釬焊研究綜述[J]. 王志權(quán),曹健,司曉慶,李淳,亓鈞雷,馮吉才. 精密成形工程. 2018(01)
[2]SiC陶瓷及其復(fù)合材料連接的研究現(xiàn)狀[J]. 田茹玉,薛松柏,何鵬,林鐵松. 焊接. 2013(09)
[3]保溫時(shí)間對(duì)TiAl合金與鎳基合金擴(kuò)散連接界面組織結(jié)構(gòu)及連接強(qiáng)度的影響[J]. 李海新,林鐵松,何鵬,馮吉才. 焊接學(xué)報(bào). 2012(06)
[4]二維碳/碳化硅復(fù)合材料與鈮合金的連接[J]. 熊江濤,李京龍,張賦升,黃衛(wèi)東. 無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2006(06)
[5]用Zr/Nb復(fù)合中間層連接SiC陶瓷與Ni基高溫合金[J]. 冀小強(qiáng),李樹杰,馬天宇,張艷. 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2002(03)
[6]高純二氧化硅的研制[J]. 盧芳儀,盧愛軍. 上;. 2000(16)
[7]SiC陶瓷與金屬連接[J]. 吳銘方,楊敏,于治水,程曉農(nóng). 華東船舶工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào). 1999(05)
[8]碳化硅陶瓷和金屬鈮及不銹鋼的擴(kuò)散接合[J]. 馮吉才,劉玉莉,張九海,奈賀正明,李學(xué)軍. 材料科學(xué)與工藝. 1998(01)
博士論文
[1]ZrC-SiC陶瓷與Nb瞬時(shí)液相擴(kuò)散連接工藝及界面反應(yīng)機(jī)理[D]. 宋昌寶.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2014
碩士論文
[1]鐵素體不銹鋼表面改性及其與YSZ陶瓷的空氣釬焊研究[D]. 王東.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2017
[2]SiC基復(fù)合陶瓷與Invar合金釬焊工藝及連接機(jī)理研究[D]. 吳祖亮.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
[3]交流和脈沖電場(chǎng)作用下SiC與Ti的擴(kuò)散連接及其機(jī)理[D]. 宮金鑫.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2015
[4]304不銹鋼/SiC連接用Al合金及連接工藝的研究[D]. 代春朵.河北工業(yè)大學(xué) 2015
[5]電場(chǎng)作用下SiC陶瓷與Ti擴(kuò)散連接工藝及機(jī)理研究[D]. 李其海.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2013
[6]SiC陶瓷與金屬W的連接及工藝研究[D]. 魏倩倩.武漢理工大學(xué) 2012
本文編號(hào):2969746
【文章來源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:87 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
SiC/W/Ni/SS接頭界面微觀組織與結(jié)構(gòu)
圖 1-2 SiC/W/Ni/Cu/Ni/F82H 接頭界面微觀組織與結(jié)構(gòu)[33]a) 總體形貌;b) SiC/W 界面;c) W/Ni/Cu 界面;d) Ni/SS 界e) W/Ni 界面 EDS 分析結(jié)果;f)與 g) 接頭界面元素分布處理時(shí),外加電場(chǎng)能夠促進(jìn)原子與空位的擴(kuò)散,從而因此,除了采用傳統(tǒng)擴(kuò)散連接實(shí)現(xiàn) SiC 與金屬的連用下 SiC/金屬擴(kuò)散連接特性。李其海[34]研究了電場(chǎng)作接工藝及機(jī)理。在 950℃/1.5h/7.5MPa/400V 最佳工接頭抗剪強(qiáng)度達(dá)到 69.6MPa,相比于傳統(tǒng)擴(kuò)散連接,,縮短保溫時(shí)間,從而達(dá)到提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)織結(jié)構(gòu)(如圖 1-3 所示)進(jìn)行分析時(shí)發(fā)現(xiàn),接Cx+TiC)/Ti。金屬接負(fù)極,陶瓷接正極時(shí),界面原子反接時(shí)則會(huì)抑制界面擴(kuò)散。在界面接觸階段,外加電附力,有利于 SiC/Ti 表面緊密接觸。在擴(kuò)散反應(yīng)階子擴(kuò)散通量增加,加劇離子擴(kuò)散,但界面物相組成不
圖 1-2 SiC/W/Ni/Cu/Ni/F82H 接頭界面微觀組織與結(jié)構(gòu)[33]a) 總體形貌;b) SiC/W 界面;c) W/Ni/Cu 界面;d) Ni/SS 界面e) W/Ni 界面 EDS 分析結(jié)果;f)與 g) 接頭界面元素分布處理時(shí),外加電場(chǎng)能夠促進(jìn)原子與空位的擴(kuò)散,從而對(duì)因此,除了采用傳統(tǒng)擴(kuò)散連接實(shí)現(xiàn) SiC 與金屬的連接用下 SiC/金屬擴(kuò)散連接特性。李其海[34]研究了電場(chǎng)作接工藝及機(jī)理。在 950℃/1.5h/7.5MPa/400V 最佳工藝接頭抗剪強(qiáng)度達(dá)到 69.6MPa,相比于傳統(tǒng)擴(kuò)散連接,外,縮短保溫時(shí)間,從而達(dá)到提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成組織結(jié)構(gòu)(如圖 1-3 所示)進(jìn)行分析時(shí)發(fā)現(xiàn),接頭i3Cx+TiC)/Ti。金屬接負(fù)極,陶瓷接正極時(shí),界面原子擴(kuò)反接時(shí)則會(huì)抑制界面擴(kuò)散。在界面接觸階段,外加電場(chǎng)附力,有利于 SiC/Ti 表面緊密接觸。在擴(kuò)散反應(yīng)階段子擴(kuò)散通量增加,加劇離子擴(kuò)散,但界面物相組成不受
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]陶瓷空氣反應(yīng)釬焊研究綜述[J]. 王志權(quán),曹健,司曉慶,李淳,亓鈞雷,馮吉才. 精密成形工程. 2018(01)
[2]SiC陶瓷及其復(fù)合材料連接的研究現(xiàn)狀[J]. 田茹玉,薛松柏,何鵬,林鐵松. 焊接. 2013(09)
[3]保溫時(shí)間對(duì)TiAl合金與鎳基合金擴(kuò)散連接界面組織結(jié)構(gòu)及連接強(qiáng)度的影響[J]. 李海新,林鐵松,何鵬,馮吉才. 焊接學(xué)報(bào). 2012(06)
[4]二維碳/碳化硅復(fù)合材料與鈮合金的連接[J]. 熊江濤,李京龍,張賦升,黃衛(wèi)東. 無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2006(06)
[5]用Zr/Nb復(fù)合中間層連接SiC陶瓷與Ni基高溫合金[J]. 冀小強(qiáng),李樹杰,馬天宇,張艷. 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2002(03)
[6]高純二氧化硅的研制[J]. 盧芳儀,盧愛軍. 上;. 2000(16)
[7]SiC陶瓷與金屬連接[J]. 吳銘方,楊敏,于治水,程曉農(nóng). 華東船舶工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào). 1999(05)
[8]碳化硅陶瓷和金屬鈮及不銹鋼的擴(kuò)散接合[J]. 馮吉才,劉玉莉,張九海,奈賀正明,李學(xué)軍. 材料科學(xué)與工藝. 1998(01)
博士論文
[1]ZrC-SiC陶瓷與Nb瞬時(shí)液相擴(kuò)散連接工藝及界面反應(yīng)機(jī)理[D]. 宋昌寶.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2014
碩士論文
[1]鐵素體不銹鋼表面改性及其與YSZ陶瓷的空氣釬焊研究[D]. 王東.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2017
[2]SiC基復(fù)合陶瓷與Invar合金釬焊工藝及連接機(jī)理研究[D]. 吳祖亮.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
[3]交流和脈沖電場(chǎng)作用下SiC與Ti的擴(kuò)散連接及其機(jī)理[D]. 宮金鑫.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2015
[4]304不銹鋼/SiC連接用Al合金及連接工藝的研究[D]. 代春朵.河北工業(yè)大學(xué) 2015
[5]電場(chǎng)作用下SiC陶瓷與Ti擴(kuò)散連接工藝及機(jī)理研究[D]. 李其海.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2013
[6]SiC陶瓷與金屬W的連接及工藝研究[D]. 魏倩倩.武漢理工大學(xué) 2012
本文編號(hào):2969746
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/jiagonggongyi/2969746.html
最近更新
教材專著