為了解決氣相沉積硬質(zhì)涂層研究及應(yīng)用中硬度和韌性難以同時(shí)兼得的問題,本文采用高功率脈沖磁控濺射技術(shù)在W涂層中摻雜小原子N的方法,在YG6硬質(zhì)合金上成功制備了既硬又韌且高附著性的納米W（N）涂層,并系統(tǒng)研究了工作氣壓對(duì)納米W（N）涂層結(jié)構(gòu)與性能影響。同時(shí)還初步探索了高功率脈沖磁控濺射-直流磁控濺射復(fù)合技術(shù)。與直流磁控濺射技術(shù)制備的W（N）-DCMS涂層相比,高功率脈沖磁控濺射制備的純W、W（N）涂層表面更光滑、橫截面結(jié)構(gòu)更致密,但沉積速率只有W（N）-DCMS涂層的30%。W、W（N）、W（N）-DCMS涂層的表面形貌分別為:細(xì)長(zhǎng)的“桿狀”、致密的“韌窩狀”、有縫隙的“瓜子狀”。透射電鏡結(jié)果表明,三種涂層內(nèi)部均存在高密度應(yīng)力場(chǎng)條紋,膜基結(jié)合處有厚度為數(shù)十納米的非晶層。W（N）涂層靠近非晶層位置為納米晶α-W（N）相鑲嵌在非晶基體組成的納米復(fù)合結(jié)構(gòu)。W（N）涂層的平均晶粒尺寸低至7.5 nm,且具有較高的硬度（29.4 GPa）,較好的韌性、附著性（Lc2>100 N）,以及優(yōu)異的摩擦學(xué)性能和良好的耐腐蝕性能。W（N）涂層磨損率較W涂層降低一個(gè)數(shù)量級(jí),為5.08×10^-16<... 

【文章來(lái)源】：華南理工大學(xué)廣東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

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與HiPIMS技術(shù)相關(guān)的SCI檢索文章（引自WebofScience）

華南理工大學(xué)工程碩士學(xué)位論文壓、氣體等參數(shù)相關(guān)。不管何種實(shí)驗(yàn)參數(shù)條件，延遲時(shí)，加載電壓越大，延遲時(shí)間越短。如果在脈沖開始之前的等離子體，可以消除 HiPIMS 電壓電流的時(shí)間延遲效線見圖 1-2，電壓越高，產(chǎn)生峰值電流和達(dá)到穩(wěn)定平臺(tái)工作氣壓下，當(dāng)靶電壓大于 750 V 時(shí)，W 靶在脈沖開的]。的涂層技術(shù)與設(shè)備廠商 Balzers、CemeCon、Sulzer、H備，其核心技術(shù)不盡相同但其電源設(shè)計(jì)原理基本一致，，結(jié)構(gòu)示意圖見圖 1-3。直流電源給脈沖電容器組充電伏不等。電容器和陰極之間安裝晶體管開關(guān)，開關(guān)控制定的脈沖頻率，從而把電容器中的能量傳輸?shù)酱趴匕猩?

電容器和陰極之間安裝晶體管開關(guān)，開關(guān)控制微秒級(jí)規(guī)定的脈沖頻率，從而把電容器中的能量傳輸?shù)酱趴匕猩�。圖 1-2 W 靶的電壓-電流-時(shí)間曲線（Ar 壓力 1.8 Pa）[15]Fig.1-2 Current-voltage-time curve of W target in argon at 1.8 Pa[15]


本文編號(hào)：2950497