【摘要】：根據(jù)金屬材料的高溫氧化和防氧化特性,研究了不同保護(hù)膜對(duì)薄膜熱電偶防氧化的機(jī)理,提出使用SiO_2、SiO_xN_y薄膜作為抗氧化的保護(hù)膜。用磁控濺射法分別制備了具有SiO_2和SiO_xN_y保護(hù)膜和無(wú)保護(hù)膜的Ni Cr-Ni Si薄膜熱電偶樣品,并對(duì)三種樣品進(jìn)行高溫?zé)崽幚�。結(jié)果表明,根據(jù)不同樣品的XRD圖譜中NiO峰的強(qiáng)度,在800℃高溫下有SiO_xN_y保護(hù)膜的樣品其抗氧化效果約為有SiO_2保護(hù)膜樣品的3~5倍。同時(shí)發(fā)現(xiàn),在高溫處理過(guò)程中SiO_xN_y薄膜發(fā)生輕微氧化使SiO_xN_y薄膜結(jié)構(gòu)更致密,有利于提高SiO_xN_y薄膜對(duì)溫度敏感薄膜的抗氧化性能。

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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