【摘要】:微弧氧化是在電化學陽極氧化基礎上,通過提高陰陽極間的單脈沖能量,實現(xiàn)陽極表面等離子體增強及閥金屬表面陶瓷化的材料加工技術。本文對誘發(fā)微弧等離子體的膜層組織結構和電導特性進行了分析,揭示由于膜層中微裂紋和雜質(zhì)顆粒界面的隨機分布引起微區(qū)阻值分布存在不均衡的漲落,微弧等離子體誘發(fā)是電流在氧化膜微區(qū)中非平衡態(tài)分布的必然結果。在缺陷微區(qū)對電流競爭分配和雜質(zhì)能級逐級反饋的作用下引起缺陷微區(qū)出現(xiàn)絲狀電流的固體電擊穿行為。固體電擊穿后續(xù)引發(fā)熱電子發(fā)射和氣體碰撞電離最終致微弧等離子體形成。缺陷微區(qū)放電后離子晶體的融化引起電流局部均散致單個弧斑具有自生自滅的毫/微秒量級時間分布,微裂紋/雜質(zhì)顆粒界面致單個弧斑具有微納米量級空間分布,熱電子發(fā)射機制致單個弧斑具有局部熱力學平衡高溫等離子體的能量特性。單次放電后氧化膜中的缺陷微區(qū)(微裂紋和雜質(zhì)顆粒界面)向熱穩(wěn)定或亞穩(wěn)定結構的晶體轉變,使原缺陷微區(qū)的阻值隨之增加一增量ΔR。由于電流總是優(yōu)先經(jīng)過電阻最低的路徑(支配原理),每個缺陷微區(qū)放電后的ΔR將對下一次所有微區(qū)電流分布產(chǎn)生反饋,進而引起下一次所有微區(qū)放電時空分布與能量、微孔分布與結構、陶瓷層生長速率發(fā)生改變。支配原理導致微弧氧化即使在恒定的外界條件下系統(tǒng)各參量隨時間并不處于定常狀態(tài)。電極系統(tǒng)可測的宏觀量難以描述每個弧斑的時空分布與能量間的差異,文章從統(tǒng)計力學角度借鑒元胞自動機思想建立描述微弧等離子體分布與能量的離散動力學模型—微弧算法。提出了決定陽極電流向平衡態(tài)或遠離平衡態(tài)分布及分布速率的核心參量—反饋系數(shù)k,并建立k與電流密度、脈寬/脈寬間隔、放電產(chǎn)物電導特性間的單調(diào)性規(guī)律。揭示出微弧氧化陶瓷層生長是電流分布遠離平衡態(tài)的過程(k3.3),微弧等離子體分布與能量、陶瓷層生長方式、表面微孔結構、陶瓷層耐腐蝕和耐摩擦磨損性能本質(zhì)上是電流遠離平衡態(tài)分布速率不同的結果。基于電流密度、脈寬/脈寬間隔對k的調(diào)控,實現(xiàn)了理論預測下電流遠離平衡態(tài)分布速率的調(diào)控及相應陶瓷層微孔結構。微弧算法還揭示出微弧氧化仍然存在電流分布趨向平衡態(tài)這一微弧氧化技術目前尚未發(fā)現(xiàn)的情況(k3.3),利用頻率可達50kHz高頻電源實現(xiàn)了理論預測下的電流趨向平衡態(tài)分布,并建立了微弧氧化平衡態(tài)下所對應的陶瓷層自定義生長與超強高硬材料微細加工兩個新的技術應用。平衡態(tài)微弧氧化技術本質(zhì)上提供了一種微納米尺度高溫高壓等離子體的選區(qū)誘發(fā)方式,使微弧等離子體不但保留獨一無二的時空分布與能量特性,又可比肩傳統(tǒng)等離子體的精確可控并在材料加工領域獲得更多潛在應用。文章最后分析了電流遠離平衡態(tài)和趨向平衡態(tài)分布的行為臨界點(k=3.3),揭示出弧斑群體自組織有序結構的根本原因是電流遠離平衡態(tài)分布。恒定的外界條件下微弧系統(tǒng)最終難以維持穩(wěn)態(tài)并總會隨時間表現(xiàn)出不可逆的方向性。微弧氧化中弧斑群體總會不斷衰敗,陶瓷層孔隙率,微孔尺寸和尺寸間的差異總會增加,電源電量利用率總會越來越低,即使處理時間是無限的,陶瓷層最終厚度也是有限的。
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【學位授予單位】:西安理工大學
【學位級別】:博士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TG174.4
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