發(fā)布時(shí)間：2018-06-15 07:14

  本文選題：微弧氧化 + 封閉式陰極　； 參考：《表面技術(shù)》2017年05期

【摘要】：目的以磷酸鹽為氧化槽液體系,在TC4合金大尺寸平板件表面獲得均勻連續(xù)、無(wú)印痕的微弧氧化膜層。方法設(shè)計(jì)封閉和半封閉式掃描陰極開(kāi)展氧化試驗(yàn),研究不同的封閉方式對(duì)鈦合金微弧氧化膜層的影響,以確定陰極的封閉形式。對(duì)試件進(jìn)行微弧氧化并通過(guò)SEM/EDS檢測(cè)膜層的形貌和成分。結(jié)果全封閉式陰極可有效避免弱電場(chǎng)對(duì)膜層的影響。半封閉陰極的開(kāi)口寬度和密封方向?qū)ξ⒒⊙趸び杏绊?在開(kāi)口方向,電場(chǎng)輻射區(qū)約150 mm,膜厚隨距陰極距離的增加而遞減,在陰極寬度1倍處,膜厚稍有衰減,其影響區(qū)為陰極寬度的6倍。若陰極兩端均不密封,氧化影響區(qū)將是陰極寬度的12倍。結(jié)論采用前部適度敞開(kāi)、后部徹底封閉的陰極構(gòu)形,可控制氧化過(guò)程中由于電場(chǎng)強(qiáng)度變化引起的膜層脫落和燒蝕缺陷,獲得連續(xù)均勻的微弧氧化膜。氧化工藝參數(shù)可設(shè)置為電壓450 V,脈寬15,脈數(shù)500,掃描速度10 mm/min。
[Abstract]:Aim to obtain a uniform, continuous and imprinted micro-arc oxide film on the surface of a large scale TC4 alloy plate using phosphate as the oxidation tank solution. Methods the oxidation tests of closed and semi-closed scanning cathode were designed to study the effect of different sealing modes on the micro-arc oxide film of titanium alloy in order to determine the closed form of the cathode. Microarc oxidation was performed on the samples and the morphology and composition of the films were detected by SEM / EDS. Results the completely closed cathode can effectively avoid the influence of the weak electric field on the film layer. The opening width and sealing direction of the semi-closed cathode have an effect on the micro-arc oxide film. In the opening direction, the electric field radiation region is about 150 mm, the film thickness decreases with the increase of the distance from the cathode to the cathode, and the film thickness decreases slightly at 1 times the cathode width. The influence zone is 6 times the width of the cathode. If the two ends of the cathode are not sealed, the oxidation affected zone will be 12 times the width of the cathode. Conclusion the cathodic configuration of the front part is moderately open and the rear part is completely closed, which can control the falling off and ablation defects caused by the change of electric field strength, and obtain a continuous uniform micro-arc oxide film. The oxidation process parameters can be set as voltage 450 V, pulse width 15, pulse number 500, scanning speed 10 mm / min.
【作者單位】： 中國(guó)特種飛行器研究所結(jié)構(gòu)腐蝕防護(hù)與控制航空科技重點(diǎn)試驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TG174.44

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2021173