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近共晶鋁硅合金陽極氧化工藝研究

發(fā)布時(shí)間:2018-05-14 11:21

  本文選題:鋁硅合金 + 陽極氧化。 參考:《沈陽工業(yè)大學(xué)》2017年碩士論文


【摘要】:本課題對(duì)近共晶鋁硅合金陽極氧化工藝進(jìn)行研究,使用脈沖信號(hào)電源,對(duì)比氧化時(shí)間、電流密度、電解液配方等,確定最優(yōu)的工藝參數(shù)。在最佳工藝條件下,以草酸、酒石酸、磺基水楊酸、硫酸高鈰作為添加劑,分析添加劑濃度對(duì)氧化膜的厚度以及表面形貌的影響,利用掃描電子顯微鏡分析陽極氧化膜的表面形貌,場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡分析鋁、硅、氧等元素在陽極氧化膜上的分布情況,確定添加劑的最佳添加量。利用熱震實(shí)驗(yàn),鹽霧腐蝕實(shí)驗(yàn),極化曲線分析氧化膜的性能。結(jié)果表明:近共晶鋁硅合金的陽極氧化膜微孔密度大、孔徑小,呈六角蜂窩狀結(jié)構(gòu),隨著電解液的濃度、電流密度、氧化時(shí)間的增加,經(jīng)陽極氧化處理的氧化膜變厚,隨著脈沖信號(hào)電源的參數(shù)不同而不同,但陽極氧化過程中,硫酸的酸蝕作用、電流熱效應(yīng)等的影響,氧化膜的厚度會(huì)變薄。近共晶鋁硅合金陽極氧化最優(yōu)工藝參數(shù)為:電流密度3.2A/dm2,梯形波上升下降時(shí)間858.36ns,占空比50%,氧化時(shí)間30min,梯形信號(hào)脈沖波形頻率50Hz。在硫酸電解液中加入檸檬酸、草酸、磺基水楊酸、硫酸高鈰等添加劑,可有效阻礙硫酸的侵蝕,增加氧化膜的厚度,改善氧化膜表面質(zhì)量。通過分析氧化膜的耐腐蝕性,得出添加劑的最佳添加量:草酸6g/L,磺基水楊酸10g/L,檸檬酸25g/L,硫酸高鈰0.7g/L。氧化膜耐腐蝕性較好,陽極氧化處理提高了近共晶鋁硅合金的耐腐蝕能力。本工藝可操作性強(qiáng)、重復(fù)性好,生產(chǎn)效率高,易于推廣應(yīng)用。對(duì)電源波形的選用進(jìn)行了進(jìn)一步的討論,對(duì)鋁合金陽極氧化進(jìn)行了有益的補(bǔ)充,拓展了鋁硅合金應(yīng)用空間。
[Abstract]:In this paper, the anodic oxidation process of near-eutectic Al-Si alloy is studied. The optimal process parameters are determined by using pulse signal power supply, comparing oxidation time, current density, electrolyte formula, etc. Under the optimum conditions, oxalic acid, tartaric acid, sulfosalicylic acid and cerium sulfate were used as additives to analyze the effect of additive concentration on the thickness and surface morphology of oxide film. The surface morphology of anodic oxide film was analyzed by scanning electron microscope (SEM), and the distribution of aluminum, silicon and oxygen on anodic oxide film was analyzed by field emission scanning electron microscope (SEM), and the optimum additive content was determined. The thermal shock test, salt spray corrosion test and polarization curve were used to analyze the properties of the oxide film. The results show that the anodic oxide film of near-eutectic Al-Si alloy has a large pore density and a small pore size and a hexagonal honeycomb structure. With the increase of electrolyte concentration, current density and oxidation time, the oxide film treated by anodic oxidation becomes thicker. The thickness of oxide film will become thinner due to the influence of acid corrosion of sulfuric acid and current heat effect during anodic oxidation with different parameters of pulse signal power supply. The optimum process parameters for anodic oxidation of near-eutectic Al-Si alloy are as follows: current density 3.2A / dm2, trapezoid wave rise and drop time 858.36ns, duty cycle 50, oxidation time 30min, frequency of trapezoid signal pulse waveform 50Hz. Adding citric acid, oxalic acid, sulfosalicylic acid and cerium sulfate into the electrolyte of sulfuric acid can effectively hinder the erosion of sulfuric acid, increase the thickness of oxide film and improve the surface quality of oxide film. By analyzing the corrosion resistance of the oxide film, the optimum additive was obtained: 6g / L oxalic acid, 10g / L sulfosalicylic acid, 25g / L citric acid, 0.7g / L cerium sulfate. The corrosion resistance of near-eutectic Al-Si alloy was improved by anodizing treatment. The process has strong operability, good repeatability, high production efficiency and easy to be popularized and applied. The selection of power waveform is further discussed, which is helpful to the anodic oxidation of aluminum alloy and expands the application space of Al-Si alloy.
【學(xué)位授予單位】:沈陽工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號(hào)】:TG174.451

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本文編號(hào):1887656

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