本文選題：W + He��； 參考：《金屬學報》2017年01期

【摘要】：利用SEM和慢正電子束分析(SPBA)方法研究了不同注量的多能氦離子注入和注氦后不同溫度退火的多晶W中He相關缺陷的演化機制。結果表明,W材料中由多能氦離子注入引入的空位型缺陷數(shù)目隨著He+注量的升高而增大;220℃退火引起注氦W樣品中的間隙W原子與空位的復合,降低了材料中的空位型缺陷數(shù)目;450℃和650℃退火的注氦W材料中形成了He泡,He泡尺寸與退火溫度有關,650℃退火的樣品中觀測到直徑達600 nm的大尺寸He泡和孔洞結構。
[Abstract]:The evolution mechanism of He-related defects in multi-energy helium ion implantation with different doses and annealed at different temperatures was studied by SEM and slow positron beam analysis.The results show that the number of vacancy defects induced by multi-energy helium ion implantation increases with the increase of he flux, and annealing at 220 鈩，

本文編號：1742212