本文選題：鋁基板　切入點(diǎn)：氧化鋁　出處：《表面技術(shù)》2017年05期

【摘要】：目的對(duì)LED封裝用鋁基板表面進(jìn)行微弧氧化處理,用以調(diào)控其界面的導(dǎo)電導(dǎo)熱行為,并構(gòu)建微弧氧化膜的厚度與其導(dǎo)電性及導(dǎo)熱性之間的關(guān)聯(lián)性。方法采用XRD表征了不同厚度微弧氧化膜的相結(jié)構(gòu),借助SEM觀察了不同厚度膜層的表面微觀形貌,利用高阻計(jì)測(cè)試了不同外加電壓下膜層的電阻率,采用閃光法測(cè)定了不同溫度下膜層的熱擴(kuò)散系數(shù)。結(jié)果微弧氧化膜主要由γ-Al_2O_3相組成,隨膜層厚度的增加,膜層的相結(jié)構(gòu)無(wú)顯著變化,但其表面多孔結(jié)構(gòu)出現(xiàn)了明顯變化。膜層電阻率隨膜厚的增大而升高,在膜厚從10μm增至40μm的過(guò)程中,電阻率增大了4~8倍。膜層電阻率隨測(cè)試電壓的升高而降低,當(dāng)測(cè)試電壓從50 V升至100 V時(shí),電阻率降幅達(dá)1~2個(gè)數(shù)量級(jí)。膜層的熱擴(kuò)散系數(shù)隨膜厚的增大出現(xiàn)波動(dòng),當(dāng)膜厚為10~40μm時(shí),熱擴(kuò)散系數(shù)的變化量為21.6~24.8 m~2/s。膜層熱擴(kuò)散系數(shù)隨測(cè)試溫度的升高而降低,降幅最高可達(dá)8.9 m~2/s。結(jié)論厚度為40μm的微弧氧化膜既具有高的電阻率(7.1×1012?·cm),又具有高的熱擴(kuò)散系數(shù)(98.0 m~2/s),有望滿足LED鋁基板的界面絕緣與散熱要求。
[Abstract]:The surface of aluminum substrate for LED packaging was treated by micro-arc oxidation to regulate the conduction and heat conduction behavior of the interface. The relationship between the thickness of micro-arc oxide film and its electrical and thermal conductivity was constructed. Methods the phase structure of different thickness micro-arc oxide film was characterized by XRD, and the surface morphology of different thickness film was observed by SEM. The resistivity of the film under different applied voltage was measured by high resistance meter, and the thermal diffusion coefficient of the film at different temperature was measured by flash method. Results the micro-arc oxide film is mainly composed of 緯 -Al _ 2O _ 3 phase, and the thickness of the film increases with the thickness of the film. The phase structure of the film did not change significantly, but the porous structure of the film surface changed obviously. The resistivity of the film increased with the increase of the film thickness, and the film thickness increased from 10 渭 m to 40 渭 m. The resistivity increases by 4 ~ 8 times. The resistivity of the film decreases with the increase of the test voltage. When the test voltage increases from 50 V to 100 V, the resistivity decreases by 1 ~ 2 orders of magnitude. The thermal diffusion coefficient of the film fluctuates with the increase of the film thickness. When the thickness of the film is 10 ~ 40 渭 m, the thermal diffusion coefficient varies by 21.6 ~ 24.8 mm / s. The thermal diffusion coefficient of the film decreases with the increase of the test temperature, and the decrease is up to 8.9 m ~ (2) / s. Conclusion the thickness of 40 渭 m micro-arc oxide film has a high resistivity of 7.1 脳 10 ~ (12)? CMG, with a high thermal diffusion coefficient of 98.0 mm2 / s-1, is expected to meet the requirements of interfacial insulation and heat dissipation of LED aluminum substrates.
【作者單位】： 西安科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：陜西省自然科學(xué)基礎(chǔ)研究計(jì)劃項(xiàng)目(2015JQ5163) 陜西省教育廳科研計(jì)劃項(xiàng)目(2013JK0900) 大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練計(jì)劃項(xiàng)目(201610704039)~~
【分類號(hào)】：TG174.44

【參考文獻(xiàn)】

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1 王勇濤;張軍;徐文;張?jiān)娋?王文峰;;高導(dǎo)熱陽(yáng)極氧化鋁陶瓷膜鋁基板的研制[J];絕緣材料;2015年08期

2 黃元林;孫曉峰;李占明;宋巍;;20鋼基體表面熱浸鍍鋁+微弧氧化復(fù)合處理研究[J];裝甲兵工程學(xué)院學(xué)報(bào);2015年03期

3 宋健;王明;;氧化鋁陶瓷集成電路基板材料的制備及性能研究[J];中國(guó)陶瓷;2014年12期

4 茅艷婷;張哲娟;熊智淳;孫卓;;鋁合金表面陽(yáng)極氧化處理及膜層的散熱性能[J];材料保護(hù);2014年05期

5 何翔;熊夢(mèng)穎;;鋁合金表面陶瓷化及絕緣性能研究[J];兵器材料科學(xué)與工程;2013年01期

6 李艷菲;張方輝;梁田靜;杜紅兵;;LED絕緣鋁基板的制備與散熱性能研究[J];功能材料;2012年11期

7 石緒忠;陳派明;王岳;余向飛;;5A06鋁合金陽(yáng)極氧化和微弧氧化膜絕緣性能研究[J];材料開(kāi)發(fā)與應(yīng)用;2012年01期

8 方亮;鐘前剛;何建;劉高斌;李艷炯;郭培;;大功率LED封裝用散熱鋁基板的制備與性能研究[J];材料導(dǎo)報(bào);2011年02期

9 鐘前剛;方亮;何建;艾超;魏文侯;;陽(yáng)極氧化鋁基板封裝LED的結(jié)溫與熱阻的研究[J];半導(dǎo)體光電;2010年06期

【共引文獻(xiàn)】

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1 鄺海;;大功率LED中常用陶瓷基板研究[J];中國(guó)陶瓷;2017年08期

2 陳超;張玉平;陳為為;程煥武;王魯;;鋁合金表面藍(lán)色微弧氧化陶瓷膜的制備及性能研究[J];材料導(dǎo)報(bào);2017年10期

3 張博;蔡輝;張陽(yáng);孫萬(wàn)昌;張菊梅;;鋁基板表面微弧氧化膜厚度對(duì)其導(dǎo)電導(dǎo)熱性的影響[J];表面技術(shù);2017年05期

4 鄭強(qiáng);蔡葦;陳飛;周杰;蘭偉;符春林;;氧化鋁陶瓷基板化學(xué)鍍銅工藝優(yōu)化[J];表面技術(shù);2017年04期

5 羅yN格;胡繼林;羅金秋;劉瓊;康丁華;康文濤;;氧化鋁粉末的球磨工藝及其燒結(jié)性能研究[J];中國(guó)陶瓷;2017年02期

6 黃元林;孫曉峰;;20鋼熱浸鍍鋁工藝及力學(xué)性能研究[J];裝甲兵工程學(xué)院學(xué)報(bào);2016年06期

7 魏茜茜;夏雪;田怡;;我國(guó)精細(xì)陶瓷材料產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展路徑的研究[J];陶瓷;2017年01期

8 劉米豐;吳偉偉;任衛(wèi)朋;王立春;;基于陽(yáng)極氧化鋁基板的圓片級(jí)板載芯片封裝技術(shù)（英文）[J];傳感技術(shù)學(xué)報(bào);2016年10期

9 李達(dá)波;王釧文;曾成昆;董前民;;基于LabVIEW的非接觸式LED結(jié)溫測(cè)試系統(tǒng)[J];科技展望;2016年03期

10 徐文;張軍;王文峰;;陽(yáng)極氧化鋁膜抗電強(qiáng)度的研究[J];湖北大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2015年06期

【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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1 熊媛;吳伯麟;;Y_2O_3,Ho_2O_3摻入對(duì)氧化鋁陶瓷耐磨性能的影響[J];中國(guó)陶瓷;2014年03期

2 方軍;花剛;傅仁利;顧席光;趙維維;錢鳳嬌;錢斐;;大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)和封裝基板[J];半導(dǎo)體技術(shù);2013年02期

3 閆軍政;楊士元;吳維剛;張金龍;;功率控制器結(jié)溫?zé)o損傷測(cè)量技術(shù)研究與實(shí)現(xiàn)[J];半導(dǎo)體技術(shù);2013年01期

4 王文;夏宇;;導(dǎo)熱絕緣材料的研究與應(yīng)用[J];絕緣材料;2012年01期

5 祝大同;;我國(guó)金屬基覆銅板行業(yè)的現(xiàn)狀與技術(shù)新發(fā)展[J];絕緣材料;2011年04期

6 陳靜;徐晉勇;高成;梁尤慶;劉亞娟;;鋁合金微弧氧化溶液體系的研究進(jìn)展[J];材料導(dǎo)報(bào);2011年15期

7 杜海燕;林宗彬;吳偉明;鄒志強(qiáng);;鋁電化學(xué)陽(yáng)極氧化技術(shù)研究進(jìn)展[J];廣州化工;2011年12期

8 王曉燕;翟秀靜;張廷安;符巖;鄭雙;;電解電壓對(duì)陽(yáng)極氧化鋁膜微觀形貌的影響[J];有色金屬;2011年01期

9 方亮;鐘前剛;何建;劉高斌;李艷炯;郭培;;大功率LED封裝用散熱鋁基板的制備與性能研究[J];材料導(dǎo)報(bào);2011年02期

10 孫偉;蔡啟舟;羅強(qiáng);;RE對(duì)熱浸鍍鋁鍍層組織及耐腐蝕性能的影響[J];中國(guó)表面工程;2010年06期

【相似文獻(xiàn)】

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1 王煥;智能功率模塊用鋁基板微弧氧化工藝研究[D];華南理工大學(xué);2013年

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本文編號(hào)：1698854