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二維硫化鉬基原子晶體材料的化學氣相沉積法制備及其器件

發(fā)布時間:2017-09-02 00:30

  本文關鍵詞:二維硫化鉬基原子晶體材料的化學氣相沉積法制備及其器件


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【摘要】:二維過渡族金屬硫屬化合物因其帶隙具有強烈的層數依賴性而在電子器件方面具有廣泛的應用前景。其中單層二硫化鉬(MoS_2)是該系列材料中最典型的一種直接帶隙半導體,它具有優(yōu)異的光、電、磁、熱和力學性能。二維MoS_2有望在光電探測、光伏器件、場效應晶體管、存儲器件、谷電子和自旋器件、溫差電器件、微納機電器件和系統(tǒng)等方面得以廣泛應用;瘜W氣相沉積(CVD)法已成為制備二維過渡族金屬硫屬化合物如MoS_2、MoSe_2、WS_2和WSe_2等原子層薄膜的主要手段,尤其科學界利用CVD法對二維MoS_2材料進行了深入的制備探索,通過該方法制備的MoS_2薄膜在電子和光電器件方面已經有廣泛研究。本文將從二維MoS_2的基本物性出發(fā),詳細介紹CVD法制備MoS_2的各種工藝過程,如熱分解硫代硫酸鹽法、硫化Mo(MoO_(3-x))薄膜制備法、MoO_(3-x)粉體與硫屬前驅體氣相合成法和鉬箔表面直接硫化法,并介紹了基于MoS_2的二維異質結構筑方法。在制備材料的基礎上,詳細闡述了二維MoS_2在場效應晶體管、光電探測器、柔性電子器件以及異質結器件方面的應用,并展望了二維材料在半導體器件中的應用前景。
【作者單位】: 南京航空航天大學航空宇航學院機械結構與控制國家重點實驗室納智能材料器件教育部重點實驗室和納米科學研究所;南京航空航天大學材料科學與技術學院;
【關鍵詞】二硫化鉬 化學氣相沉積 光電器件 二維異質結
【基金】:國家自然科學基金項目(No.61474063,11302100) 南京航空航天大學基金(No.NJ20140002,NE2015102,NZ2015101) 江蘇省自然科學基金項目(No.SBK2015022205) 機械結構力學與控制國家重點實驗室基金項目(No.0413Y02,0415G02) 江蘇省高校優(yōu)勢學科建設工程資助~~
【分類號】:TQ136.12
【正文快照】: The work was supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61474063,11302100),the Innovation Fund of NUAA(No.NJ20140002,NE2015102,NZ2015101),the National Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.SBK2015022205),SKL Funding ofNU

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