本文關鍵詞：兩步法制備聚酰亞胺柔性襯底的ZnO納米陣列

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【摘要】：在低溫條件下采用兩步法在聚酰亞胺(PI)薄膜上制備ZnO納米陣列。首先,在90℃條件下,用旋涂法在柔性PI襯底上生長1層ZnO緩沖層,然后,在柔性襯底上用水熱法制備ZnO納米陣列。研究十二烷基磺酸鈉(SDS)的最佳用量并優(yōu)化ZnO的制備條件。對PI薄膜進行酸堿處理以提高其表面粗糙度和潤濕性能,通過鋅濃度測定儀測量SDS的最佳用量為0.70 g。樣品的形貌、尺寸和結構通過傅里葉紅外光譜儀(FT-IR)、原子力顯微鏡(AFM)、場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)和X線衍射儀(XRD)進行表征。結果表明:ZnO納米棒為六角纖鋅礦結構,沿C軸方向擇優(yōu)生長,反應濃度與反應時間影響納米棒陣列的直徑與垂直度。ZnO陣列的光致發(fā)光(PL)性能表明,在380 nm有紫外光(UV)發(fā)射峰,在450 nm有藍光發(fā)射峰。380 nm處的UV發(fā)射峰由自由激子復合引起,450 nm處的藍光發(fā)射峰可能由電子的躍遷引起。
【作者單位】： 南京工業(yè)大學化工學院;
【關鍵詞】： 聚酰亞胺 ZnO 水熱法 光致發(fā)光
【分類號】：TQ132.41;TB383.1
【正文快照】： Zn O是一種重要的寬禁帶(3.37 e V)半導體功能材料,具有物理、化學性能優(yōu)良,材料來源豐富,價格低廉,適合薄膜的外延生長等優(yōu)點,使其在光電器件、太陽能電池、氣體傳感器等領域具有廣闊的應用前景[1-4]。Zn O激子束縛能(室溫下為60 me V)高,遠超其具有的26 me V晶格熱動能,使其

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本文編號：744213