氫終結(jié)金剛石表面P型導(dǎo)電溝道穩(wěn)定性研究
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更多相關(guān)文章: 氫終結(jié) 金剛石膜 表面導(dǎo)電性 穩(wěn)定性
【摘要】:原位測試了氫終結(jié)金剛石膜在氮氣保護和大氣氣氛中加熱時的表面導(dǎo)電特征,分析并討論了該導(dǎo)電溝道的高溫穩(wěn)定性。結(jié)果表明,室溫下氫終結(jié)金剛石表面電導(dǎo)率均在10~(-5)S量級。隨著溫度的升高,N_2氣氛下的金剛石膜表面電導(dǎo)率呈現(xiàn)逐漸下降的趨勢,而大氣中加熱的金剛石膜表面電導(dǎo)率則出現(xiàn)了明顯的臺階式降低。對于后者而言,金剛石表面在120℃發(fā)生的第二層水分子脫附和230℃下CH基團的分解,是其電導(dǎo)率發(fā)生階梯式下降的主要原因。而在氮氣(N_2)氣氛下氫終結(jié)金剛石膜表面導(dǎo)電溝道表現(xiàn)出更高的分子水脫附溫度(300℃)和氫分解溫度(400℃),表明氣氛保護可有效提高氫終結(jié)金剛石表面導(dǎo)電溝道的穩(wěn)定性。
【作者單位】: 北京科技大學(xué)新材料技術(shù)研究院;北京科技大學(xué)鋼鐵冶金新技術(shù)國家重點實驗室;河北省半導(dǎo)體所專用集成電路重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】: 氫終結(jié) 金剛石膜 表面導(dǎo)電性 穩(wěn)定性
【基金】:國家自然科學(xué)基金(51402013) 中國博士后科學(xué)基金特別資助項目(2015T80037);中國博士后科學(xué)基金(一等)(2014M550022) 中央高;究蒲袠I(yè)務(wù)費(FRF-TP-15-052A2) 專用集成電路重點實驗室基金
【分類號】:TQ163;TB383.2
【正文快照】: 金剛石具有優(yōu)異的力學(xué)、光學(xué)[1]、熱學(xué)[2]及電學(xué)性能,特別是電學(xué)方面具有寬帶隙(5.5 e V)、高載流子遷移率(特別是空穴遷移率比單晶Si、Ga As高得多)、低介電常數(shù)(5.7)、高的Johnson指標和Keyse指標(均高于Si和Ga As 10倍以上)等等,因此被譽為高頻高功率電子器件的最佳選擇[3]
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,本文編號:647140
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