本文關鍵詞：致密SiC包覆層低溫流化床化學氣相沉積制備及形成機制

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【摘要】：一般致密SiC材料的制備需要極高的溫度,而降低制備溫度一直是SiC制備領域的重要研究方向。采用流化床化學氣相沉積法,在球形二氧化鋯陶瓷顆粒上制備了厚度為幾十微米的SiC包覆層。通過對不同溫度SiC包覆層的顯微形貌及微觀結構變化規(guī)律研究,給出了沉積效率變化規(guī)律,發(fā)現(xiàn)低溫產物富硅,而高溫產物富碳。對不同氬氣含量的實驗研究發(fā)現(xiàn),氬氣的加入可以促進沉積反應向富碳方向移動,從而可以在顯著降低溫度的條件下制備出致密SiC包覆層。綜合實驗結果給出了流化床化學氣相沉積方法在不同溫度及氬氣濃度條件下制備SiC的物相分布圖。
【作者單位】： 清華大學核能與新能源技術研究院先進核能技術協(xié)同創(chuàng)新中心;西北工業(yè)大學材料學院;
【關鍵詞】： SiC 流化床 化學氣相沉積 甲基三氯硅烷 包覆層
【基金】：國家自然科學基金(51302148,21306097) 清華大學自主科研計劃(20131089217)
【分類號】：TQ163.4;TB306
【正文快照】： 網絡出版地址:www.cnki.net/kcms/detail/11.1801.TB.20151026.1120.004.html引用格式:王子梁,劉榮正,劉馬林,等.致密SiC包覆層低溫流化床化學氣相沉積制備及形成機制[J].復合材料學報,2016,33(8):1777-1784.WANG Z L,LIU R Z,LIU M L,et al.Low temperature synthesis and fo

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本文編號：612875