本文關(guān)鍵詞：電子輻照對(duì)SiC陶瓷微觀結(jié)構(gòu)與輻致發(fā)光性能的影響

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【摘要】：以聚碳硅烷(PCS)為原料,通過(guò)聚合物裂解法分別在1 100和1 800℃制備出Si C陶瓷。用1.8 MeV電子源(輻照強(qiáng)度為5 360 Gy/s、總劑量約為20 MGy、輻照溫度為200℃)對(duì)其進(jìn)行輻照。對(duì)SiC陶瓷輻照前后的結(jié)構(gòu)以及輻照后的輻致發(fā)光譜進(jìn)行分析。結(jié)果表明:1 100和1 800℃得到的SiC陶瓷X射線(xiàn)衍射譜中最強(qiáng)峰強(qiáng)度分別下降了48.7%和50.5%,輻照區(qū)域晶粒變小,說(shuō)明SiC陶瓷輻照后晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生了明顯無(wú)定形化。1 800℃得到的Si C陶瓷輻照后局部區(qū)域出現(xiàn)了C元素富集。聚合物裂解法制備的Si C陶瓷中游離碳含量較高,導(dǎo)致其輻致發(fā)光強(qiáng)度低(0.1)。
【作者單位】： 海軍工程大學(xué)艦船高溫結(jié)構(gòu)復(fù)合材料研究室;國(guó)防科技大學(xué)新型陶瓷纖維及其復(fù)合材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 電子輻照 碳化硅陶瓷 微觀結(jié)構(gòu) 輻致發(fā)光
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(51372274) 武器裝備預(yù)研基金(9140A27030514JB11449)資助
【分類(lèi)號(hào)】：TQ174.1
【正文快照】： ZHAO Shuang1,YANG Zichun1,ZHOU Xingui2(1.Institution of High-temperature Structural Composites for Ship,Naval University of Engineering,Wuhan 430033,China;2.Science and Technology on Advanced Ceramic Fibers and Composites Laboratory,National University o

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