本文關(guān)鍵詞：一種簡(jiǎn)單的溶膠-凝膠法制備二氧化鋯介質(zhì)層

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【摘要】：在電子產(chǎn)業(yè)中,能夠進(jìn)行低壓操作以及能夠在非常薄的薄層上進(jìn)行器件設(shè)計(jì)的材料備受關(guān)注.并且,這些材料需要使用方法簡(jiǎn)單、快速、可靠.作者提出一種簡(jiǎn)單且快速可靠的沉積高k二氧化鋯介電層的方法.整個(gè)過(guò)程從原來(lái)常規(guī)過(guò)程的140分鐘縮短到10分鐘.這種改進(jìn)的方法在操作流程方面有顯著的提升.這種溶膠凝膠法制備的樣品介電層厚度遠(yuǎn)小于與之前報(bào)道的樣品,其厚度約為原方法制備樣品的25%.在優(yōu)化操作過(guò)程與降低介電層厚度的同時(shí),二氧化鋯的介電性質(zhì)并沒(méi)有被影響.作者進(jìn)一步研究了樣品的介電特性,在90K到300K之間介電性質(zhì)的變化小于10%.
【作者單位】： 四川大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 二氧化鋯 溶膠-凝膠法 電介質(zhì)
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61404088)
【分類號(hào)】：TQ134.12
【正文快照】： 1引言現(xiàn)代電子學(xué)中,特別是觸摸屏和未來(lái)的透明顯示屏領(lǐng)域,需要大量使用透明材料,這些技術(shù)是建立在較高的可見(jiàn)光傳輸系數(shù)或者特別薄的薄膜厚度基礎(chǔ)上的.典型的應(yīng)用如有源矩陣顯示[1],柔性電子學(xué)[2,3],憶阻器[4]和傳感器[5],這些技術(shù)通常需要用到透明的氧化半導(dǎo)體,如鋅氧化錫、

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本文編號(hào)：568123