本文關(guān)鍵詞：強(qiáng)電場條件下二氧化釩薄膜的相變特性研究

  更多相關(guān)文章： 二氧化釩薄膜 磁控濺射 強(qiáng)電場環(huán)境 場致相變 電導(dǎo)率

【摘要】：為研究薄膜材料在強(qiáng)電場激勵(lì)下的相變特性,采用直流磁控濺射工藝在硅襯底表面制備厚度不同的二氧化釩薄膜,搭建基于靜電高壓源和銅質(zhì)電極夾具的材料相變特性測試系統(tǒng)。通過改變外施電場強(qiáng)度,研究薄膜材料的場致相變特性。結(jié)果表明:外施場強(qiáng)達(dá)到600 k V/m左右時(shí),材料表現(xiàn)出明顯的絕緣態(tài)-金屬相變(MIT)特性;外施場強(qiáng)達(dá)到700k V/m時(shí),材料電導(dǎo)率的變化幅度超過2.6個(gè)數(shù)量級(jí),且遠(yuǎn)未達(dá)到飽和,隨外場繼續(xù)增加仍有很大上升空間。
【作者單位】： 軍械工程學(xué)院靜電與電磁防護(hù)研究所;中國電子科技集團(tuán)第33研究所;
【關(guān)鍵詞】： 二氧化釩薄膜 磁控濺射 強(qiáng)電場環(huán)境 場致相變 電導(dǎo)率
【分類號(hào)】：O484.4;;TB43
【正文快照】： 隨著電子信息裝備、電力電子系統(tǒng)朝著高度集成化、小型化、低功耗方向發(fā)展,先進(jìn)高功率雷達(dá)等用頻裝備的廣泛列裝與使用,特別是以高功率微波[1](HPM)、超寬帶(UWB)為代表的電磁脈沖武器的潛在威脅越來越大,導(dǎo)致戰(zhàn)場電磁環(huán)境愈發(fā)復(fù)雜、惡劣。電磁防護(hù)[2]材料作為武器裝備電磁防

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本文編號(hào)：536008