硅材料由于含量豐富、價格便宜、易于生長以及兼容性高等優(yōu)點,相比其它半導體材料來說,具有明顯的競爭力,是太陽能光伏產業(yè)中使用最廣泛的材料。但是,目前通常使用的p型硅片采用的是摻雜硼元素的硅晶體。而摻硼硅晶體由于內部形成硼氧復合體,會導致光致衰減現象的發(fā)生,使得其制備的硅太陽能電池效率較低。硼鎵共摻硅晶體既可以一定程度上緩解硼氧復合體帶來的光致衰減現象,又可以改善只摻雜鎵元素所帶來的晶體縱向電阻率分散性大的難題,具有很大的應用前景。因此,對于硼鎵共摻硅晶體的共摻影響進行系統(tǒng)深入的研究是十分必要的,包括受主硼、鎵與硅晶體中的雜質尤其是金屬雜質的相互作用,特別是鐵雜質,它是硅材料中最普通也是最重要的金屬沾污之一。本文圍繞硼鎵共摻直拉單晶(Czochralski,CZ)硅中鐵雜質的行為探究這一主題,系統(tǒng)地研究了硼鎵共摻CZ硅中鐵受主對的分布及其氫鈍化行為,以及鐵沉淀的電學性能,得到了以下主要創(chuàng)新結果:(1)研究了硼鎵共摻CZ硅中鐵受主對的分布、氫鈍化行為及其熱穩(wěn)定性。采用FeCl₃溶液浸漬和高溫退火的方式引入鐵沾污,發(fā)現通過piranha溶液浸漬和負偏壓退火(RBA)處理引...

【文章頁數】：76 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖2.1硅中摻硼的結構和能帶示意圖

浙江大學碩士學位論文62.2.1硅中的硼的基本性質硼（B）是硅中重要的摻雜元素，在元素周期表中位于第二周期第三主族，緊鄰位于第四主族的硅（Si）。B在硅內部通常以替代位的形式存在，是特意摻雜的受主元素，目的是使本征硅晶體內部產生大量空穴。其原理是B原子替代了Si晶體中某些硅原子的....

圖2.2重摻硼直拉硅生長過程中揮發(fā)物的(a)XRD和(b)EDX譜[19]

第二章文獻綜述7度達不到B的熔化溫度，B基本不揮發(fā)，保證了晶體生長過程中實際摻雜濃度和目標摻雜濃度的一致性。當硅晶體中目標B摻雜濃度小于2×1019cm-3時，很難檢測到B的揮發(fā)；當目標B摻雜濃度增加到4×1019cm-3時，才能在揮發(fā)物中檢測到B的存在，如圖2.2所示[19]。....

圖2.3p型摻硼CZ硅、MCZ硅、FZ硅和p型摻鎵CZ硅的少子壽命隨光照時間的變化

浙江大學碩士學位論文8等化學特性。圖2.3p型摻硼CZ硅、MCZ硅、FZ硅和p型摻鎵CZ硅的少子壽命隨光照時間的變化[20]Figure2.3MinoritycarrierlifetimewithilluminationtimeincreasingforB-dopedCZ-Si,....

圖2.4不含氧與含氧的p型摻硼FZ硅、n型摻磷FZ硅以及p型摻硼CZ硅的少子壽命隨光照時間的變化曲線[20]

浙江大學碩士學位論文8等化學特性。圖2.3p型摻硼CZ硅、MCZ硅、FZ硅和p型摻鎵CZ硅的少子壽命隨光照時間的變化[20]Figure2.3MinoritycarrierlifetimewithilluminationtimeincreasingforB-dopedCZ-Si,....

本文編號：3999770