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光耦合膠體射流創(chuàng)生單晶硅超光滑表面仿真及試驗研究

發(fā)布時間:2024-11-20 21:39
  隨著光學與微電子領(lǐng)域的不斷發(fā)展,對零件的表面精度、分辨率、穩(wěn)定性以及形貌等各方面結(jié)構(gòu)性能都提出了嚴格的標準,尤其是針對光學元件,更是要求其無表面損傷以及納米級別的表面粗糙度。目前在光學制造領(lǐng)域,復雜曲面由于其自身顯著的優(yōu)點因而在市場上的運用越來越廣泛,但隨之而來的是如何實現(xiàn)復雜曲面超光滑表面的大規(guī)模加工制造這一技術(shù)難題。為此,全球光學加工領(lǐng)域的研究學者都致力于開發(fā)新的超光滑表面加工技術(shù),以期實現(xiàn)各種復雜曲面光學元件超光滑表面的生成。本文基于紫外光誘導納米顆粒膠體射流加工技術(shù),對光耦合TiO2納米顆粒膠體射流創(chuàng)生單晶硅超光滑表面加工過程中,膠體環(huán)境中的TiO2納米顆粒與兩種單晶硅表面結(jié)構(gòu)處的Si原子之間的相互作用關(guān)系以及后續(xù)單晶硅界面原子鍵的斷裂采用了仿真與實驗相結(jié)合的研究方法,對光耦合下膠體射流單晶硅超光滑表面生成機理進行分析。由于光耦合膠體射流加工是依賴于膠體中的納米顆粒在光場以及射流動壓場的作用下與待加工表面原子發(fā)生一系列的界面化學反應從而實現(xiàn)材料表面的原子級去除,所以需用到量子化學研究方法對拋光過程中各個分子、原子間的具體反應路徑以及體系...

【文章頁數(shù)】:70 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

圖1.2磁流變拋光原理圖和加工系統(tǒng)圖

圖1.2磁流變拋光原理圖和加工系統(tǒng)圖

進而使得Bingham介質(zhì)觸碰到待加工工件時,會在其表機械剪切力,依靠這種機械作用實現(xiàn)對待加工表面的拋光修整。前各國對MF技術(shù)的研究仍然在繼續(xù)探究和完善當中。比如,長春人針對超大口徑光學元件的加工問題,在原有MF理論上,提出了光技術(shù),相對于傳統(tǒng)的MF技術(shù),帶式磁流....


圖1.3液體射流拋光原理圖

圖1.3液體射流拋光原理圖

圖1.3液體射流拋光原理圖1.3.2機械化學共同作用去除材料加工方法在所有由機械和化學共同作用對工件表面進行材料去除的超精密加工方法中最典型的拋光技術(shù)就是化學機械拋光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP);瘜W機械拋光最初是由美國IBM集....


圖1.4化學機械拋光加工過程示意圖

圖1.4化學機械拋光加工過程示意圖

圖1.4化學機械拋光加工過程示意圖表面材料去除的加工方法相加工(PlasmaChemicalVaporMach加工技術(shù)是通過樣品表面原子在高能會從工件表面濺射出來,從而使工件生體化學氣相加工拋光原理圖。在利用P等離子體發(fā)生裝置中通入特殊的具有強腐蝕性氣體發(fā)生電離產(chǎn)生大....


圖1.5等離子體拋光設(shè)備原理圖

圖1.5等離子體拋光設(shè)備原理圖

圖1.4化學機械拋光加工過程示意圖應對表面材料去除的加工方法氣相加工(PlasmaChemicalVaporMachinin相加工技術(shù)是通過樣品表面原子在高能離物會從工件表面濺射出來,從而使工件生成子體化學氣相加工拋光原理圖。在利用PCV往等離子體發(fā)生裝置中通入特殊的....



本文編號:4012396

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