受限于淺能級摻雜技術(shù)瓶頸,采用摻雜技術(shù)制備的金剛石器件仍未能發(fā)揮出金剛石材料特性所決定的應(yīng)有性能水平,金剛石豐富的表面終端成為了金剛石器件技術(shù)可選的技術(shù)方案。氫終端作為FET導(dǎo)電溝道,展現(xiàn)出了優(yōu)異的高頻特性。但氫終端不適合作為MIP功率二極管的界面接觸技術(shù)方案,氫終端與Al,Ti,Ni,Au和Pd等金屬形成的勢壘高度都小于0.6e V,會造成整流比小,反向電流大,容易擊穿的器件劣勢性能,而且氫終端器件熱穩(wěn)定性差。氧終端與金屬接觸形成的勢壘高度是氫終端情形下的2～3倍,比氫終端更能夠承受反向高壓,而且氧終端可在400°C的高溫下穩(wěn)定工作。因此,金屬與氧終端肖特基結(jié)技術(shù)是MIP功率二極管的主流技術(shù)。目前,氧終端接觸特性研究都是基于摻硼金剛石與金屬的接觸,很少研究氧終端IIa型金剛石與金屬接觸特性。然而,MIP功率二極管、光導(dǎo)型日盲紫外探測器中的肖特基結(jié)又是金屬與IIa型金剛石接觸所形成,因此非常需要深入研究金屬與氧終端IIa型金剛石接觸特性。本文針對MIP功率二極管、光導(dǎo)型日盲紫外探測器及其它金剛石基肖特基結(jié)應(yīng)用技術(shù)對金屬與氧終端IIa型金剛石接觸特性理論數(shù)據(jù)需求,對氧終端IIa型金剛石表...

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【部分圖文】：

圖1-1金剛石表面懸掛狀態(tài)及對應(yīng)的表面能帶示意圖[8]

第1章緒論-3-1.2金剛石表面和金屬金剛石界面金剛石表面可以懸掛H、O、F、Cl、OH等各種終端，表現(xiàn)出不同的特性，特別是對親和能的改變。親和能定義為導(dǎo)帶底與真空能級之間的能量差。=VACCBMEE(1-1)式中χ——電子親合能（eV）；EVAC——真空能級，在該能級處電子完全....

圖1-21000K退火溫度下，電子親和能χ（實(shí)心方框）與退火時(shí)間的關(guān)系[9]

哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位論文-4-一階脫附能量為假設(shè)擬合的親和能,實(shí)線上標(biāo)注的十字符號表示從NEA轉(zhuǎn)變?yōu)镻EA[9]。這是因?yàn)殡S著退火時(shí)間的延長，金剛石表面由完全氫原子覆蓋到無氫表面轉(zhuǎn)變。表1-2（100）、（111）晶面不同終端電子親和能[8]Table1Electronaf....

圖1-3氧覆蓋率、電子親合能與退火溫度的關(guān)系[10]

第1章緒論-5-著空穴濃度的增加而降低。圖1-3氧覆蓋率、電子親合能與退火溫度的關(guān)系[10]Fig.1-3Oxygencoverage,electronaffinityasafunctionofannealingtemperature[10]圖1-4室溫下空穴遷移率和空穴濃度的關(guān)....

圖1-4室溫下空穴遷移率和空穴濃度的關(guān)系[17]

第1章緒論-5-著空穴濃度的增加而降低。圖1-3氧覆蓋率、電子親合能與退火溫度的關(guān)系[10]Fig.1-3Oxygencoverage,electronaffinityasafunctionofannealingtemperature[10]圖1-4室溫下空穴遷移率和空穴濃度的關(guān)....

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