鈦酸鍶晶界層陶瓷電容器介電常數(shù)高,高頻特性好、耐壓高,具有優(yōu)良的電容特性和微波特性,廣泛應用于微波通訊線路、振蕩電路、定時或延時電路、耦合電路、平衡濾波電路、抑制高頻噪聲電路、射頻旁路以及微波集成電路中,適合微組裝的鍵合工藝,在很多應用中是難以替代的。但該產(chǎn)品目前存在某些服役可靠性問題,長期工作下會產(chǎn)生對可靠性不利的電性能劣化。因此研究其老化試驗下的性能變化特征,對提高其可靠性具有重要的意義。本論文采用兩步燒結(jié)法制備SrTiO₃晶界層陶瓷電容器,比較了SrTiO₃半導陶瓷基片與SrTiO₃晶界層陶瓷基片的性能差異。SrTiO₃半導陶瓷基片涂覆氧化鉍于空氣中氧化后密度提高,電阻率提升超過8個數(shù)量級,頻率-電容特性變得穩(wěn)定。Bi僅存在于晶界區(qū)域。論文研究了直流偏壓電場對SrTiO₃晶界層陶瓷電容器電性能的退化影響。隨著在直流偏壓下老化時間的延長,電阻率呈現(xiàn)持續(xù)降低的趨勢,并且電阻率退化行為存在著方向性。測量電場方向與老化電場方向一致(正測)時測得電阻率降低幅度小于測量電場方向與老化...

【文章頁數(shù)】：76 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 電容器的基本概念
        1.1.1 電容器的基本功能及分類
        1.1.2 多層陶瓷電容器
        1.1.3 SrTiO₃ 基晶界層陶瓷電容器
    1.2 SrTiO₃ 晶界層陶瓷電容器的制備方法
    1.3 晶界缺陷
    1.4 本課題的研究意義及內(nèi)容
        1.4.1 研究意義
        1.4.2 研究內(nèi)容
第二章 實驗原料、儀器設(shè)備與測試方法
    2.1 實驗原料
    2.2 儀器與設(shè)備
    2.3 實驗方法
    2.4 測試與表征
        2.4.1 X射線衍射分析
        2.4.2 掃描電鏡和能譜分析
        2.4.3 掃描微波阻抗顯微鏡分析
        2.4.4 透射電子顯微鏡分析
        2.4.5 電子能量損失譜
        2.4.6 聚焦離子束
第三章 SrTiO₃ 晶界層陶瓷電容器的制備
    3.1 引言
    3.2 實驗
    3.3 實驗結(jié)果與討論
        3.3.1 SrTiO₃ 的合成
        3.3.2 半導化燒成
        3.3.3 晶界氧化
    3.4 本章小結(jié)
第四章 直流偏壓電性能退化研究
    4.1 引言
    4.2 實驗
    4.3 實驗結(jié)果與討論
        4.3.1 XRD物相分析
        4.3.2 C-V-f曲線變化
        4.3.3 電阻率測試
        4.3.4 微波阻抗測試
    4.5 本章小結(jié)
第五章 晶界層結(jié)構(gòu)分析
    5.1 引言
    5.2 實驗
    5.3 實驗結(jié)果
        5.3.1 HRTEM分析
        5.3.2 HAADF成像分析
        5.3.3 EDS分析
        5.3.4 EELS分析
    5.4 本章小結(jié)
結(jié)論
不足與展望
參考文獻
攻讀碩士學位期間取得的研究成果
致謝
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本文編號：3737359