硒化鉬（MoSe₂）是一種層狀結(jié)構(gòu)的過渡金屬硫化物材料,容易剝離形成單層或者多層的MoSe₂二維材料,因其光吸收強(qiáng)、光電轉(zhuǎn)換效率高等特點(diǎn)可用于制備晶體管、光伏器件等相關(guān)器件。此外,硒化鉬還可以和石墨烯和其它過渡金屬硫化物材料構(gòu)成范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)。該類異質(zhì)結(jié)光電增益高、響應(yīng)范圍大等特點(diǎn),可用于制備新型太陽能電池,光探測器以及光電存儲(chǔ)器等相關(guān)器件。本文主要制備了石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)和MoS₂/MoSe₂異質(zhì)結(jié),研究了生長條件和摻雜對異質(zhì)結(jié)光電性能的影響,為制備硒化鉬異質(zhì)結(jié)光電子器件提供實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。1.石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)制備與光電特性研究。采用化學(xué)氣相沉積法,以甲烷、硒化鉬粉配置MoSe₂的飽和溶液為原料,由氬氣攜帶MoSe₂蒸汽分子在硅襯底上生長MoSe₂薄膜,再通以甲烷在其上生長石墨烯薄膜,甲烷在高溫下分解在硒化鉬薄膜表面沉積形成石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)。利用原子力顯微鏡和X-射線衍射儀表征薄膜和異質(zhì)結(jié)的表面形貌和晶體結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)利用該方法制... 

【文章頁數(shù)】：57 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 硒化鉬的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
    1.3 硒化鉬的制備方法
        1.3.1 液相剝離法
        1.3.2 化學(xué)氣相沉積法
        1.3.3 熱絲化學(xué)氣相沉積法
    1.4 硒化鉬相關(guān)異質(zhì)結(jié)的應(yīng)用
        1.4.1 超級電容器
        1.4.2 光催化應(yīng)用
    1.5 論文的主要內(nèi)容
第二章 硒化鉬相關(guān)異質(zhì)結(jié)的制備及表征
    2.1 實(shí)驗(yàn)方法
        2.1.1 主要試劑
        2.1.2 主要實(shí)驗(yàn)儀器
        2.1.3 實(shí)驗(yàn)步驟
    2.2 硒化鉬相關(guān)異質(zhì)結(jié)的制備
        2.2.1 石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)的制備
        2.2.2 摻雜銀的石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)的制備
        2.2.3 MoS_2/MoSe_2 異質(zhì)結(jié)的制備
    2.3 表征方法
第三章 石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)的光電特性研究
    3.1 溫度對薄膜以及異質(zhì)結(jié)特性的影響
        3.1.1 溫度對MoSe_2 薄膜和石墨烯薄膜形貌的影響
        3.1.2 溫度對MoSe_2 薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響
        3.1.3 溫度對石墨烯薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響
        3.1.4 溫度對石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)光學(xué)特性的影響
        3.1.5 溫度對異質(zhì)結(jié)的光電特性的影響
    3.2 時(shí)間對薄膜以及異質(zhì)結(jié)特性的影響
        3.2.1 時(shí)間對MoSe_2 薄膜和石墨烯薄膜形貌的影響
        3.2.2 時(shí)間對MoSe_2 薄膜的晶體結(jié)構(gòu)影響
        3.2.3 時(shí)間對石墨烯薄膜的晶體結(jié)構(gòu)的影響
        3.2.4 時(shí)間對石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)的光學(xué)特性的影響
        3.2.5 時(shí)間對石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)的I-V特性的影響
    3.3 本章小結(jié)
第四章 銀摻雜對石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)光電特性的影響
    4.1 反應(yīng)條件對摻雜銀的石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)的影響
        4.1.1 反應(yīng)條件對摻雜銀MoSe_2 薄膜形貌的影響
        4.1.2 反應(yīng)條件對摻雜銀MoSe_2 薄膜結(jié)構(gòu)的影響
        4.1.3 反應(yīng)條件對摻雜銀的異質(zhì)結(jié)光學(xué)特性的影響
        4.1.4 反應(yīng)條件對摻雜銀的異質(zhì)結(jié)I-V特性的影響
    4.2 銀摻雜對異質(zhì)結(jié)特性的影響
        4.2.1 銀摻雜對MoSe_2 薄膜表面形貌的影響
        4.2.2 銀摻雜對MoSe_2 薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響
        4.2.3 銀摻雜對異質(zhì)結(jié)光學(xué)特性的影響
        4.2.4 銀摻雜對異質(zhì)結(jié)I-V特性的影響
    4.3 本章小結(jié)
第五章 MoS_2/MoSe2 異質(zhì)結(jié)的光電特性研究
    5.1 反應(yīng)條件對MoS_2 薄膜以及異質(zhì)結(jié)特性的影響
        5.1.1 溫度對MoS_2 薄膜表面形貌的影響
        5.1.2 溫度對MoS_2 薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響
        5.1.3 溫度對MoS_2/MoSe_2 異質(zhì)結(jié)光學(xué)特性的影響
        5.1.4 溫度對MoS_2/MoSe_2 異質(zhì)結(jié)光照下I-V特性的影響
    5.2 MoS_2/MoSe2 異質(zhì)結(jié)與石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)特性對比
        5.2.1 MoS_2/MoSe_2 異質(zhì)結(jié)與石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)光學(xué)特性對比
        5.2.2 MoS_2/MoSe_2 異質(zhì)結(jié)與石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)光照時(shí)的I-V特性對比
    5.3 本章小結(jié)
總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
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本文編號：3714723