本文利用快速熱處理（Rapid thermal processing,RTP）技術(shù)及低—高常規(guī)熱處理工藝,對(duì)硼摻雜單晶硅中的微缺陷進(jìn)行了系統(tǒng)研究。重點(diǎn)探討了輕摻硼和重?fù)脚鹬崩–Z）單晶硅在Ar、O₂氣氛中進(jìn)行單步或兩步RTP及后續(xù)低—高熱處理工藝后,單晶硅體內(nèi)微缺陷（BMD）和近表面有源區(qū)潔凈區(qū)（DZ）的形成情況。同時(shí)對(duì)表面有原生微缺陷的硼摻雜單晶硅進(jìn)行快速熱處理（RTP）研究,進(jìn)一步分析了RTP技術(shù)對(duì)單晶硅中微缺陷的調(diào)控作用和近表面潔凈區(qū)（DZ）形成的促進(jìn)作用。通過在Ar氣氛和O₂氣氛中進(jìn)行單步RTP及低—高熱處理,研究了RTP退火氣氛、退火時(shí)間及降溫速率對(duì)硼摻雜單晶硅中BMD和DZ形成的影響。在Ar氣氛中,研究發(fā)現(xiàn)隨著RTP時(shí)間的增加輕摻硼單晶硅BMD密度和DZ寬度均增加,隨著RTP降溫速率的增大,BMD密度增加,DZ寬度減小;而重?fù)脚饐尉Ч桦S著RTP時(shí)間的增加BMD密度增加,無(wú)DZ出現(xiàn),隨著RTP降溫速率的增大,BMD密度在下降,同樣無(wú)DZ出現(xiàn)。在O₂氣氛中,發(fā)現(xiàn)隨著RTP時(shí)間的延長(zhǎng),輕摻和重?fù)脚饐尉Ч柚蠦MD密... 

【文章來(lái)源】：鄭州大學(xué)河南省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：79 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

硅中的受主雜質(zhì)硼

圖 1.2 硼濃度與硅片硬度的關(guān)系單晶硅中的氧及氧沉淀雜單晶硅中氧的來(lái)源單晶硅生長(zhǎng)過程中不可避免而引入的雜質(zhì)，它主要來(lái)自于隙氧的形式存在于硅單晶中，其濃度在 1017-1018atom/cm3的過程中將會(huì)發(fā)生以下化學(xué)反應(yīng)：Si SiO2SiO2 流的作用，大部分的 SiO 將會(huì)從硅熔體的表面揮發(fā)出去，帶走，只有一少部分的 SiO 在高溫下分解而融入到硅晶體SiO Si O晶體中的氧原子，為了達(dá)到其穩(wěn)定的狀態(tài)，就會(huì)和其最近個(gè)共價(jià)鍵，成為非線性的 Si-O-Si 分子。雖然只有一少部

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本文編號(hào)：3591616