鉬、鈷基硫族化合物的制備及其電催化性能研究
發(fā)布時間:2022-01-06 04:51
氫氣是一種可持續(xù)清潔能源,轉(zhuǎn)變?yōu)橐詺淠転橹饕茉吹娜蚰茉唇Y(jié)構(gòu)是解決能源危機(jī)的有效途徑。電解水制氫是目前環(huán)?沙掷m(xù)的制氫方式,但是電解過程中會出現(xiàn)很高的析氫過電勢,導(dǎo)致能耗嚴(yán)重。催化劑是降低析氫過電勢的有效方法,目前已經(jīng)商用的催化劑大多為Pt系貴金屬,但是其價格昂貴,儲量有限,因此以過渡金屬硫族化合物(TMDCs)為代表的非貴金屬受到了廣泛的關(guān)注。本論文主要研究了三種TMDCs:MoS2、MoSe2和CoSe2,制備了電催化性能優(yōu)異的非貴金屬催化劑。本論文采用水熱法,以鉬酸鈉為鉬源,以CS2為硫源及軟模板,通過添加硅量子點(SiQDs)成功制備了SiQDs-MoS2,通過XRD、SEM、Raman以及XPS等測試表征方法,探究了硅量子點對產(chǎn)物形貌、結(jié)構(gòu)以及相態(tài)等的影響。結(jié)果表明,以CS2為軟模板,在SiQDs輔助調(diào)控下制備出了三維網(wǎng)狀的MoS2。硅量子點的加入使得介孔出現(xiàn)并且促進(jìn)MoS2中2H相部分轉(zhuǎn)變?yōu)?T相,...
【文章來源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:92 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
多種催化劑的交換電流密度與氫吉布斯自由能之間的火山關(guān)系圖
能器件以及傳感器時面臨了很多關(guān)鍵的障礙,比如導(dǎo)電性差,團(tuán)聚現(xiàn)象嚴(yán)重面積小等等,針對這些缺陷,必須對其進(jìn)行改性以推動其實際應(yīng)用。.3.1 MoS2的簡介二硫化鉬可以提取自輝鉬礦,一般為黑色的固體粉末,散發(fā)金屬光澤,化學(xué)oS2,二硫化物(MoS2)是過渡金屬硫族化合物中研究最廣泛的一種,展現(xiàn)了金屬硫族化合物的特有性質(zhì)。它具有分層結(jié)構(gòu),能夠從 1.2 eV 的間接帶隙提 1.9eV 的直接帶隙。MoS2屬于典型的二維過渡金屬硫族化合物,單層的二硫是三明治夾心結(jié)構(gòu),其中鉬原子層在中間,上下兩層為硫原子層,單層中的硫和鉬原子之間以共價鍵方式鍵合,層和層之間是微弱的分子間作用力。層和層微弱的分子間作用力,致使其能像石墨一樣發(fā)生層之間的滑移,在航空航天等廣泛的用作潤滑劑[22, 23]。如圖 1-2 所示,MoS2具有豐富的結(jié)構(gòu),具有 1T、2H 三種不同的結(jié)構(gòu)類型。首個數(shù)字代表層數(shù),之后的字母代表晶體結(jié)構(gòu)。其中示三角體,H 表示六邊形,R 表示菱形結(jié)構(gòu)。此外,一種假設(shè)的四方 2T 結(jié)構(gòu)報道[24]。
為典型的是化學(xué)剝離,克服了機(jī)械剝離中存在的低產(chǎn)量問題。由于物術(shù)的進(jìn)步,它引起了人們極大的興趣。主要包含了兩種基本方法,一離法,另一種是溶劑型剝離法。離子插層法包括兩個步驟,首先是引,如鋰,插入到 MoS2層的間隙中,使其變寬。第二步,插入薄片的反應(yīng)釋放氫氣,進(jìn)而分離了 MoS2層,形成了單層,均勻分散在剝離溶用有機(jī)溶劑,經(jīng)過輕微的加熱,可以獲得更好的結(jié)果,所獲得的產(chǎn)物oS2。該工藝的缺點是反應(yīng)時間長,插層過程缺乏控制。插層時間的減降低,并且 MoS2易分解成 Li2S。除此之外,插層方式被證明能夠促體)相向 1T-MoS2(八面體,金屬)的轉(zhuǎn)化,與電子應(yīng)用和研究的形化學(xué)法屬于另一類離子插層剝離方法,MoS2充當(dāng)陰極,以鋰箔充當(dāng)電壓和放電量的控制可以更好地控制整個插層過程。溶劑型剝離an 法[27]。采用降低層分離能量的原理,在異丙醇、NMP 等有機(jī)溶劑硫化鉬,之后使用超聲剝離。這樣導(dǎo)致了二維 MoS2薄片懸浮在有機(jī)溶學(xué)、振動和生物傳感等都十分有用。這種方法也被用于保存 2H Mo這些懸浮液與微流體系統(tǒng)特別兼容。
本文編號:3571768
【文章來源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:92 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
多種催化劑的交換電流密度與氫吉布斯自由能之間的火山關(guān)系圖
能器件以及傳感器時面臨了很多關(guān)鍵的障礙,比如導(dǎo)電性差,團(tuán)聚現(xiàn)象嚴(yán)重面積小等等,針對這些缺陷,必須對其進(jìn)行改性以推動其實際應(yīng)用。.3.1 MoS2的簡介二硫化鉬可以提取自輝鉬礦,一般為黑色的固體粉末,散發(fā)金屬光澤,化學(xué)oS2,二硫化物(MoS2)是過渡金屬硫族化合物中研究最廣泛的一種,展現(xiàn)了金屬硫族化合物的特有性質(zhì)。它具有分層結(jié)構(gòu),能夠從 1.2 eV 的間接帶隙提 1.9eV 的直接帶隙。MoS2屬于典型的二維過渡金屬硫族化合物,單層的二硫是三明治夾心結(jié)構(gòu),其中鉬原子層在中間,上下兩層為硫原子層,單層中的硫和鉬原子之間以共價鍵方式鍵合,層和層之間是微弱的分子間作用力。層和層微弱的分子間作用力,致使其能像石墨一樣發(fā)生層之間的滑移,在航空航天等廣泛的用作潤滑劑[22, 23]。如圖 1-2 所示,MoS2具有豐富的結(jié)構(gòu),具有 1T、2H 三種不同的結(jié)構(gòu)類型。首個數(shù)字代表層數(shù),之后的字母代表晶體結(jié)構(gòu)。其中示三角體,H 表示六邊形,R 表示菱形結(jié)構(gòu)。此外,一種假設(shè)的四方 2T 結(jié)構(gòu)報道[24]。
為典型的是化學(xué)剝離,克服了機(jī)械剝離中存在的低產(chǎn)量問題。由于物術(shù)的進(jìn)步,它引起了人們極大的興趣。主要包含了兩種基本方法,一離法,另一種是溶劑型剝離法。離子插層法包括兩個步驟,首先是引,如鋰,插入到 MoS2層的間隙中,使其變寬。第二步,插入薄片的反應(yīng)釋放氫氣,進(jìn)而分離了 MoS2層,形成了單層,均勻分散在剝離溶用有機(jī)溶劑,經(jīng)過輕微的加熱,可以獲得更好的結(jié)果,所獲得的產(chǎn)物oS2。該工藝的缺點是反應(yīng)時間長,插層過程缺乏控制。插層時間的減降低,并且 MoS2易分解成 Li2S。除此之外,插層方式被證明能夠促體)相向 1T-MoS2(八面體,金屬)的轉(zhuǎn)化,與電子應(yīng)用和研究的形化學(xué)法屬于另一類離子插層剝離方法,MoS2充當(dāng)陰極,以鋰箔充當(dāng)電壓和放電量的控制可以更好地控制整個插層過程。溶劑型剝離an 法[27]。采用降低層分離能量的原理,在異丙醇、NMP 等有機(jī)溶劑硫化鉬,之后使用超聲剝離。這樣導(dǎo)致了二維 MoS2薄片懸浮在有機(jī)溶學(xué)、振動和生物傳感等都十分有用。這種方法也被用于保存 2H Mo這些懸浮液與微流體系統(tǒng)特別兼容。
本文編號:3571768
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