B 2 O 3 -P 2 O 5 -SiO 2 基微波介質(zhì)陶瓷的制備與性能研究
發(fā)布時(shí)間：2021-12-29 21:43
氧化硅基微波介質(zhì)陶瓷介電性能優(yōu)良,但因其燒結(jié)溫度高及燒結(jié)過(guò)程中的相轉(zhuǎn)變難以控制引起陶瓷內(nèi)部微裂紋等缺點(diǎn)限制了氧化硅基陶瓷的使用。B2O3-P2O5-SiO2（BPS）基微波介質(zhì)陶瓷以氧化硅為原料,B2O3-P2O5助燒并以BPO4晶相形式析出增強(qiáng)陶瓷基體,具有低燒結(jié)溫度,較低的介電常數(shù)（er）,和低介電損耗等優(yōu)點(diǎn)因此作為微波介質(zhì)基板材料有廣闊的應(yīng)用前景。以SiO2,H3BO3,NH4H2PO4為原料采用固相燒結(jié)法制備BPS基微波介質(zhì)陶瓷,通過(guò)DSC-TG曲線系統(tǒng)的研究了預(yù)燒溫度、升溫速率、保溫時(shí)間對(duì)預(yù)燒坯體的影響,制定了合適的預(yù)燒工藝。并研究了不同SiO2原料以及BPS原料成分比例及燒結(jié)溫度對(duì)BP...
【文章來(lái)源】：南京航空航天大學(xué)江蘇省 211工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】：89 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【部分圖文】：
微波頻段的劃分及其應(yīng)用微波技術(shù)的發(fā)展同時(shí)也依賴于電子電路中介質(zhì)材料的發(fā)展，人們將在微波頻段下工作的電
質(zhì)內(nèi)部的自由電荷正負(fù)電荷互相抵消，宏觀上不顯電衡位置局部偏移，沿電場(chǎng)方向產(chǎn)生偶極矩，使得介質(zhì)極化的介質(zhì)會(huì)在材料表面和材料內(nèi)部不均勻處出現(xiàn)極的能力也不相同，介電常數(shù) r即宏觀上反映介質(zhì)材料極化率的物理量，介質(zhì)極化能力越強(qiáng)，極化率越大，數(shù)越大，反之介電常數(shù)越小。形式多種多樣，大致上分為：電子位移極化、離子位[25-26]。但因材料微觀結(jié)構(gòu)，外界溫度，外電場(chǎng)頻率的，在微波頻段下，極化形式主要為電子位移極化和離間完成的，極化機(jī)制不同響應(yīng)時(shí)間也不同。電子位移外電場(chǎng)下的相對(duì)位移，建立時(shí)間短約為 10-12~10-13s，于偶極子克服勢(shì)壘定向移動(dòng)和正負(fù)間隙離子的定向移，在高頻下極化無(wú)法響應(yīng)。圖 1.2 為介質(zhì)的極化形式與
外電場(chǎng)作用下介質(zhì)征電導(dǎo)損耗機(jī)理
【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]固相反應(yīng)合成磷酸硼工藝研究[J]. 李海昆,曾波,楊學(xué)芬,任思宇. 無(wú)機(jī)鹽工業(yè). 2014(01)
[2]硼硅酸鹽玻璃中減少B2O3揮發(fā)的工藝研究[J]. 劉小青,何峰,房玉,喬勇. 武漢理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2013(05)
[3]復(fù)合燒結(jié)助劑對(duì)CSLST微波介質(zhì)陶瓷的性能影響[J]. 李月明,金云海,沈宗洋,王竹梅,洪燕,汪啟軒. 人工晶體學(xué)報(bào). 2012(05)
[4]α-石英方石英轉(zhuǎn)變的研究[J]. 吳新正,鄧湘,李建保,陳潤(rùn)六,朱素娟. 材料工程. 2009(S2)
[5]CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃LTCC基板的燒結(jié)性能研究[J]. 干林杰,張樹(shù)人,周曉華,胡鑒耿,王中儉. 材料導(dǎo)報(bào). 2008(S3)
[6]水熱法制備Ba6-3xNd8+2xTi18O54微波介質(zhì)陶瓷[J]. 王輝,徐建梅,蘇言杰,龔文強(qiáng). 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2007(02)
[7]燒結(jié)助劑對(duì)BiNbO4陶瓷燒結(jié)特性及介電性能的影響[J]. 張啟龍,楊輝,魏文霖,鄒佳麗,尤源. 電子元件與材料. 2004(02)
[8]B2O3-P2O5-SiO2系陶瓷的相組成和介電性能[J]. 吳堅(jiān)強(qiáng),寧武成,胡伯文,王群. 中國(guó)陶瓷. 2003(03)
[9]低溫?zé)Y(jié)微波介質(zhì)陶瓷[J]. 趙梅瑜,王依琳. 電子元件與材料. 2002(02)
[10]固相法制備低溫?zé)Y(jié)B2O3-P2O5-SiO2系低介陶瓷材料[J]. 李勃,岳振星,周濟(jì),桂治輪,李龍土. 無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào). 2001(05)
博士論文
[1]超低損耗AB（Nb,Ta）2O8型微波介質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)與性能的研究[D]. 廖擎瑋.天津大學(xué) 2012
[2]ZnAl2O4基低介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的結(jié)構(gòu)與性能[D]. 雷文.華中科技大學(xué) 2008
碩士論文
[1]LiMgPO4基低介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的制備及性能研究[D]. 程鵬.南京航空航天大學(xué) 2014
[2]Al2O3-TiO2系低介微波介質(zhì)陶瓷的研究[D]. 葉珣.華中科技大學(xué) 2007
[3]BaO-TiO2體系微波介質(zhì)陶瓷粉體制備及表征[D]. 王偉.浙江大學(xué) 2006
[4]SiO2基多孔陶瓷的制備及其性能表征的研究[D]. 資文華.昆明理工大學(xué) 2004
本文編號(hào)：3556911
【文章來(lái)源】：南京航空航天大學(xué)江蘇省 211工程院校
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【部分圖文】：
微波頻段的劃分及其應(yīng)用微波技術(shù)的發(fā)展同時(shí)也依賴于電子電路中介質(zhì)材料的發(fā)展，人們將在微波頻段下工作的電
質(zhì)內(nèi)部的自由電荷正負(fù)電荷互相抵消，宏觀上不顯電衡位置局部偏移，沿電場(chǎng)方向產(chǎn)生偶極矩，使得介質(zhì)極化的介質(zhì)會(huì)在材料表面和材料內(nèi)部不均勻處出現(xiàn)極的能力也不相同，介電常數(shù) r即宏觀上反映介質(zhì)材料極化率的物理量，介質(zhì)極化能力越強(qiáng)，極化率越大，數(shù)越大，反之介電常數(shù)越小。形式多種多樣，大致上分為：電子位移極化、離子位[25-26]。但因材料微觀結(jié)構(gòu)，外界溫度，外電場(chǎng)頻率的，在微波頻段下，極化形式主要為電子位移極化和離間完成的，極化機(jī)制不同響應(yīng)時(shí)間也不同。電子位移外電場(chǎng)下的相對(duì)位移，建立時(shí)間短約為 10-12~10-13s，于偶極子克服勢(shì)壘定向移動(dòng)和正負(fù)間隙離子的定向移，在高頻下極化無(wú)法響應(yīng)。圖 1.2 為介質(zhì)的極化形式與
外電場(chǎng)作用下介質(zhì)征電導(dǎo)損耗機(jī)理
【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]固相反應(yīng)合成磷酸硼工藝研究[J]. 李海昆,曾波,楊學(xué)芬,任思宇. 無(wú)機(jī)鹽工業(yè). 2014(01)
[2]硼硅酸鹽玻璃中減少B2O3揮發(fā)的工藝研究[J]. 劉小青,何峰,房玉,喬勇. 武漢理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2013(05)
[3]復(fù)合燒結(jié)助劑對(duì)CSLST微波介質(zhì)陶瓷的性能影響[J]. 李月明,金云海,沈宗洋,王竹梅,洪燕,汪啟軒. 人工晶體學(xué)報(bào). 2012(05)
[4]α-石英方石英轉(zhuǎn)變的研究[J]. 吳新正,鄧湘,李建保,陳潤(rùn)六,朱素娟. 材料工程. 2009(S2)
[5]CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃LTCC基板的燒結(jié)性能研究[J]. 干林杰,張樹(shù)人,周曉華,胡鑒耿,王中儉. 材料導(dǎo)報(bào). 2008(S3)
[6]水熱法制備Ba6-3xNd8+2xTi18O54微波介質(zhì)陶瓷[J]. 王輝,徐建梅,蘇言杰,龔文強(qiáng). 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2007(02)
[7]燒結(jié)助劑對(duì)BiNbO4陶瓷燒結(jié)特性及介電性能的影響[J]. 張啟龍,楊輝,魏文霖,鄒佳麗,尤源. 電子元件與材料. 2004(02)
[8]B2O3-P2O5-SiO2系陶瓷的相組成和介電性能[J]. 吳堅(jiān)強(qiáng),寧武成,胡伯文,王群. 中國(guó)陶瓷. 2003(03)
[9]低溫?zé)Y(jié)微波介質(zhì)陶瓷[J]. 趙梅瑜,王依琳. 電子元件與材料. 2002(02)
[10]固相法制備低溫?zé)Y(jié)B2O3-P2O5-SiO2系低介陶瓷材料[J]. 李勃,岳振星,周濟(jì),桂治輪,李龍土. 無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào). 2001(05)
博士論文
[1]超低損耗AB（Nb,Ta）2O8型微波介質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)與性能的研究[D]. 廖擎瑋.天津大學(xué) 2012
[2]ZnAl2O4基低介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的結(jié)構(gòu)與性能[D]. 雷文.華中科技大學(xué) 2008
碩士論文
[1]LiMgPO4基低介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的制備及性能研究[D]. 程鵬.南京航空航天大學(xué) 2014
[2]Al2O3-TiO2系低介微波介質(zhì)陶瓷的研究[D]. 葉珣.華中科技大學(xué) 2007
[3]BaO-TiO2體系微波介質(zhì)陶瓷粉體制備及表征[D]. 王偉.浙江大學(xué) 2006
[4]SiO2基多孔陶瓷的制備及其性能表征的研究[D]. 資文華.昆明理工大學(xué) 2004
本文編號(hào)：3556911
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