氧化硅基微波介質陶瓷介電性能優(yōu)良,但因其燒結溫度高及燒結過程中的相轉變難以控制引起陶瓷內部微裂紋等缺點限制了氧化硅基陶瓷的使用。B₂O₃-P₂O₅-SiO₂（BPS）基微波介質陶瓷以氧化硅為原料,B₂O₃-P₂O₅助燒并以BPO₄晶相形式析出增強陶瓷基體,具有低燒結溫度,較低的介電常數(shù)（e_r）,和低介電損耗等優(yōu)點因此作為微波介質基板材料有廣闊的應用前景。以SiO₂,H₃BO₃,NH₄H₂PO₄為原料采用固相燒結法制備BPS基微波介質陶瓷,通過DSC-TG曲線系統(tǒng)的研究了預燒溫度、升溫速率、保溫時間對預燒坯體的影響,制定了合適的預燒工藝。并研究了不同SiO₂原料以及BPS原料成分比例及燒結溫度對BP... 

【文章來源】：南京航空航天大學江蘇省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：89 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

微波頻段的劃分及其應用微波技術的發(fā)展同時也依賴于電子電路中介質材料的發(fā)展，人們將在微波頻段下工作的電

質內部的自由電荷正負電荷互相抵消，宏觀上不顯電衡位置局部偏移，沿電場方向產(chǎn)生偶極矩，使得介質極化的介質會在材料表面和材料內部不均勻處出現(xiàn)極的能力也不相同，介電常數(shù) r即宏觀上反映介質材料極化率的物理量，介質極化能力越強，極化率越大，數(shù)越大，反之介電常數(shù)越小。形式多種多樣，大致上分為：電子位移極化、離子位[25-26]。但因材料微觀結構，外界溫度，外電場頻率的，在微波頻段下，極化形式主要為電子位移極化和離間完成的，極化機制不同響應時間也不同。電子位移外電場下的相對位移，建立時間短約為 10-12~10-13s，于偶極子克服勢壘定向移動和正負間隙離子的定向移，在高頻下極化無法響應。圖 1.2 為介質的極化形式與

外電場作用下介質征電導損耗機理

【參考文獻】：
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本文編號：3556911