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過共晶Al-Si合金電磁分離過程中的晶體生長(zhǎng)行為及雜質(zhì)分凝規(guī)律

發(fā)布時(shí)間:2021-12-10 03:49
  目前,化學(xué)法是制備太陽(yáng)能級(jí)硅的主要方法,但成本和能耗較高,難以滿足光伏行業(yè)的健康快速發(fā)展。開發(fā)低成本、低能耗的太陽(yáng)能級(jí)硅制備工藝是光伏產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的必由之路。Al-Si合金精煉法提純太陽(yáng)能級(jí)硅具有成本低、能耗低、環(huán)境友好等優(yōu)勢(shì),已成為當(dāng)前硅提純領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。但傳統(tǒng)的凝固技術(shù)難以有效分離合金中的初晶硅,導(dǎo)致熔劑金屬Al的回收利用情況不理想。此外Al-Si合金凝固過程中金屬雜質(zhì)的分布特征和分凝行為目前尚缺乏系統(tǒng)的研究,亟需開展進(jìn)一步的深入探索。針對(duì)目前Al-Si合金提純硅存在的問題,本文采用實(shí)驗(yàn)研究與理論分析相結(jié)合的手段,對(duì)初晶硅的生長(zhǎng)行為、分離機(jī)理和金屬雜質(zhì)的去除規(guī)律進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。得到如下主要結(jié)論:(1)采用高溫界面實(shí)時(shí)探測(cè)技術(shù)獲得了固-液界面的遷移速度,建立了固-液界面高度與Al-Si合金下拉距離之間的關(guān)系。結(jié)果表明,隨著硅含量的增加或下拉速率的增大,初晶硅富集區(qū)高度增加、初晶硅平均生長(zhǎng)速率增大。(2)由初晶硅的形貌分析可知,當(dāng)Al-45 wt%Si、Al-55 wt%Si和Al-65 wt%Si合金在拉速為5μm/s的條件下凝固時(shí),初晶硅富集區(qū)中硅晶體為塊狀、胞狀、和胞狀枝晶... 

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【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

過共晶Al-Si合金電磁分離過程中的晶體生長(zhǎng)行為及雜質(zhì)分凝規(guī)律


世界能源結(jié)構(gòu)發(fā)展趨勢(shì)

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圖 1.2 改良西門子法工藝流程圖[15]Fig. 1.2 The flow chart of Modified Siemens 硅烷法硅烷實(shí)際上是甲硅烷,硅烷法主要是精餾提純中間產(chǎn)物硅烷,然后通過熱制備高純多晶硅。生產(chǎn)過程由硅烷的制備、硅烷的提純和硅烷的熱分解組成圖 1.3 所示。該方法可在 800~900℃下分解得到超高純硅,分解溫度較低。H4制備過程中,金屬雜質(zhì)一般很難生成揮發(fā)性的金屬氫化物氣體,可有效避屬雜質(zhì)對(duì)中間化合物的污染,硅烷中的雜質(zhì)主要為 B 和 P 等非金屬。但由于屬于易燃易爆氣體,不易保存和運(yùn)輸,因此該方法的安全風(fēng)險(xiǎn)較高。

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圖 1.2 改良西門子法工藝流程圖[15]Fig. 1.2 The flow chart of Modified Siemens② 硅烷法硅烷實(shí)際上是甲硅烷,硅烷法主要是精餾提純中間產(chǎn)物硅烷,然后通過解制備高純多晶硅。生產(chǎn)過程由硅烷的制備、硅烷的提純和硅烷的熱分解組如圖 1.3 所示。該方法可在 800~900℃下分解得到超高純硅,分解溫度較低SiH4制備過程中,金屬雜質(zhì)一般很難生成揮發(fā)性的金屬氫化物氣體,可有效金屬雜質(zhì)對(duì)中間化合物的污染,硅烷中的雜質(zhì)主要為 B 和 P 等非金屬。但由烷屬于易燃易爆氣體,不易保存和運(yùn)輸,因此該方法的安全風(fēng)險(xiǎn)較高。

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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[7]2015年中國(guó)能源生產(chǎn)與消費(fèi)現(xiàn)狀[J]. 周慶凡.  石油與天然氣地質(zhì). 2016(04)
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博士論文
[1]Si-Al(-Sn)合金凝固精煉過程中硼雜質(zhì)分凝行為的研究[D]. 李亞瓊.大連理工大學(xué) 2015

碩士論文
[1]電子束熔煉提純冶金級(jí)硅工藝研究[D]. 王強(qiáng).大連理工大學(xué) 2010



本文編號(hào):3531851

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