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小介電常數(shù)小熱膨脹系數(shù)碳化硅陶瓷制備及性能研究

發(fā)布時(shí)間:2021-12-09 16:23
  本文采用無壓液相燒結(jié)法制備以不同配比YOCl、NdOCl、YbOCl分別與金屬氧化物MgO、CaO、Al2O3復(fù)合摻雜的碳化硅復(fù)合陶瓷,并探究不同配比對(duì)碳化硅復(fù)合陶瓷性能的影響,旨在制備出小介電常數(shù)小熱膨脹系數(shù)的碳化硅復(fù)合陶瓷材料。研究發(fā)現(xiàn),稀土氯氧化物及金屬氧化物復(fù)合摻雜對(duì)碳化硅的各項(xiàng)性能有一定程度上的影響,在研究不同配比的YOCl-MgO-Al2O3和NdOCl-MgO-Al2O3復(fù)合摻雜碳化硅陶瓷的影響時(shí),發(fā)現(xiàn)所有樣品晶粒結(jié)構(gòu)較為均勻,晶粒較小,致密性相近。但對(duì)比物相分析結(jié)果發(fā)現(xiàn),摻雜YOCl的試樣在高溫?zé)Y(jié)后形成部分新相,如MgSiO3、YAlO3、SiO2、C、Y4Al2O9。說明燒結(jié)過程中Si C與燒結(jié)助劑YOCl-MgO-Al2O3在高溫條件下發(fā)生了部分反應(yīng),生成相應(yīng)化... 

【文章來源】:伊犁師范大學(xué)新疆維吾爾自治區(qū)

【文章頁數(shù)】:53 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

小介電常數(shù)小熱膨脹系數(shù)碳化硅陶瓷制備及性能研究


小介電常數(shù)小熱膨脹系數(shù)SiC復(fù)合陶瓷制備研究方案

小介電常數(shù)小熱膨脹系數(shù)碳化硅陶瓷制備及性能研究


不同配比YOCl-MgO-Al2O3碳化硅復(fù)合陶瓷樣品的XRD圖譜

小介電常數(shù)小熱膨脹系數(shù)碳化硅陶瓷制備及性能研究


不同配比YOCl-MgO-Al2O3碳化硅復(fù)合陶瓷樣品表面形貌圖

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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[5]無壓燒結(jié)制備SiC基復(fù)合陶瓷材料及管材研究[D]. 唐春柳.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2012
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本文編號(hào):3530931

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