近年來(lái),由于ZnO是一種重要的寬帶系半導(dǎo)體材料,引起了國(guó)內(nèi)外廣大研究者的研究熱點(diǎn)。由于氧化鋅是一種寬禁帶（3.37 eV）和高激子束縛能的半導(dǎo)體材料,因此氧化鋅在光學(xué)和電子領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,例如:發(fā)光二極管（LED）、壓敏電阻、氣體傳感器、光催化劑、透明導(dǎo)電薄膜及太陽(yáng)能電池等方面。研究者們?cè)谘趸\的制備方法上做了大量的研究。本論文基于噴霧裂解法設(shè)計(jì)了一種噴霧裂解設(shè)備,并運(yùn)用噴霧裂解法制備了ZnO粉體以及ZnO壓敏電阻復(fù)合粉體,通過(guò)X射線粉末衍射儀、掃面電子顯微鏡等表征手段研究了前驅(qū)體溶液濃度、第一、第二溫區(qū)裂解溫度對(duì)粉體的結(jié)構(gòu)、形貌、組分等的影響,確定最佳前驅(qū)體溶液濃度和最佳裂解溫度。此外,還將制備的ZnO粉體以及ZnO壓敏電阻復(fù)合粉體制備成氧化鋅壓敏電阻,通過(guò)比較壓敏電阻的性能確定最佳的摻雜濃度。得到結(jié)論如下:（1）設(shè)計(jì)并改進(jìn)了噴霧裂解設(shè)備,對(duì)噴霧裂解設(shè)備的各個(gè)部分做了詳細(xì)的介紹。詳細(xì)介紹了噴霧裂解設(shè)備的使用方法,其中,著重介紹了微霧發(fā)生裝置的組成部分及使用方法。本噴霧裂解設(shè)備有以下優(yōu)點(diǎn):（1）本設(shè)備集多種功能于一體;（2）自動(dòng)化程度高,本設(shè)備操作簡(jiǎn)單,易于控制,對(duì)環(huán)境無(wú)污染;（... 

【文章來(lái)源】：重慶理工大學(xué)重慶市

【文章頁(yè)數(shù)】：85 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

ZnO的纖鋅礦結(jié)構(gòu)

并且由于 ZnO 壓敏電阻器具有優(yōu)異的綜合壓敏性能，從1952年到現(xiàn)在的幾十年間，ZnO 壓敏電阻器的應(yīng)用一直都引起科研學(xué)者的關(guān)注，并且，在電力輸送、雷電防護(hù)和家電設(shè)備等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。如圖1.2[53, 54]和圖1.3[55]為氧化鋅壓敏電阻器應(yīng)用的發(fā)展過(guò)程和應(yīng)用領(lǐng)域。圖 1.2 氧化鋅壓敏電阻器應(yīng)用的發(fā)展過(guò)程Figure 1.2 Evolution of applications of ZnO varistors圖 1.3 ZnO 壓敏陶瓷的應(yīng)用Figure 1.3 Application of ZnO varistor

ZnO壓敏陶瓷的應(yīng)用

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]納米ZnO壓敏陶瓷的制備及性能研究[D]. 閆曉燕.太原理工大學(xué) 2003



本文編號(hào)：3525898