大孔間距PAA模板的制備及納米柱陣列電介質(zhì)電容器的構(gòu)建
發(fā)布時(shí)間:2021-11-28 02:45
多孔陽(yáng)極氧化鋁(Porous Anodic Alumina,PAA)模板被廣泛應(yīng)用于制備納米功能材料。對(duì)于小孔間距PAA模板的制備,其工藝已經(jīng)比較成熟。但大孔間距PAA模板的制備還存在著諸多問(wèn)題,例如陽(yáng)極氧化的電流密度較低,氧化膜生長(zhǎng)速率慢,氧化條件苛刻,反應(yīng)溫度控制要求嚴(yán)格等。本文旨在通過(guò)改變電解液的種類和組成、陽(yáng)極氧化的電壓、時(shí)間、溫度等,以制備規(guī)整有序的大孔間距的PAA,并通過(guò)通孔、擴(kuò)孔得到雙通的大孔徑的PAA模板。以此模板為基礎(chǔ),采用真空熔融壓注法,向PAA模板中注入鋁并形成鋁納米柱陣列。最后,對(duì)得到的鋁納米柱陣列進(jìn)行陽(yáng)極氧化,在其上形成一層致密的氧化鋁電介質(zhì)膜,從而構(gòu)建電介質(zhì)電容器。首先,在磷酸和自行合成的新型電解質(zhì)EG-ADP的水溶液體系、乙二醇溶液體系、水和乙二醇的混合溶液體系中,進(jìn)行陽(yáng)極氧化的對(duì)比實(shí)驗(yàn),確定最佳的電解液體系為EG-ADP的水和乙二醇溶液體系。在該電解液體系中進(jìn)行陽(yáng)極氧化時(shí),在高壓下電流密度非常大,可以接近300 mA cm-2,且可在室溫(25℃)下正常進(jìn)行,也無(wú)需對(duì)鋁箔進(jìn)行拋光,簡(jiǎn)化了大孔間距的PAA膜的制備工藝。其次,通過(guò)改變電...
【文章來(lái)源】:南京理工大學(xué)江蘇省 211工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:71 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
不同結(jié)構(gòu)的PAA膜(a)正六邊形[33];(b)正方形[34];(c)三角形[35]
碩士學(xué)位論文大孔間距PAA模板的制備及納米柱陣列電介質(zhì)電容器的構(gòu)建6PAA膜是由大量平行排列的納米孔道組成,圖1.4為PAA膜的結(jié)構(gòu)示意圖,從圖中可以看出,每個(gè)納米孔道底部都是封閉的半球形的阻擋層,要想實(shí)現(xiàn)雙通的PAA模板,必須將底部鋁基體和阻擋層都腐蝕掉。圖1.4理想結(jié)構(gòu)的PAA膜示意圖腐蝕阻擋層的方法一般分為先剝離PAA膜底部的鋁基體后腐蝕阻擋層和原位腐蝕阻擋層。先剝離PAA膜底部的鋁基體后腐蝕阻擋層多適用于單面陽(yáng)極氧化,而原位腐蝕阻擋層使用于雙面陽(yáng)極氧化。1.2.2.1剝離PAA膜底部的鋁基體后腐蝕阻擋層的方法該法首先要腐蝕掉鋁基體使阻擋層露出來(lái),然后腐蝕阻擋層。腐蝕鋁基體的方法主要有化學(xué)腐蝕法和逆電剝離法等,腐蝕阻擋層的方法有化學(xué)腐蝕法和物理干蝕法等。(1)化學(xué)腐蝕法化學(xué)腐蝕法,顧名思義是利用化學(xué)試劑腐蝕掉鋁基體和阻擋層[44,45]。對(duì)于化學(xué)試劑的選擇,首先腐蝕鋁基體時(shí),由于鋁基體下就是PAA膜的阻擋層,故腐蝕液只能腐蝕鋁基體而不能腐蝕阻擋層,所以此腐蝕液為CuCl2和HCl的混合溶液或者HgCl2溶液。腐蝕阻擋層的腐蝕液多為磷酸溶液。Han等[46]腐蝕鋁基體選擇的腐蝕液為飽和HgCl2溶液,在腐蝕掉鋁基體后,將剩下的PAA膜浸泡在30℃的5wt%的磷酸溶液中,阻擋層厚度與浸泡時(shí)間呈反比,經(jīng)過(guò)浸泡后得到了通孔的PAA模板。由于PAA膜本身很脆,稍微受力不均就會(huì)折斷,在腐蝕鋁基體是需要一些有效的保護(hù)措施。Han等采用將聚酯樹脂和硝化纖維素溶解于乙酸丁酯、庚烷和乙酸乙酯中組成的有機(jī)保護(hù)層,Sulka等采用將腐蝕掉鋁基體的PAA膜貼在載玻片上的方法保護(hù)PAA膜;瘜W(xué)腐蝕法的操作簡(jiǎn)單易行,成本低廉,適用范圍廣,所以目前絕大部分PAA模板的通孔都是采用該方法。但腐蝕時(shí)間長(zhǎng)了會(huì)導(dǎo)致納米孔道也被腐蝕,孔徑不斷
1緒論碩士學(xué)位論文11下壓入PAA模板,制備的納米柱直徑為15-60nm,長(zhǎng)度為10μm。其具體方法如下圖,將Sn壓入單面PAA膜后腐蝕掉PAA膜的阻擋層和模板。Shankar等[90]提出了低熔點(diǎn)的金屬如Bi,Al,In,Sn等通過(guò)真空熔融壓注法可以制備納米線。通過(guò)使用模板,制備可調(diào)孔徑的納米柱,納米柱直徑范圍為10-200nm。圖1.6熔融注射法制備金屬納米線流程示意圖[89]:(a)PAA模板的制備;(b)金屬放置在PAA模板頂部;(c)熔融注射;(d)腐蝕鋁基體;(e)腐蝕阻擋層;(f)腐蝕模板。1.4本文主要的研究目的和研究?jī)?nèi)容1.4.1研究目的解決目前大孔間距PAA膜大部分需要在低溫、低電流密度下進(jìn)行的缺點(diǎn),尋找在室溫下快速制備大孔間距PAA膜的新方法;研究高壓下PAA膜的有序度的影響因素,快速制備高度有序的大孔間距PAA膜;通過(guò)通孔與擴(kuò)孔工藝,制備通孔的PAA模板;通過(guò)真空熔融壓注法向通孔PAA模板中注入鋁,制備鋁納米柱陣列,并通過(guò)陽(yáng)極氧化制備電介質(zhì)膜以構(gòu)建高性能的鋁納米柱陣列電介質(zhì)電容器。
【參考文獻(xiàn)】:
碩士論文
[1]AAO模板法制備金屬納米點(diǎn)陣及其光學(xué)性質(zhì)的研究[D]. 楊潔.南京理工大學(xué) 2014
本文編號(hào):3523543
【文章來(lái)源】:南京理工大學(xué)江蘇省 211工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:71 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
不同結(jié)構(gòu)的PAA膜(a)正六邊形[33];(b)正方形[34];(c)三角形[35]
碩士學(xué)位論文大孔間距PAA模板的制備及納米柱陣列電介質(zhì)電容器的構(gòu)建6PAA膜是由大量平行排列的納米孔道組成,圖1.4為PAA膜的結(jié)構(gòu)示意圖,從圖中可以看出,每個(gè)納米孔道底部都是封閉的半球形的阻擋層,要想實(shí)現(xiàn)雙通的PAA模板,必須將底部鋁基體和阻擋層都腐蝕掉。圖1.4理想結(jié)構(gòu)的PAA膜示意圖腐蝕阻擋層的方法一般分為先剝離PAA膜底部的鋁基體后腐蝕阻擋層和原位腐蝕阻擋層。先剝離PAA膜底部的鋁基體后腐蝕阻擋層多適用于單面陽(yáng)極氧化,而原位腐蝕阻擋層使用于雙面陽(yáng)極氧化。1.2.2.1剝離PAA膜底部的鋁基體后腐蝕阻擋層的方法該法首先要腐蝕掉鋁基體使阻擋層露出來(lái),然后腐蝕阻擋層。腐蝕鋁基體的方法主要有化學(xué)腐蝕法和逆電剝離法等,腐蝕阻擋層的方法有化學(xué)腐蝕法和物理干蝕法等。(1)化學(xué)腐蝕法化學(xué)腐蝕法,顧名思義是利用化學(xué)試劑腐蝕掉鋁基體和阻擋層[44,45]。對(duì)于化學(xué)試劑的選擇,首先腐蝕鋁基體時(shí),由于鋁基體下就是PAA膜的阻擋層,故腐蝕液只能腐蝕鋁基體而不能腐蝕阻擋層,所以此腐蝕液為CuCl2和HCl的混合溶液或者HgCl2溶液。腐蝕阻擋層的腐蝕液多為磷酸溶液。Han等[46]腐蝕鋁基體選擇的腐蝕液為飽和HgCl2溶液,在腐蝕掉鋁基體后,將剩下的PAA膜浸泡在30℃的5wt%的磷酸溶液中,阻擋層厚度與浸泡時(shí)間呈反比,經(jīng)過(guò)浸泡后得到了通孔的PAA模板。由于PAA膜本身很脆,稍微受力不均就會(huì)折斷,在腐蝕鋁基體是需要一些有效的保護(hù)措施。Han等采用將聚酯樹脂和硝化纖維素溶解于乙酸丁酯、庚烷和乙酸乙酯中組成的有機(jī)保護(hù)層,Sulka等采用將腐蝕掉鋁基體的PAA膜貼在載玻片上的方法保護(hù)PAA膜;瘜W(xué)腐蝕法的操作簡(jiǎn)單易行,成本低廉,適用范圍廣,所以目前絕大部分PAA模板的通孔都是采用該方法。但腐蝕時(shí)間長(zhǎng)了會(huì)導(dǎo)致納米孔道也被腐蝕,孔徑不斷
1緒論碩士學(xué)位論文11下壓入PAA模板,制備的納米柱直徑為15-60nm,長(zhǎng)度為10μm。其具體方法如下圖,將Sn壓入單面PAA膜后腐蝕掉PAA膜的阻擋層和模板。Shankar等[90]提出了低熔點(diǎn)的金屬如Bi,Al,In,Sn等通過(guò)真空熔融壓注法可以制備納米線。通過(guò)使用模板,制備可調(diào)孔徑的納米柱,納米柱直徑范圍為10-200nm。圖1.6熔融注射法制備金屬納米線流程示意圖[89]:(a)PAA模板的制備;(b)金屬放置在PAA模板頂部;(c)熔融注射;(d)腐蝕鋁基體;(e)腐蝕阻擋層;(f)腐蝕模板。1.4本文主要的研究目的和研究?jī)?nèi)容1.4.1研究目的解決目前大孔間距PAA膜大部分需要在低溫、低電流密度下進(jìn)行的缺點(diǎn),尋找在室溫下快速制備大孔間距PAA膜的新方法;研究高壓下PAA膜的有序度的影響因素,快速制備高度有序的大孔間距PAA膜;通過(guò)通孔與擴(kuò)孔工藝,制備通孔的PAA模板;通過(guò)真空熔融壓注法向通孔PAA模板中注入鋁,制備鋁納米柱陣列,并通過(guò)陽(yáng)極氧化制備電介質(zhì)膜以構(gòu)建高性能的鋁納米柱陣列電介質(zhì)電容器。
【參考文獻(xiàn)】:
碩士論文
[1]AAO模板法制備金屬納米點(diǎn)陣及其光學(xué)性質(zhì)的研究[D]. 楊潔.南京理工大學(xué) 2014
本文編號(hào):3523543
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