21世紀(jì)以后全球電子信息產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了高速發(fā)展時(shí)期,各種新型電子器件和芯片層出不窮,同時(shí)這也對封裝材料性能提出了更高的要求。氧化鋁陶瓷作為主要的封裝材料成為了研究的熱點(diǎn)。本文通過對氧化鋁原料的選用,配方的摻雜改性、優(yōu)化,燒結(jié)工藝的探索來研究和制備了滿足實(shí)際封裝需求的氧化鋁陶瓷材料。實(shí)驗(yàn)和研究表明:首先選用9種不同粒度的Al₂O₃粉料制備陶瓷并對其進(jìn)行測試,測試結(jié)果表明Al₂O₃粉料粒度會(huì)對Al₂O₃陶瓷性能產(chǎn)生影響。粒度較小、比表面積較大的Al₂O₃粉體表面能大,能夠顯著降低Al₂O₃陶瓷燒結(jié)溫度有利于燒結(jié)成瓷。分別采用一元（MgO）、二元（MgO+La₂O₃）、三元（MgO+La₂O₃+Y₂O₃）燒結(jié)助劑對Al₂O

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

CaTiO3晶體結(jié)構(gòu)

= √2 ( ) ((1-4)中，t 的取值范圍為 0.77～1.10。t=0.77～1.10 時(shí)，ABO3化合物結(jié)構(gòu)型。當(dāng) t 的值不在該范圍時(shí)則會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)槠渌w結(jié)構(gòu)。當(dāng) t＜0.77 時(shí)，為結(jié)構(gòu)。當(dāng) t＞1.10時(shí)，以方解石或者文石型結(jié)構(gòu)存在。除了離子半徑比可外正離子電價(jià)也可以變化。在半徑比合適的情況下，正、負(fù)離子電價(jià)滿的原則，A、B 位的正離子電價(jià)代數(shù)和平均為+6價(jià)即可。) 尖晶石型結(jié)構(gòu)晶石型結(jié)構(gòu)化合物通式表示為 AB2O4，等軸晶系。多種電子陶瓷都屬于。圖 1-2 是以 MgAl2O4為例的尖晶石結(jié)構(gòu)圖。其中，O2-按立方緊密堆積 位一般是二價(jià)正離子，填充于八分之一的四面體空隙中；B 位一般是三，填充于二分之一的八面體間隙中。若 A 位是二價(jià)正離子，填充于八分面體間隙中；B 位是三價(jià)正離子，填充于二分之一的八面體間隙中，則石。若二價(jià)正離子分布在八面體間隙中，三價(jià)離子平均分布在四面體和，則為反尖晶石。MgAl2O4、MgCr2O4等為正尖晶石結(jié)構(gòu)，F(xiàn)e(TiFe)OFe)O4等屬于反尖晶石結(jié)構(gòu)。

圖 1-3 金紅石晶體結(jié)構(gòu)構(gòu)缺陷，由于工藝條件變化或者進(jìn)行了改性，晶體結(jié)構(gòu)，即存在晶體缺陷。晶體缺陷雖卻起著很關(guān)鍵的作用，而晶體的完整性處為點(diǎn)、線、面三類缺陷。發(fā)生點(diǎn)缺陷的地一般指的是線缺陷，主要表現(xiàn)為位錯(cuò)。面關(guān)注較多的缺陷，按照偏離理想晶格位置和雜質(zhì)原子。劑晶格中基質(zhì)原子，形成置換固溶體；間隙固溶體。溶質(zhì)能夠在溶劑中混合并且溶現(xiàn)象是很常見的，通過形成固溶體，陶

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]MgO燒結(jié)助劑對氧化鋁多孔陶瓷結(jié)構(gòu)和性能的影響[J]. 孫陽,徐鯤濠,孫加林,黃勇,薛偉江.  硅酸鹽學(xué)報(bào). 2015(09)
[2]燒結(jié)助劑Y2O3和Pr6O11對Al2O3陶瓷相對密度和熱導(dǎo)率的影響[J]. 劉兵,彭超群,王日初,王小鋒,李婷婷,王志勇.  中國有色金屬學(xué)報(bào). 2012(08)
[3]改進(jìn)的水熱法在無機(jī)非金屬材料制備中的應(yīng)用[J]. 吳健松,肖應(yīng)凱,梁海群.  化學(xué)通報(bào). 2012(04)
[4]MgF2對低溫?zé)Y(jié)75氧化鋁陶瓷性能的影響[J]. 董偉霞,包啟富,顧幸勇.  中國陶瓷. 2010(10)
[5]CuO-TiO2復(fù)合助劑低溫?zé)Y(jié)氧化鋁陶瓷的機(jī)理（Ⅱ）[J]. 王煥平,張斌,馬紅萍,徐時(shí)清,李登豪,周廣淼.  材料研究學(xué)報(bào). 2010(01)
[6]MgO-MnO2-TiO2-SiO2燒結(jié)助劑中SiO2的量對低溫?zé)Y(jié)氧化鋁陶瓷材料性能的影響[J]. 顧皓,呂珺,黃麗芳,鄭治祥.  硅酸鹽通報(bào). 2009(03)
[7]ZnO-CaO-MgO-SiO2助燒劑對氧化鋁陶瓷性能的影響[J]. 董偉霞,包啟富,顧幸勇.  陶瓷學(xué)報(bào). 2009(02)
[8]Y2O3改性Al2O3陶瓷微波介電損耗研究[J]. 婁本濁.  山東陶瓷. 2008(04)
[9]水系流延技術(shù)制備95氧化鋁陶瓷基片的研究[J]. 羅凌虹,江偉輝,顧幸勇,程亮,楊魯生.  人工晶體學(xué)報(bào). 2007(06)
[10]摻雜對高純氧化鋁陶瓷介電損耗的影響[J]. 司文捷,劉人淼.  稀有金屬材料與工程. 2007(S1)

博士論文
[1]氟化物晶體Re:BaY2F8的生長及其光譜性質(zhì)研究[D]. 張守超.天津大學(xué) 2009
[2]平面沖擊加載下A95陶瓷動(dòng)態(tài)力學(xué)性能研究[D]. 唐錄成.重慶大學(xué) 2009

碩士論文
[1]α-Al2O3納米顆粒的低溫制備與其燒結(jié)特性的研究[D]. 郭瑞雲(yún).蘭州大學(xué) 2016
[2]LTCC中玻璃/陶瓷復(fù)合基板材料的熱性能研究[D]. 龔雪薇.西安電子科技大學(xué) 2013
[3]晶體生長的動(dòng)力學(xué)模擬[D]. 鮑澤耀.大連理工大學(xué) 2008
[4]CBS/Al2O3玻璃陶瓷的制備及其性能研究[D]. 唐利鋒.天津大學(xué) 2008



本文編號：3513523