高性能99Al 2 O 3 陶瓷材料制備及性能研究
發(fā)布時間：2021-11-23 08:41
21世紀以后全球電子信息產(chǎn)業(yè)進入了高速發(fā)展時期,各種新型電子器件和芯片層出不窮,同時這也對封裝材料性能提出了更高的要求。氧化鋁陶瓷作為主要的封裝材料成為了研究的熱點。本文通過對氧化鋁原料的選用,配方的摻雜改性、優(yōu)化,燒結工藝的探索來研究和制備了滿足實際封裝需求的氧化鋁陶瓷材料。實驗和研究表明:首先選用9種不同粒度的Al2O3粉料制備陶瓷并對其進行測試,測試結果表明Al2O3粉料粒度會對Al2O3陶瓷性能產(chǎn)生影響。粒度較小、比表面積較大的Al2O3粉體表面能大,能夠顯著降低Al2O3陶瓷燒結溫度有利于燒結成瓷。分別采用一元（MgO）、二元（MgO+La2O3）、三元（MgO+La2O3+Y2O3）燒結助劑對Al2O
【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】：68 頁
【學位級別】：碩士
【部分圖文】：
CaTiO3晶體結構
= √2 ( ) ((1-4)中，t 的取值范圍為 0.77～1.10。t=0.77～1.10 時，ABO3化合物結構型。當 t 的值不在該范圍時則會轉(zhuǎn)變?yōu)槠渌w結構。當 t＜0.77 時，為結構。當 t＞1.10時，以方解石或者文石型結構存在。除了離子半徑比可外正離子電價也可以變化。在半徑比合適的情況下，正、負離子電價滿的原則，A、B 位的正離子電價代數(shù)和平均為+6價即可。) 尖晶石型結構晶石型結構化合物通式表示為 AB2O4，等軸晶系。多種電子陶瓷都屬于。圖 1-2 是以 MgAl2O4為例的尖晶石結構圖。其中，O2-按立方緊密堆積 位一般是二價正離子，填充于八分之一的四面體空隙中；B 位一般是三，填充于二分之一的八面體間隙中。若 A 位是二價正離子，填充于八分面體間隙中；B 位是三價正離子，填充于二分之一的八面體間隙中，則石。若二價正離子分布在八面體間隙中，三價離子平均分布在四面體和，則為反尖晶石。MgAl2O4、MgCr2O4等為正尖晶石結構，F(xiàn)e(TiFe)OFe)O4等屬于反尖晶石結構。
圖 1-3 金紅石晶體結構構缺陷，由于工藝條件變化或者進行了改性，晶體結構，即存在晶體缺陷。晶體缺陷雖卻起著很關鍵的作用，而晶體的完整性處為點、線、面三類缺陷。發(fā)生點缺陷的地一般指的是線缺陷，主要表現(xiàn)為位錯。面關注較多的缺陷，按照偏離理想晶格位置和雜質(zhì)原子。劑晶格中基質(zhì)原子，形成置換固溶體；間隙固溶體。溶質(zhì)能夠在溶劑中混合并且溶現(xiàn)象是很常見的，通過形成固溶體，陶
【參考文獻】：
期刊論文
[1]MgO燒結助劑對氧化鋁多孔陶瓷結構和性能的影響[J]. 孫陽,徐鯤濠,孫加林,黃勇,薛偉江. 硅酸鹽學報. 2015(09)
[2]燒結助劑Y2O3和Pr6O11對Al2O3陶瓷相對密度和熱導率的影響[J]. 劉兵,彭超群,王日初,王小鋒,李婷婷,王志勇. 中國有色金屬學報. 2012(08)
[3]改進的水熱法在無機非金屬材料制備中的應用[J]. 吳健松,肖應凱,梁海群. 化學通報. 2012(04)
[4]MgF2對低溫燒結75氧化鋁陶瓷性能的影響[J]. 董偉霞,包啟富,顧幸勇. 中國陶瓷. 2010(10)
[5]CuO-TiO2復合助劑低溫燒結氧化鋁陶瓷的機理（Ⅱ）[J]. 王煥平,張斌,馬紅萍,徐時清,李登豪,周廣淼. 材料研究學報. 2010(01)
[6]MgO-MnO2-TiO2-SiO2燒結助劑中SiO2的量對低溫燒結氧化鋁陶瓷材料性能的影響[J]. 顧皓,呂珺,黃麗芳,鄭治祥. 硅酸鹽通報. 2009(03)
[7]ZnO-CaO-MgO-SiO2助燒劑對氧化鋁陶瓷性能的影響[J]. 董偉霞,包啟富,顧幸勇. 陶瓷學報. 2009(02)
[8]Y2O3改性Al2O3陶瓷微波介電損耗研究[J]. 婁本濁. 山東陶瓷. 2008(04)
[9]水系流延技術制備95氧化鋁陶瓷基片的研究[J]. 羅凌虹,江偉輝,顧幸勇,程亮,楊魯生. 人工晶體學報. 2007(06)
[10]摻雜對高純氧化鋁陶瓷介電損耗的影響[J]. 司文捷,劉人淼. 稀有金屬材料與工程. 2007(S1)
博士論文
[1]氟化物晶體Re:BaY2F8的生長及其光譜性質(zhì)研究[D]. 張守超.天津大學 2009
[2]平面沖擊加載下A95陶瓷動態(tài)力學性能研究[D]. 唐錄成.重慶大學 2009
碩士論文
[1]α-Al2O3納米顆粒的低溫制備與其燒結特性的研究[D]. 郭瑞雲(yún).蘭州大學 2016
[2]LTCC中玻璃/陶瓷復合基板材料的熱性能研究[D]. 龔雪薇.西安電子科技大學 2013
[3]晶體生長的動力學模擬[D]. 鮑澤耀.大連理工大學 2008
[4]CBS/Al2O3玻璃陶瓷的制備及其性能研究[D]. 唐利鋒.天津大學 2008
本文編號：3513523
【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】：68 頁
【學位級別】：碩士
【部分圖文】：
CaTiO3晶體結構
= √2 ( ) ((1-4)中，t 的取值范圍為 0.77～1.10。t=0.77～1.10 時，ABO3化合物結構型。當 t 的值不在該范圍時則會轉(zhuǎn)變?yōu)槠渌w結構。當 t＜0.77 時，為結構。當 t＞1.10時，以方解石或者文石型結構存在。除了離子半徑比可外正離子電價也可以變化。在半徑比合適的情況下，正、負離子電價滿的原則，A、B 位的正離子電價代數(shù)和平均為+6價即可。) 尖晶石型結構晶石型結構化合物通式表示為 AB2O4，等軸晶系。多種電子陶瓷都屬于。圖 1-2 是以 MgAl2O4為例的尖晶石結構圖。其中，O2-按立方緊密堆積 位一般是二價正離子，填充于八分之一的四面體空隙中；B 位一般是三，填充于二分之一的八面體間隙中。若 A 位是二價正離子，填充于八分面體間隙中；B 位是三價正離子，填充于二分之一的八面體間隙中，則石。若二價正離子分布在八面體間隙中，三價離子平均分布在四面體和，則為反尖晶石。MgAl2O4、MgCr2O4等為正尖晶石結構，F(xiàn)e(TiFe)OFe)O4等屬于反尖晶石結構。
圖 1-3 金紅石晶體結構構缺陷，由于工藝條件變化或者進行了改性，晶體結構，即存在晶體缺陷。晶體缺陷雖卻起著很關鍵的作用，而晶體的完整性處為點、線、面三類缺陷。發(fā)生點缺陷的地一般指的是線缺陷，主要表現(xiàn)為位錯。面關注較多的缺陷，按照偏離理想晶格位置和雜質(zhì)原子。劑晶格中基質(zhì)原子，形成置換固溶體；間隙固溶體。溶質(zhì)能夠在溶劑中混合并且溶現(xiàn)象是很常見的，通過形成固溶體，陶
【參考文獻】：
期刊論文
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[3]改進的水熱法在無機非金屬材料制備中的應用[J]. 吳健松,肖應凱,梁海群. 化學通報. 2012(04)
[4]MgF2對低溫燒結75氧化鋁陶瓷性能的影響[J]. 董偉霞,包啟富,顧幸勇. 中國陶瓷. 2010(10)
[5]CuO-TiO2復合助劑低溫燒結氧化鋁陶瓷的機理（Ⅱ）[J]. 王煥平,張斌,馬紅萍,徐時清,李登豪,周廣淼. 材料研究學報. 2010(01)
[6]MgO-MnO2-TiO2-SiO2燒結助劑中SiO2的量對低溫燒結氧化鋁陶瓷材料性能的影響[J]. 顧皓,呂珺,黃麗芳,鄭治祥. 硅酸鹽通報. 2009(03)
[7]ZnO-CaO-MgO-SiO2助燒劑對氧化鋁陶瓷性能的影響[J]. 董偉霞,包啟富,顧幸勇. 陶瓷學報. 2009(02)
[8]Y2O3改性Al2O3陶瓷微波介電損耗研究[J]. 婁本濁. 山東陶瓷. 2008(04)
[9]水系流延技術制備95氧化鋁陶瓷基片的研究[J]. 羅凌虹,江偉輝,顧幸勇,程亮,楊魯生. 人工晶體學報. 2007(06)
[10]摻雜對高純氧化鋁陶瓷介電損耗的影響[J]. 司文捷,劉人淼. 稀有金屬材料與工程. 2007(S1)
博士論文
[1]氟化物晶體Re:BaY2F8的生長及其光譜性質(zhì)研究[D]. 張守超.天津大學 2009
[2]平面沖擊加載下A95陶瓷動態(tài)力學性能研究[D]. 唐錄成.重慶大學 2009
碩士論文
[1]α-Al2O3納米顆粒的低溫制備與其燒結特性的研究[D]. 郭瑞雲(yún).蘭州大學 2016
[2]LTCC中玻璃/陶瓷復合基板材料的熱性能研究[D]. 龔雪薇.西安電子科技大學 2013
[3]晶體生長的動力學模擬[D]. 鮑澤耀.大連理工大學 2008
[4]CBS/Al2O3玻璃陶瓷的制備及其性能研究[D]. 唐利鋒.天津大學 2008
本文編號：3513523
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