石墨烯是一種SP2碳雜化的二維平面材料,因其卓越的電學(xué)、機械、光學(xué)性能,在半導(dǎo)體、電子、光學(xué)、傳感器等多領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。雖然石墨烯可以通過直接從母材剝離或過渡金屬上生長來制備,但不受控制的生產(chǎn)或額外的復(fù)雜轉(zhuǎn)移過程對石墨烯膜層造成一定損傷,而在介電襯底上通過CVD法直接制備石墨烯成為一個有意義的研究方向。本文綜述了國內(nèi)外介電材料表面CVD法直接制備石墨烯研究進展,系統(tǒng)的介紹了介電材料表面直接制備石墨烯的主要方法,闡明生長過程中催化條件、生長參數(shù)是介電材料表面制備石墨烯的關(guān)鍵。此外,由于介電材料表面的弱催化作用,其表面直接制備石墨烯晶疇尺寸小,電性能較差,因此實現(xiàn)介電材料表面石墨烯高質(zhì)量、可控制備是今后研究的方向。 

【文章來源】：稀有金屬材料與工程. 2020,49(11)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：11 頁

【參考文獻】：
期刊論文
[1]CVD法制備石墨烯中碳源材料的研究進展[J]. 徐春雷,朱凌岳.  化工新型材料. 2018(09)



本文編號：3513404