石墨烯是一種SP2碳雜化的二維平面材料,因其卓越的電學、機械、光學性能,在半導體、電子、光學、傳感器等多領域具有巨大的應用潛力。雖然石墨烯可以通過直接從母材剝離或過渡金屬上生長來制備,但不受控制的生產或額外的復雜轉移過程對石墨烯膜層造成一定損傷,而在介電襯底上通過CVD法直接制備石墨烯成為一個有意義的研究方向。本文綜述了國內外介電材料表面CVD法直接制備石墨烯研究進展,系統(tǒng)的介紹了介電材料表面直接制備石墨烯的主要方法,闡明生長過程中催化條件、生長參數(shù)是介電材料表面制備石墨烯的關鍵。此外,由于介電材料表面的弱催化作用,其表面直接制備石墨烯晶疇尺寸小,電性能較差,因此實現(xiàn)介電材料表面石墨烯高質量、可控制備是今后研究的方向。 

【文章來源】：稀有金屬材料與工程. 2020,49(11)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：11 頁

【參考文獻】：
期刊論文
[1]CVD法制備石墨烯中碳源材料的研究進展[J]. 徐春雷,朱凌岳.  化工新型材料. 2018(09)



本文編號：3513404