采用光電化學腐蝕的方法在腐蝕電壓為1.3 V,腐蝕液配比為HF（40%）:C₂H₅OH（99%）:H₂O=1:7:1（體積比）和鹵素燈為光源的條件下獲得了結構整齊、孔道均勻的多孔硅陣列。研究表明,隨著電壓的增大,孔壁側蝕嚴重,孔壁有分叉現(xiàn)象;隨著HF濃度的增加,制備的多孔硅陣列孔深增加,腐蝕速度增加;光源的不同會導致孔道內部均勻程度的不同。最后得出了最佳的刻蝕參數條件,得到了長徑比大于50,孔道結構外壁均勻光滑的多孔硅陣列。 

【文章來源】：廣州化工. 2020,48(08)

【文章頁數】：5 頁

【部分圖文】：

鹵素燈的波長范圍

實驗采用了<100>晶向,厚度為500 μm、雙面拋光,電阻率為1～10 Ω·cm的N型硅片,用于刻蝕的電解液的配比為HF(40%):C2H5OH(99%):H2O,實驗均在常溫下進行。圖2 實驗裝置圖

圖1 實驗流程圖圖1為多孔硅陣列制備的工藝流程圖,圖2為典型的光電化學腐蝕實驗裝置示意圖。電解槽由聚四氟乙烯制成,硅片由一個銅環(huán)夾在電解槽的側面,它提供硅片和電源之間的電接觸。對電極為鉑電極,參比電極為甘汞電極。光源放置在距離硅片背面約5 cm處照射樣品,提供光生空穴。實驗參數如表1所示。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]多孔硅的微結構及其冷陰極的電子發(fā)射特性研究[J]. 羅文,胡文波,鄭宇,宋忠孝,吳匯炎.  真空科學與技術學報. 2012(01)



本文編號：3511183