發(fā)布時(shí)間：2021-11-13 18:32

　　近十幾年,以石墨烯為代表的二維（2D）材料顯示出許多具有吸引力的電子、光學(xué)、機(jī)械和熱性能。特別是其優(yōu)異的電子和光學(xué)性能,使二維材料有望取代傳統(tǒng)的光電探測(cè)器,滿足高頻通信、新型生物醫(yī)學(xué)成像等領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的需求。III-V族寬帶隙半導(dǎo)體材料因其卓越的特性擁有十分廣泛的應(yīng)用空間,例如光電特性、高遷移率、高熱導(dǎo)率、表面硬度大和耐腐蝕等性質(zhì),有望成為下一代新型二維材料。其中,氮化鋁是III-V族化合物的典型代表。本文采取基于密度泛函理論的第一性原理計(jì)算方法,探討了本征缺陷和摻雜型二維六方氮化鋁（h-AlN）納米片的電子結(jié)構(gòu)及其光學(xué)性質(zhì),其主要過(guò)程如下:1.利用基于密度泛函理論體系下的第一性原理計(jì)算方法,分別研究了理想的和帶有Al空位(V_Al),N空位（V_N）,N替代Al(N_Al)和Al替代N（Al_N）四種本征缺陷的h-AlN納米片的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì),模型采用4×4×1的納米片結(jié)構(gòu)。通過(guò)對(duì)缺陷形成能的對(duì)比可以發(fā)現(xiàn),在富氮或富鋁的情況下,空位缺陷的形成能普遍低于反型缺陷的形成能,說(shuō)明氮化鋁納米片中不容易存在反型... 

【文章來(lái)源】：鄭州大學(xué)河南省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：74 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

掃描隧道顯微鏡（STM）

3圖 1.2 用 STM 在石墨表面上刻蝕的圖案 0.01nm，可以直接觀察材料表面的原子結(jié)構(gòu)，將人們帶入微觀世原理是基于量子隧道效應(yīng)和掃描，使用一根極其細(xì)小的其頭部攜針尖去靠近圖樣表層，當(dāng)針尖與表面慢慢靠近時(shí)，即距離小于 1原子的電子云和圖樣表層原子的電子云開始重疊，假如把一個(gè)偏圖樣中間，那么電子將穿過(guò)針尖和圖樣構(gòu)成的勢(shì)壘以形成隧道電確操縱針尖與圖樣表面的固定距離的方法，可以做到讓針尖在三

1 緒論上沿表面精確移動(dòng)，這樣便可以把表面的重要信息記錄下來(lái)，如表面形貌和表面電子態(tài)[14]。正是因?yàn)橛辛顺鹊目臻g分辨率和普遍可用性的優(yōu)點(diǎn)，使得 STM

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：3493506