發(fā)布時(shí)間：2021-11-10 02:49

　　γ-AlON透明陶瓷具有優(yōu)良的光學(xué)性能、介電性能和抗熱震性能,因此可用于制造耐高溫紅外窗口。Si₃N₄陶瓷是一類制備導(dǎo)彈天線罩的理想材料,但其介電常數(shù)較高,在Si₃N₄陶瓷中引入h-BN能顯著改善其介電性能,h-BN/Si₃N₄復(fù)合陶瓷具有更好的透波性能。因此,實(shí)現(xiàn)γ-AlON陶瓷與h-BN/Si₃N₄復(fù)合陶瓷的有效連接是制備紅外制導(dǎo)導(dǎo)彈的關(guān)鍵。本文采用CuTi和CuNiTi兩種活性釬料對(duì)γ-AlON陶瓷與h-BN/Si₃N₄復(fù)合陶瓷進(jìn)行了釬焊連接,研究了兩種活性釬料在γ-AlON、h-BN/Si₃N₄陶瓷上的潤濕行為,分析接頭微觀組織及構(gòu)成,探索釬焊溫度、保溫時(shí)間和釬料層厚度對(duì)接頭組織和性能的影響,評(píng)價(jià)接頭的高溫力學(xué)性能,分析接頭的形成機(jī)理。本文通過座滴法研究釬料在母材表面的潤濕行為,結(jié)果表明,Cu75Ti25（at.%）活... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

紅外制導(dǎo)導(dǎo)彈整流罩外觀圖

圖 1-2 擴(kuò)散焊連接示意圖[15]a) 直接擴(kuò)散連接; b) 間接擴(kuò)散連接據(jù)有無中間層可以將擴(kuò)散連接分為無中間層的直接擴(kuò)散連接和有擴(kuò)散，其連接示意圖如圖 1-2 所示。連接固相擴(kuò)散連接過程中，般選擇在母材熔點(diǎn) 0.75-0.9 倍，在此溫度內(nèi)，原子擴(kuò)散速率高，

+TiC)/TAD 界面處斷裂。隨著連接時(shí)間的增加，接頭強(qiáng)度降低，接頭的斷裂路徑也由靠近 TAD 的界面(Ti5Si3Cx+TiC)/TAD 轉(zhuǎn)向靠近 SiC 的 TiC 層內(nèi)。Lemus[18]等人用 Ti 作中間層對(duì) Si3N4陶瓷進(jìn)行擴(kuò)散連接，研究表明，溫度高于 1400°C 時(shí)，Si3N4可以和 Ti 形成有效連接，界面生成了 Ti5Si3、TiSi 和TiN。在 1500°C 和 120min 的連接條件下，接頭的四點(diǎn)彎曲強(qiáng)度達(dá)到 147MPa。其中，在 1500°C 熱壓 60min 所得 Si3N4/Ti 界面橫截面與線掃圖如圖 1-3 所示。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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[2]Au-Ni-V基高溫活性釬料連接氮化硅陶瓷的工藝與機(jī)理研究[D]. 孫元.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2011



本文編號(hào)：3486420