硅芯在制造過程中和在還原爐初期沉積過程中不同程度受到雜質(zhì)的污染,本論文針對(duì)硅棒生長(zhǎng)過程中硅芯部位雜質(zhì)來源,從石墨部件、惰性氣體、硅芯制備工藝、潔凈操作等各個(gè)環(huán)節(jié)的雜質(zhì)污染情況著手試驗(yàn)研究,找到電子級(jí)多晶硅硅芯雜質(zhì)的主要來源。 

【文章來源】：化工管理. 2020,(31)

【文章頁(yè)數(shù)】：2 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 石墨部件影響
2 無定型硅的影響
3 硅芯制備方式影響
4 潔凈操作影響
5 結(jié)語


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]電子級(jí)多晶硅金屬雜質(zhì)來源探討[J]. 高召帥,于躍,謝世鵬,厲忠海,王培.  山東化工. 2018(20)
[2]硅芯制備技術(shù)及對(duì)沉積多晶硅棒雜質(zhì)的影響[J]. 史冰川,董俊,李昆,黃磊,亢若谷,邱建備.  材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào). 2016(03)
[3]電子級(jí)多晶硅的生產(chǎn)工藝[J]. 梁駿吾.  中國(guó)工程科學(xué). 2000(12)



本文編號(hào)：3467285