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Fe-Co-Rh協(xié)同修飾Ta 2 O 5 @TaON@Ta 3 N 5 納米復(fù)合材料的構(gòu)筑及光解水析氫活性

發(fā)布時間:2021-10-27 06:54
  近年來,氫能的使用緩解了全球能源短缺和環(huán)境污染問題,利用可見光光催化解水析氫是目前最理想的最具有潛力的制氫技術(shù)。Ta3N5基化合物的導(dǎo)價帶位置理想,其帶隙約為2.1 eV,吸收帶邊可拓展到600 nm,理論太陽能轉(zhuǎn)氫效率為15.9%,是太陽能光催化解水的理想材料。然而,其載流子分離效率低、易光腐蝕、穩(wěn)定性能差,限制了其實際應(yīng)用。以Rh3+-Ta2O5為前驅(qū)體,Rh修飾量為0.075%,采用高溫氮化還原技術(shù),通過控制氮化時間、氮化溫度考察Rh修飾Ta3N5基化合物的制備工藝研究。結(jié)果表明,經(jīng)850℃氮化6 h所制備的Rh修飾Ta3N5基樣品(Rh-Ta-6)具有較高的光電流強度(3.84μA·cm-2),與未修飾Ta2O5@Ta3N5(0.19μA·cm-2)相比... 

【文章來源】:哈爾濱師范大學(xué)黑龍江省

【文章頁數(shù)】:71 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

Fe-Co-Rh協(xié)同修飾Ta 2 O 5 @TaON@Ta 3 N 5 納米復(fù)合材料的構(gòu)筑及光解水析氫活性


(A)為光催化過程示意圖;(B)為半導(dǎo)體光催化整體水分解的示意圖[6]

帶隙,半導(dǎo)體,真空度,位置


7圖1-2所選半導(dǎo)體的帶隙和帶邊位置與真空度和NHE的關(guān)系,水平紅線代表導(dǎo)帶邊緣,水平綠線表示價帶邊緣。兩條虛線表示水氧化還原反應(yīng)電位[31]Figure1-2Bandgapsandband-edgepositionswithrespecttothevacuumlevelandNHEforselectedsemiconductors.Thehorizontalredlinesrepresenttheconduction-bandedges.Thehorizontalgreenlinesrepresentthevalence-bandedges.Thetwodashedlinesindicatethewaterredoxreactionpotentials.1.4鉭基氮氧化物研究現(xiàn)狀1.4.1鉭基氮(氧)化合物的基本性質(zhì)鉭的氧化物有二氧化鉭(TaO2)和五氧化二鉭(Ta2O5),分別為+4價和+5價的氧化態(tài)。Ta2O5為白色粉末,相對穩(wěn)定,20世紀(jì)Domen等人通過在流動的氨氣氣氛下高溫焙燒的方法,改變焙燒時間使Ta2O5中的O原子逐漸被N原子取代,得到了一系列氮氧化物光催化劑TaON和Ta3N5。TaON作為Ta2O5高溫氮化的中間產(chǎn)物,黃色粉末,相比于TiO2的帶隙能(Eg=3.2eV)來說,TaON的帶隙能較窄為2.5eV,可以吸收波長小于500nm的可見光,對可見光的響應(yīng)很好,是一種很好的半導(dǎo)體催化劑,其制備的反應(yīng)方程式為:OH3TaON2NH2OTa↑+→+2352。Ta3N5通常為紅色粉末,是很有潛力的染料和光解水催化劑。它具有較窄的帶隙能(Eg=2.1eV),可以吸收波長小于600nm的可見光,在1.5G太陽光照射下,光-氫轉(zhuǎn)化效率最髙能達到15.9%是一種理想的光催化解水材料,其制備的反應(yīng)方程式為:Ta5OHNTaNHO↑+→+22153533522。

譜圖,漫反射光,譜圖,軌道


8圖1-3Ta2O5、TaON、Ta3N5的紫外-漫反射光譜圖[12]Figure1-3UV-visdiffusereflectancespectraofTa2O5,TaON,Ta3N5.通過DFT密度泛函計算可得,Ta2O5、TaON和Ta3N5均為d0電子構(gòu)型的化合物,主要由O2p和N2p軌道組成了其價帶,導(dǎo)帶則由Ta5d軌道構(gòu)成。[39-42]根據(jù)鮑林規(guī)則,O和N電負(fù)性相比,O的電負(fù)性更大,Np2的軌道能級比Op2的軌道能級高,故其紫外可見漫反射的吸收邊出現(xiàn)紅移,隨著氮化程度的加深,O2p軌道被N2p軌道所替代,使其吸收帶邊發(fā)生紅移,且程度很大,如圖1-3。Ta2O5、TaON、Ta3N5的帶隙能分別為9.3eV、4.2eV和1.2eV(圖1-4),[12]隨著氮逐漸取代氧位置,氮(氧)化鉭導(dǎo)帶底部比H+/H2的還原電勢(0V,NHE,pH=0)更負(fù),而其價帶頂部比H2O/O2的氧化電勢(1.23V,NHE)更正,因此,是良好的光催化解水材料。[43-45]圖1-4Ta2O5、TaON、Ta3N5的能帶位置示意圖Figure1-4BandstructuresofTa2O5,TaON,andTa3N5.


本文編號:3461094

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