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離子摻雜對SrTiO 3 陶瓷巨介電低損耗性能的影響

發(fā)布時間:2021-10-24 16:33
  隨著社會科技的迅速發(fā)展,電子行業(yè)對巨介電陶瓷材料的要求越來越高。通過一些研究者的努力許多巨介電陶瓷材料已經被開發(fā)研究。然而,在單一陶瓷材料中同時實現(xiàn)巨介電常數(shù)(>104)、低介電損耗(<0.05)以及頻率穩(wěn)定性和溫度穩(wěn)定性好的要求則充滿挑戰(zhàn)。且伴隨著可持續(xù)發(fā)展理念的提出,巨介電陶瓷材料的多功能化研究也逐漸變成熱點。具有鈣鈦礦結構(ABO3)的SrTiO3陶瓷是一種優(yōu)良的介電材料,具有低介電損耗、寬的帶隙、高絕緣電阻率以及良好的結構穩(wěn)定性和介電穩(wěn)定性。且文獻表明SrTiO3陶瓷通過改性處理可以成為巨介電材料或高儲能材料,具有發(fā)展成多種性能兼具的材料的潛質。此外,SrTiO3陶瓷的性能與改性離子和方法關聯(lián)性強,且其巨介電的起源存在爭議。因此本論文以SrTiO3基陶瓷為研究對象,通過設計實驗、摻雜改性、缺陷調控等方式,改善SrTiO3陶瓷的介電性能并分析其影響機理。研究不同缺陷類型、微觀結構與介電性能優(yōu)化的相關關系,為SrTiO3基陶瓷的多功能性研究與理論分析提供實驗支撐,這對電子元器件的發(fā)展具有重要意義。選用傳統(tǒng)固相法和氮氣氣氛燒結制備了 SrTi1-xTaxO3-2wt%Si... 

【文章來源】:陜西科技大學陜西省

【文章頁數(shù)】:82 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

離子摻雜對SrTiO 3 陶瓷巨介電低損耗性能的影響


圖2-1陶瓷工藝流程圖??Fig.?2-1?Flow?chart?for?ceramics?preparation??

微觀形貌,陶瓷,氣氛,氮氣


結構穩(wěn)定性更??佳,且其通過施主摻雜和還原氣氛燒結可以促使巨介電行為的產生,但是巨介電起源爭??議較大。因外,選用Ta離子(B位施主摻雜離子)摻雜改性SrTi03,對SrTiK/Ta.rOWiv/%??Si02?(STTO)陶瓷的晶體結構、微觀形貌和介電性能進行了全面的研究。深入討論了??Ta離子的摻雜含量、點缺陷與巨介電行為之間的關系。通過XPS等分析,提出了在不??同氣氛下燒結的Ta離子摻雜Sr1103陶瓷的巨介電行為的機理。??3.2結果與討論??3.2.1物相結構分析??圖3-1?(a)描述了?1490°C氮氣下燒結3h的STTO陶瓷樣品的XRD圖譜。從圖中??可以清楚地看出,所有STTO陶瓷樣品都是純相鈣鈦礦晶體結構。雖然Si02作為燒結助??劑添加到陶瓷樣品中,但在XRD圖譜中無法觀察到,這主要是因為Si02的添加量較少,??不影響STTO陶瓷樣品的晶體結構。??(^)? ̄?Cb)? ̄??i?i?f?1?f?s?/\??f???I?1???I?-__—1??■S?I?,?/?\?????A?1?I?k_?—^?^??SrTiO?PI)F#74-1296??,?I?[?L_??20?30?40?50?60?70?32.4??20?(degree)?10?(degree)??圖3-1?(a)在1490°C氮氣氣氛下燒結的STTO陶瓷樣品的XRD圖譜;(b)?(110)衍射峰的放大圖??Fig.?3-1?(a)?The?XRD?patterns?of?STTO?ceramic?samples?sintered?in?nitrogen?atmosphe

變化圖,陶瓷,氮氣,氣氛


???陜西科技大學碩士學位論文?????半徑比起Sr離子的離子半徑(1.44A)更接近Ti離子(0.61?A),Ta離子取代了?Ti離子,??造成晶胞參數(shù)變大F"88:1。這也側面反映了?Ta離子己經成功地進入了?ST晶體結構且所有??STTO陶瓷樣品同時保持立方相結構。??3.2.2微觀形貌分析??圖3-2顯示了在1490?°C氮氣中燒結3?h的STTO陶瓷樣品的SEM圖。隨著Ta離子??摻雜量的增加,晶粒尺寸逐漸增大,這可能受到施主摻雜或氮氣氣氛的影響。從圖3-2??(f)中可以發(fā)現(xiàn),通過阿基米德排水法的試驗,所有STTO陶瓷樣品都表現(xiàn)出良好的相??對密度(>?90%),表明STTO陶瓷樣品具有合適的燒結工藝。??ilMii??mm??|?三60?-?-80????h?.?-Si?B?f4i???M?■?y"??0.000?IMKJ2?0.0IK.?(MMO?(MM4??圖3-2?(a-e)在氮氣氣氛下燒結的STTO陶瓷樣品表面的SEM圖;??(f)平均晶粒尺寸和相對密度隨jc變化圖??Fig.?3-2?(a-e)?SEM?micrographs?of?surface?for?STTO?ceramic?samples?sintered?in?nitrogen?atmosphere;??(f)?Average?grain?sizes?and?relative?density?as?a?function?of?x??3.2.3介電性能分析??圖3-3?(a)和(b)分別描述了在氮氣氣氛中燒結的STTO陶瓷樣品的介頻圖譜和??14??

【參考文獻】:
期刊論文
[1]Luminescent characterization of rare earth Dy3+ ion doped TiO2 prepared by simple chemical co-precipitation method[J]. Mohamed Zikriya,Y.F.Nadaf,P.Vijai Bharathy,C.G.Renuka.  Journal of Rare Earths. 2019(01)

博士論文
[1]CaCu3Ti4O12介電陶瓷的摻雜及其介電性能研究[D]. 李旺.南昌大學 2013

碩士論文
[1]Nb5+/Ta5+離子摻雜對BaTiO3陶瓷結構與介電性能的影響[D]. 趙曉邦.西華大學 2015
[2]Sm摻雜SrTiO3介質陶瓷的介電性能研究[D]. 徐筱璐.武漢理工大學 2014



本文編號:3455602

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