隨著社會(huì)科技的迅速發(fā)展,電子行業(yè)對(duì)巨介電陶瓷材料的要求越來(lái)越高。通過(guò)一些研究者的努力許多巨介電陶瓷材料已經(jīng)被開(kāi)發(fā)研究。然而,在單一陶瓷材料中同時(shí)實(shí)現(xiàn)巨介電常數(shù)（>104）、低介電損耗（<0.05）以及頻率穩(wěn)定性和溫度穩(wěn)定性好的要求則充滿挑戰(zhàn)。且伴隨著可持續(xù)發(fā)展理念的提出,巨介電陶瓷材料的多功能化研究也逐漸變成熱點(diǎn)。具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)（ABO3）的SrTiO3陶瓷是一種優(yōu)良的介電材料,具有低介電損耗、寬的帶隙、高絕緣電阻率以及良好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和介電穩(wěn)定性。且文獻(xiàn)表明SrTiO3陶瓷通過(guò)改性處理可以成為巨介電材料或高儲(chǔ)能材料,具有發(fā)展成多種性能兼具的材料的潛質(zhì)。此外,SrTiO3陶瓷的性能與改性離子和方法關(guān)聯(lián)性強(qiáng),且其巨介電的起源存在爭(zhēng)議。因此本論文以SrTiO3基陶瓷為研究對(duì)象,通過(guò)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)、摻雜改性、缺陷調(diào)控等方式,改善SrTiO3陶瓷的介電性能并分析其影響機(jī)理。研究不同缺陷類(lèi)型、微觀結(jié)構(gòu)與介電性能優(yōu)化的相關(guān)關(guān)系,為SrTiO3基陶瓷的多功能性研究與理論分析提供實(shí)驗(yàn)支撐,這對(duì)電子元器件的發(fā)展具有重要意義。選用傳統(tǒng)固相法和氮?dú)鈿夥諢Y(jié)制備了 SrTi1-xTaxO3-2wt%Si... 

【文章來(lái)源】：陜西科技大學(xué)陜西省

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖２－１陶瓷工藝流程圖??Ｆｉｇ．?２－１?Ｆｌｏｗ?ｃｈａｒｔ?ｆｏｒ?ｃｅｒａｍｉｃｓ?ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ??

結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性更??佳，且其通過(guò)施主摻雜和還原氣氛燒結(jié)可以促使巨介電行為的產(chǎn)生，但是巨介電起源爭(zhēng)??議較大。因外，選用Ｔａ離子（Ｂ位施主摻雜離子）摻雜改性ＳｒＴｉ０３，對(duì)ＳｒＴｉＫ／Ｔａ．ｒＯＷｉｖ／％??Ｓｉ０２?（ＳＴＴＯ）陶瓷的晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌和介電性能進(jìn)行了全面的研究。深入討論了??Ｔａ離子的摻雜含量、點(diǎn)缺陷與巨介電行為之間的關(guān)系。通過(guò)ＸＰＳ等分析，提出了在不??同氣氛下燒結(jié)的Ｔａ離子摻雜Ｓｒ１１０３陶瓷的巨介電行為的機(jī)理。??３．２結(jié)果與討論??３．２．１物相結(jié)構(gòu)分析??圖３－１?（ａ）描述了?１４９０°Ｃ氮?dú)庀聼Y(jié)３ｈ的ＳＴＴＯ陶瓷樣品的ＸＲＤ圖譜。從圖中??可以清楚地看出，所有ＳＴＴＯ陶瓷樣品都是純相鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)。雖然Ｓｉ０２作為燒結(jié)助??劑添加到陶瓷樣品中，但在ＸＲＤ圖譜中無(wú)法觀察到，這主要是因?yàn)椋樱椋埃驳奶砑恿枯^少，??不影響ＳＴＴＯ陶瓷樣品的晶體結(jié)構(gòu)。??（＾）?￣?Ｃｂ）?￣??ｉ?ｉ?ｆ?１?ｆ?ｓ?／＼??ｆ?？?Ｉ?１???Ｉ?－＿＿—１??■Ｓ?Ｉ?，?／?＼?????Ａ?１?Ｉ?ｋ＿?—＾?＾??ＳｒＴｉＯ?ＰＩ）Ｆ＃７４－１２９６??，?Ｉ?［?Ｌ＿??２０?３０?４０?５０?６０?７０?３２．４??２０?（ｄｅｇｒｅｅ）?１０?（ｄｅｇｒｅｅ）??圖３－１?（ａ）在１４９０°Ｃ氮?dú)鈿夥障聼Y(jié)的ＳＴＴＯ陶瓷樣品的ＸＲＤ圖譜；（ｂ）?（１１０）衍射峰的放大圖??Ｆｉｇ．?３－１?（ａ）?Ｔｈｅ?ＸＲＤ?ｐａｔｔｅｒｎｓ?ｏｆ?ＳＴＴＯ?ｃｅｒａｍｉｃ?ｓａｍｐｌｅｓ?ｓｉｎｔｅｒｅｄ?ｉｎ?ｎｉｔｒｏｇｅｎ?ａｔｍｏｓｐｈｅ

???陜西科技大學(xué)碩士學(xué)位論文?????半徑比起Ｓｒ離子的離子半徑（１．４４Ａ）更接近Ｔｉ離子（０．６１?Ａ），Ｔａ離子取代了?Ｔｉ離子，??造成晶胞參數(shù)變大Ｆ＂８８：１。這也側(cè)面反映了?Ｔａ離子己經(jīng)成功地進(jìn)入了?ＳＴ晶體結(jié)構(gòu)且所有??ＳＴＴＯ陶瓷樣品同時(shí)保持立方相結(jié)構(gòu)。??３．２．２微觀形貌分析??圖３－２顯示了在１４９０?°Ｃ氮?dú)庵袩Y(jié)３?ｈ的ＳＴＴＯ陶瓷樣品的ＳＥＭ圖。隨著Ｔａ離子??摻雜量的增加，晶粒尺寸逐漸增大，這可能受到施主摻雜或氮?dú)鈿夥盏挠绊�。從圖３－２??（ｆ）中可以發(fā)現(xiàn)，通過(guò)阿基米德排水法的試驗(yàn)，所有ＳＴＴＯ陶瓷樣品都表現(xiàn)出良好的相??對(duì)密度（＞?９０％），表明ＳＴＴＯ陶瓷樣品具有合適的燒結(jié)工藝。??ｉｌＭｉｉ??ｍｍ??｜?三６０?－?－８０?？??ｈ?．?－Ｓｉ?Ｂ?ｆ４ｉ???Ｍ?■?ｙ＂??０．０００?ＩＭＫＪ２?０．０ＩＫ．?（ＭＭＯ?（ＭＭ４??圖３－２?（ａ－ｅ）在氮?dú)鈿夥障聼Y(jié)的ＳＴＴＯ陶瓷樣品表面的ＳＥＭ圖；??（ｆ）平均晶粒尺寸和相對(duì)密度隨ｊｃ變化圖??Ｆｉｇ．?３－２?（ａ－ｅ）?ＳＥＭ?ｍｉｃｒｏｇｒａｐｈｓ?ｏｆ?ｓｕｒｆａｃｅ?ｆｏｒ?ＳＴＴＯ?ｃｅｒａｍｉｃ?ｓａｍｐｌｅｓ?ｓｉｎｔｅｒｅｄ?ｉｎ?ｎｉｔｒｏｇｅｎ?ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ；??（ｆ）?Ａｖｅｒａｇｅ?ｇｒａｉｎ?ｓｉｚｅｓ?ａｎｄ?ｒｅｌａｔｉｖｅ?ｄｅｎｓｉｔｙ?ａｓ?ａ?ｆｕｎｃｔｉｏｎ?ｏｆ?ｘ??３．２．３介電性能分析??圖３－３?（ａ）和（ｂ）分別描述了在氮?dú)鈿夥罩袩Y(jié)的ＳＴＴＯ陶瓷樣品的介頻圖譜和??１４??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Luminescent characterization of rare earth Dy3+ ion doped TiO2 prepared by simple chemical co-precipitation method[J]. Mohamed Zikriya,Y.F.Nadaf,P.Vijai Bharathy,C.G.Renuka.  Journal of Rare Earths. 2019(01)

博士論文
[1]CaCu3Ti4O12介電陶瓷的摻雜及其介電性能研究[D]. 李旺.南昌大學(xué) 2013

碩士論文
[1]Nb5+/Ta5+離子摻雜對(duì)BaTiO3陶瓷結(jié)構(gòu)與介電性能的影響[D]. 趙曉邦.西華大學(xué) 2015
[2]Sm摻雜SrTiO3介質(zhì)陶瓷的介電性能研究[D]. 徐筱璐.武漢理工大學(xué) 2014



本文編號(hào)：3455602