類石墨相氮化碳上非鉑析氫中心的構(gòu)建及其光催化產(chǎn)氫性能的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-10-17 03:06
用清潔的能源代替不可再生的化石能源是當(dāng)今社會(huì)人們解決環(huán)境污染和能源危機(jī)問(wèn)題的有效措施。與其它的太陽(yáng)能燃料相比,氫能具有易于儲(chǔ)存、環(huán)境友好、含能量高等優(yōu)點(diǎn)。科研工作者主要致力于尋找高效、穩(wěn)定、價(jià)格低廉的光催化劑,以期實(shí)現(xiàn)光催化制氫的工業(yè)化應(yīng)用。類石墨相氮化碳(g-C3N4)是一種二維非金屬半導(dǎo)體材料,具有合適的禁帶寬度、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和制備簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。但是,g-C3N4的光催化活性仍然較低?蒲泄ぷ髡叱2捎媒饘倩蚍墙饘僭?fù)诫s、與其它半導(dǎo)體材料構(gòu)建異質(zhì)結(jié)、調(diào)控微觀納米結(jié)構(gòu)等手段對(duì)g-C3N4進(jìn)行改性,提高g-C3N4對(duì)可見(jiàn)光的利用率、光生電子和光生空穴的分離效率以及擴(kuò)大比表面積,以提高g-C3N4的光催化產(chǎn)氫活性。然而,以上改性手段通常需要加入貴金屬如鉑作助催化劑,降低析氫反應(yīng)的過(guò)電勢(shì),促進(jìn)氫氣的逸出。因此,為了降低g-C3N4
【文章來(lái)源】:華南理工大學(xué)廣東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:192 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
水和氫能相互轉(zhuǎn)換過(guò)程
圖 1-2 不同位置的太陽(yáng)光譜圖Fig. 1-2 The solar radiation spectrum at different locati中,半導(dǎo)體材料在大于其禁帶寬度的能量激發(fā)下會(huì)帶上的光生電子在太陽(yáng)光的作用下躍遷至半導(dǎo)體材上形成光生空穴。如圖 1-3 所示[2],在光催化過(guò)程反應(yīng)歷程:
圖 1-2 不同位置的太陽(yáng)光譜圖Fig. 1-2 The solar radiation spectrum at different location反應(yīng)中,半導(dǎo)體材料在大于其禁帶寬度的能量激發(fā)下會(huì)形價(jià)帶上的光生電子在太陽(yáng)光的作用下躍遷至半導(dǎo)體材料帶上形成光生空穴。如圖 1-3 所示[2],在光催化過(guò)程中,四種反應(yīng)歷程:
本文編號(hào):3440991
【文章來(lái)源】:華南理工大學(xué)廣東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
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【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
水和氫能相互轉(zhuǎn)換過(guò)程
圖 1-2 不同位置的太陽(yáng)光譜圖Fig. 1-2 The solar radiation spectrum at different locati中,半導(dǎo)體材料在大于其禁帶寬度的能量激發(fā)下會(huì)帶上的光生電子在太陽(yáng)光的作用下躍遷至半導(dǎo)體材上形成光生空穴。如圖 1-3 所示[2],在光催化過(guò)程反應(yīng)歷程:
圖 1-2 不同位置的太陽(yáng)光譜圖Fig. 1-2 The solar radiation spectrum at different location反應(yīng)中,半導(dǎo)體材料在大于其禁帶寬度的能量激發(fā)下會(huì)形價(jià)帶上的光生電子在太陽(yáng)光的作用下躍遷至半導(dǎo)體材料帶上形成光生空穴。如圖 1-3 所示[2],在光催化過(guò)程中,四種反應(yīng)歷程:
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