石墨烯電磁特性動態(tài)調(diào)控理論與實驗研究
發(fā)布時間:2021-10-14 11:11
動態(tài)電磁調(diào)控器件具有高集成度、高效率、體積小和功能多等優(yōu)點,因此成為微波工程領(lǐng)域的研究熱點。目前,通常利用二極管、微機電系統(tǒng)、超材料或場效應(yīng)晶體管與微波器件結(jié)合以獲得對介電常數(shù)、工作頻率、帶寬等參數(shù)的調(diào)制,而上述這些方法通常涉及到電壓高、電子元器件過多、調(diào)制能力有限等問題。為了進(jìn)一步提升微波器件性能,需要不斷探索新材料、新結(jié)構(gòu)和新原理在動態(tài)調(diào)控器件領(lǐng)域的應(yīng)用。針對上述問題,提出利用石墨烯材料電學(xué)性能可調(diào)的性質(zhì),通過與離子液體結(jié)合的方法實現(xiàn)對其方塊電阻的動態(tài)調(diào)控,設(shè)計和制備了頻率選擇表面、天線和Salisbury屏等動態(tài)調(diào)控器件,并揭示了材料與結(jié)構(gòu)特性對動態(tài)調(diào)控能力影響規(guī)律。本文主要研究成果如下:(1)提出了可以進(jìn)行電調(diào)制的石墨烯/離子液體/石墨烯電容結(jié)構(gòu),通過外加偏置電壓改變石墨烯方塊電阻,實現(xiàn)對電磁波行為的動態(tài)調(diào)控。首先,對石墨烯電容結(jié)構(gòu)電磁性能及其影響因素進(jìn)行分析,確定了基底材料、離子液體種類以及接觸電極制備方法。進(jìn)一步,通過建立石墨烯電容結(jié)構(gòu)等效電路,建立動態(tài)調(diào)控理論體系。這為后續(xù)動態(tài)調(diào)控器件奠定了實驗與理論基礎(chǔ)。(2)在傳統(tǒng)頻率選擇表面基礎(chǔ)上,引入石墨烯電容結(jié)構(gòu),制備了兩款動態(tài)...
【文章來源】:中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院)重慶市
【文章頁數(shù)】:137 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.3四種Salisbury屏動態(tài)調(diào)控吸波結(jié)構(gòu)151,5?6丨(a)、(b)加載元器件方法;(c)加??載金屬單元;⑷機械拉伸施??Figure?1.3?Four?kind?of?tunable?Salisbury?screens151,54-561?(a),?(b)?loading?components,?(c)??
圖1.4?(a)石墨烯結(jié)構(gòu)示意圖;(b)三維能帶結(jié)構(gòu);(c)能帶結(jié)構(gòu)和費米能級;(d)帶間躍遷和??帶內(nèi)躍遷|,2,671??Figure?1.4?(a)?Graphene?structure,?(b)?Three-dimensional?energy?band?structure,?(c)?The??
?石墨烯電磁特性動態(tài)調(diào)控理論與實驗研宄???幾乎是無損的,傳輸功率顯著增加。Liu等制備了一種基于單層石墨烯的電??控電磁調(diào)制器,如圖1.6(b)所示。通過電調(diào)控石墨烯費米能級,實現(xiàn)了對1.35?(im??到1.6?pm光譜透射率調(diào)制,該有源器件面積僅為25?pm2。Lee等P5%ij備一款光??電調(diào)制器,將單層石墨烯集成在亞波長厚度的反射調(diào)制器結(jié)構(gòu)中,其結(jié)構(gòu)如圖??1.6(c)所示。該器件輸入電壓范圍為0?5?V,在波長1.55?pm處調(diào)制幅度為15?%,??其面積為7850?nm2。Lu等『126]提出了一種基于石墨烯的金屬/介質(zhì)/金屬波導(dǎo),??用于控制表面等離子體傳播,其結(jié)構(gòu)如圖1.6(d)所示。理論和仿真結(jié)果表明等離??子體在波導(dǎo)中衰減與施加在石墨烯上電壓有很強的依賴關(guān)系,且在石墨烯介電常??數(shù)ENZ?(Epsilon?Near?Zero)點處衰減最大。通過在金屬波導(dǎo)兩端刻蝕電極以減小??接觸電阻,等離子體消光比可達(dá)15.8?dB,這種效應(yīng)是沒有刻蝕電極情況下的2.3??倍。??(a)?(b)??Laser?beam?在??top?electrode??I??CVD?graphene???/??(C)?(d)??圖1.?6紅外波段基于石墨烯的動態(tài)調(diào)控器件(a)光學(xué)環(huán)形調(diào)制器;(b)光學(xué)調(diào)制器;(c)光??電調(diào)制器;(d)金屬納米波導(dǎo)_,124^??Figure?1.6?Tunable?devices?based?on?graphene?in?infrared?band?(a)?optical?ring?modulator,??(b)?optical?modulator,?(c)?electro
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Electronic, optical property and carrier mobility of graphene, black phosphorus, and molybdenum disulfide based on the first principles[J]. 王聰聰,劉學(xué)勝,王智勇,趙明,何歡,鄒吉躍. Chinese Physics B. 2018(11)
[2]基于人工表面等離激元的雙通帶頻率選擇結(jié)構(gòu)設(shè)計[J]. 王超,李勇峰,沈楊,豐茂昌,王甲富,馬華,張介秋,屈紹波. 物理學(xué)報. 2018(20)
[3]雷達(dá)吸波材料在Salisbury屏優(yōu)化設(shè)計中的應(yīng)用[J]. 彭澤雨,李穎,張海豐,魏桂丹,王東方,龐芳. 黑龍江工程學(xué)院學(xué)報. 2018(02)
[4]鈷納米粒子改性石墨烯復(fù)合材料的電磁性能[J]. 張海琴,徐雙雙,陳元,肇研. 稀有金屬材料與工程. 2017(12)
[5]Graphene-supported manipulation of surface plasmon polaritons in metallic nanowaveguides[J]. HUA LU,XUETAO GAN,DONG MAO,JIANLIN ZHAO. Photonics Research. 2017(03)
[6]一種基于石墨烯的超寬帶吸波器[J]. 姜彥南,王揚,葛德彪,李思敏,曹衛(wèi)平,高喜,于新華. 物理學(xué)報. 2016(05)
[7]含單排線缺陷鋸齒型石墨烯納米帶的電磁性質(zhì)[J]. 張華林,孫琳,王鼎. 物理學(xué)報. 2016(01)
[8]有源可調(diào)微波吸收體分析與優(yōu)化[J]. 戚開南,汪勇峰,侯新宇,陳軍文. 北京航空航天大學(xué)學(xué)報. 2015(10)
[9]基于分形超材料吸波體的微帶天線設(shè)計[J]. 商楷,曹祥玉,楊歡歡,劉濤,袁子?xùn)|,趙一. 電訊技術(shù). 2013(07)
[10]基于磁諧振器加載的寬頻帶超材料吸波體的設(shè)計[J]. 顧超,屈紹波,裴志斌,徐卓,柏鵬,彭衛(wèi)東,林寶勤. 物理學(xué)報. 2011(08)
碩士論文
[1]基于石墨烯器件和大帶寬頻率選擇表面的研究[D]. 許瑩瑩.浙江大學(xué) 2014
本文編號:3436044
【文章來源】:中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院)重慶市
【文章頁數(shù)】:137 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.3四種Salisbury屏動態(tài)調(diào)控吸波結(jié)構(gòu)151,5?6丨(a)、(b)加載元器件方法;(c)加??載金屬單元;⑷機械拉伸施??Figure?1.3?Four?kind?of?tunable?Salisbury?screens151,54-561?(a),?(b)?loading?components,?(c)??
圖1.4?(a)石墨烯結(jié)構(gòu)示意圖;(b)三維能帶結(jié)構(gòu);(c)能帶結(jié)構(gòu)和費米能級;(d)帶間躍遷和??帶內(nèi)躍遷|,2,671??Figure?1.4?(a)?Graphene?structure,?(b)?Three-dimensional?energy?band?structure,?(c)?The??
?石墨烯電磁特性動態(tài)調(diào)控理論與實驗研宄???幾乎是無損的,傳輸功率顯著增加。Liu等制備了一種基于單層石墨烯的電??控電磁調(diào)制器,如圖1.6(b)所示。通過電調(diào)控石墨烯費米能級,實現(xiàn)了對1.35?(im??到1.6?pm光譜透射率調(diào)制,該有源器件面積僅為25?pm2。Lee等P5%ij備一款光??電調(diào)制器,將單層石墨烯集成在亞波長厚度的反射調(diào)制器結(jié)構(gòu)中,其結(jié)構(gòu)如圖??1.6(c)所示。該器件輸入電壓范圍為0?5?V,在波長1.55?pm處調(diào)制幅度為15?%,??其面積為7850?nm2。Lu等『126]提出了一種基于石墨烯的金屬/介質(zhì)/金屬波導(dǎo),??用于控制表面等離子體傳播,其結(jié)構(gòu)如圖1.6(d)所示。理論和仿真結(jié)果表明等離??子體在波導(dǎo)中衰減與施加在石墨烯上電壓有很強的依賴關(guān)系,且在石墨烯介電常??數(shù)ENZ?(Epsilon?Near?Zero)點處衰減最大。通過在金屬波導(dǎo)兩端刻蝕電極以減小??接觸電阻,等離子體消光比可達(dá)15.8?dB,這種效應(yīng)是沒有刻蝕電極情況下的2.3??倍。??(a)?(b)??Laser?beam?在??top?electrode??I??CVD?graphene???/??(C)?(d)??圖1.?6紅外波段基于石墨烯的動態(tài)調(diào)控器件(a)光學(xué)環(huán)形調(diào)制器;(b)光學(xué)調(diào)制器;(c)光??電調(diào)制器;(d)金屬納米波導(dǎo)_,124^??Figure?1.6?Tunable?devices?based?on?graphene?in?infrared?band?(a)?optical?ring?modulator,??(b)?optical?modulator,?(c)?electro
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Electronic, optical property and carrier mobility of graphene, black phosphorus, and molybdenum disulfide based on the first principles[J]. 王聰聰,劉學(xué)勝,王智勇,趙明,何歡,鄒吉躍. Chinese Physics B. 2018(11)
[2]基于人工表面等離激元的雙通帶頻率選擇結(jié)構(gòu)設(shè)計[J]. 王超,李勇峰,沈楊,豐茂昌,王甲富,馬華,張介秋,屈紹波. 物理學(xué)報. 2018(20)
[3]雷達(dá)吸波材料在Salisbury屏優(yōu)化設(shè)計中的應(yīng)用[J]. 彭澤雨,李穎,張海豐,魏桂丹,王東方,龐芳. 黑龍江工程學(xué)院學(xué)報. 2018(02)
[4]鈷納米粒子改性石墨烯復(fù)合材料的電磁性能[J]. 張海琴,徐雙雙,陳元,肇研. 稀有金屬材料與工程. 2017(12)
[5]Graphene-supported manipulation of surface plasmon polaritons in metallic nanowaveguides[J]. HUA LU,XUETAO GAN,DONG MAO,JIANLIN ZHAO. Photonics Research. 2017(03)
[6]一種基于石墨烯的超寬帶吸波器[J]. 姜彥南,王揚,葛德彪,李思敏,曹衛(wèi)平,高喜,于新華. 物理學(xué)報. 2016(05)
[7]含單排線缺陷鋸齒型石墨烯納米帶的電磁性質(zhì)[J]. 張華林,孫琳,王鼎. 物理學(xué)報. 2016(01)
[8]有源可調(diào)微波吸收體分析與優(yōu)化[J]. 戚開南,汪勇峰,侯新宇,陳軍文. 北京航空航天大學(xué)學(xué)報. 2015(10)
[9]基于分形超材料吸波體的微帶天線設(shè)計[J]. 商楷,曹祥玉,楊歡歡,劉濤,袁子?xùn)|,趙一. 電訊技術(shù). 2013(07)
[10]基于磁諧振器加載的寬頻帶超材料吸波體的設(shè)計[J]. 顧超,屈紹波,裴志斌,徐卓,柏鵬,彭衛(wèi)東,林寶勤. 物理學(xué)報. 2011(08)
碩士論文
[1]基于石墨烯器件和大帶寬頻率選擇表面的研究[D]. 許瑩瑩.浙江大學(xué) 2014
本文編號:3436044
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