相變磁性材料作為一種同時具備相變特性和稀磁半導(dǎo)體特性的新型功能材料,始終受到研究者們的廣泛關(guān)注。磁性離子摻雜的GeTe基材料就屬于相變磁性材料的一種,總結(jié)前人對它的研究成果我們發(fā)現(xiàn),無論是用何種磁性離子對GeTe進行摻雜,所得的材料均為空穴導(dǎo)電而不是電子導(dǎo)電。為了擴展GeTe基相變磁性材料的功能特性,制備出N型GeTe基的相變磁性材料顯得尤為重要。在本研究工作中,我們利用Bi元素部分替代Ge元素的方法成功制備出N型Ge_0.96-xBi_xFe_0.04Te薄膜,并對薄膜的電輸運特性以及磁性機理進行了系統(tǒng)地研究。我們通過脈沖激光沉積的方法在單晶BaF₂襯底上外延生長了Ge_0.8Bi_0.2Te、Ge_0.76Bi_0.2Fe_0.04Te、Ge_0.64.64 Bi_0.32Fe_0.04Te三種組分的薄膜。原子力顯微鏡測試結(jié)果顯示薄膜表面平整,... 

【文章來源】：南京航空航天大學(xué)江蘇省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
注釋表
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 相變存儲材料
        1.2.1 相變存儲技術(shù)
        1.2.2 相變存儲材料研究概況
    1.3 稀磁半導(dǎo)體材料
        1.3.1 稀磁半導(dǎo)體的基本概念及分類
        1.3.2 稀磁半導(dǎo)體研究概況
        1.3.3 稀磁半導(dǎo)體鐵磁機制簡介
    1.4 相變磁性材料
        1.4.1 相變磁性材料簡介
        1.4.2 相變磁性材料研究仍存在的問題
第二章 相變磁性材料Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te的制備技術(shù)與表征方法
    2.1 引言
    2.2 脈沖激光沉積(PLD)制備Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜
        2.2.1 脈沖激光沉積(PLD)概述
        2.2.2 PLD的基本原理
        2.2.3 影響PLD沉積的實驗參數(shù)
        2.2.4 PLD制膜的優(yōu)點與不足
    2.3 Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的表征方法
        2.3.1 X射線衍射儀(X-ray diffraction,XRD)
        2.3.2 原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope,AFM)
        2.3.3 X射線光電子能譜(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)
        2.3.4 綜合物性測試系統(tǒng)(Physical Property Measurement System,PPMS)
        2.3.5 超導(dǎo)量子干涉儀(Superconducting Quantum Interference Devices,SQUID)
第三章 相變磁性材料Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te的制備及結(jié)構(gòu)研究
    3.1 引言
    3.2 外延Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的制備及結(jié)構(gòu)研究
        3.2.1 薄膜的PLD制備參數(shù)
        3.2.2 薄膜的XRD結(jié)果討論
    3.3 外延Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的表面形貌及厚度研究
    3.4 外延Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的電子結(jié)構(gòu)研究
    3.5 小結(jié)
第四章 相變磁性材料Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te的電輸運及磁性研究
    4.1 引言
    4.2 Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的Hall效應(yīng)測試
    4.3 Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的變溫電阻及磁阻效應(yīng)研究
        4.3.1 薄膜的變溫電阻研究
        4.3.2 薄膜的磁阻效應(yīng)研究
    4.4 Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的磁性行為研究
        4.4.1 薄膜磁性測試結(jié)果分析
        4.4.2 薄膜磁性機制的第一性原理計算研究
    4.5 小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 研究內(nèi)容總結(jié)
    5.2 對進一步研究的展望
參考文獻
致謝
在學(xué)期間的研究成果及發(fā)表的學(xué)術(shù)論文


【參考文獻】：
期刊論文
[1]脈沖激光沉積薄膜技術(shù)研究新進展[J]. 敖育紅,胡少六,龍華,徐業(yè)斌,王又青.  激光技術(shù). 2003(05)
[2]利用XPS及電化學(xué)方法研究電鍍Cr添加劑的作用機理[J]. 關(guān)山,張琦,胡如南.  金屬學(xué)報. 2000(11)
[3]超導(dǎo)量子磁強計[J]. 辛慶章.  低溫與超導(dǎo). 1974(01)



本文編號：3431207