氮化硅（Si₃N₄）陶瓷因具有優(yōu)異的力學性能,良好的熱導率和耐熱沖擊性,逐漸成為寬禁帶大功率半導體器件首選的基板材料。由于高純Si₃N₄粉體成本較高,為降低成本,硅（Si）粉流延制備Si₃N₄陶瓷基板的方法成為近年研究的熱點。然而,Si粉在氮化過程中出現(xiàn)的“熔硅”現(xiàn)象將導致大尺寸薄片基板的變形與開裂,從而降低Si₃N₄基板的性能與良品率。因此,結(jié)合Si粉與Si₃N₄粉（作為氮化稀釋劑）,利用Si粉原位氮化,有望成為從成本和性能上改善現(xiàn)有Si₃N₄基板制備方法的有效途徑�；诖�,本文研究原料粉中Si:Si₃N₄的配比及燒結(jié)助劑的含量對Si₃N₄陶瓷及基板的致密度、顯微結(jié)構(gòu)和力學性能的影響規(guī)律,以獲得高性能Si₃N

【文章來源】：廣東工業(yè)大學廣東省

【文章頁數(shù)】：78 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

a)、b)Si3N4基本結(jié)構(gòu)單元[1]

α-Si3N4和β-Si3N4晶體結(jié)構(gòu)

反應(yīng)燒結(jié)機理和顯微結(jié)構(gòu)的變化


本文編號：3396943