石墨烯的結(jié)構(gòu)和形貌特征表征是揭示其結(jié)構(gòu)和性能關(guān)系的關(guān)鍵。SEM因其具有納米級(jí)分辨率、觀測(cè)范圍大、成像速度快等優(yōu)點(diǎn),在石墨烯表面污染物、褶皺和缺陷觀測(cè),生長(zhǎng)機(jī)理研究和層數(shù)鑒定等方面獨(dú)具優(yōu)勢(shì)。但是,對(duì)于原子級(jí)厚度石墨烯的SEM成像,目前存在常規(guī)成像參數(shù)下石墨烯的圖像襯度弱、石墨烯的襯度形成機(jī)制不清晰以及成像參數(shù)對(duì)石墨烯襯度的影響機(jī)制不統(tǒng)一等問題,導(dǎo)致難以實(shí)現(xiàn)石墨烯的高襯度SEM成像。本論文采用SEM對(duì)單晶襯底支撐石墨烯、惰性多晶襯底支撐石墨烯和非惰性多晶襯底支撐石墨烯進(jìn)行表征,通過調(diào)節(jié)成像參數(shù)和調(diào)控襯底表面氧化程度,系統(tǒng)深入地研究了襯底支撐石墨烯的襯度形成機(jī)制,揭示了成像參數(shù)對(duì)石墨烯圖像襯度的影響機(jī)制,為襯底支撐石墨烯的高襯度成像、襯底和石墨烯的正確區(qū)分以及石墨烯層數(shù)的準(zhǔn)確鑒定提供了重要的理論指導(dǎo)。采用SEM系統(tǒng)表征了多種單晶襯底支撐石墨烯體系,包括高溫?zé)峤夥ㄖ苽銼iC基石墨烯（G/SiC）、轉(zhuǎn)移SiO₂/Si基石墨烯（SLG/SiO₂/Si）和轉(zhuǎn)移Al基石墨烯（SLG/Al）。通過優(yōu)化成像參數(shù)加速電壓(V_acc)和工作距離... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：134 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【圖文】：

石墨烯、富勒烯、碳納米管及石墨結(jié)構(gòu)示意圖

形貌圖 中心：0.8 nm；左下角：1.2 nm；左ge of single-layer graphene supported on SiO2. Ceight; yellow-brown (bottom left), 1.2 nm; orang（TEM）是目前應(yīng)用最廣泛的電子顯微

圖 1-5 SEM 結(jié)構(gòu)示意圖Schematic of electronic-optical system, sample chamber and detectors in 的主要成像信號(hào)的工作原理為，電子從陰極電子槍出射后，首先經(jīng)加速電場(chǎng)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3373029