發(fā)布時(shí)間：2021-08-29 14:51

　　微波加熱技術(shù)憑借其節(jié)能高效、清潔環(huán)保的先進(jìn)加熱技術(shù)優(yōu)勢,成為近年來備受材料制備領(lǐng)域關(guān)注的一種新型和環(huán)境友好型的加熱方式,引起國內(nèi)外學(xué)者的充分重視。通過微波加熱技術(shù)制備SiC晶體已成為國內(nèi)外目前的研究熱點(diǎn)之一,但是現(xiàn)有技術(shù)制備SiC晶體的方法仍存在著制備工藝復(fù)雜、制備時(shí)間長、加熱溫度高、能耗大、污染高的缺點(diǎn)。本論文以正硅酸乙酯為硅源,活性炭作為反應(yīng)的碳源,硼酸作為調(diào)節(jié)劑和誘導(dǎo)劑制備前驅(qū)體,采用XRD、SEM、TG-DSC對樣品進(jìn)行檢測,研究了硼酸液相引入對微波加熱工藝制備SiC晶體的影響規(guī)律;結(jié)合不同碳源與硅源的摩爾配比,研究了液相誘導(dǎo)微波加熱過程中的熱效應(yīng)變化機(jī)理,揭示液相誘導(dǎo)在微波加熱技術(shù)制備SiC晶體的生長動力學(xué)過程。研究結(jié)果發(fā)現(xiàn):微波入射功率梯度會影響SiC晶體的形貌。當(dāng)微波入射功率梯度為10 m A/min和30 m A/min時(shí),得到團(tuán)聚狀態(tài)的棒狀SiC晶體;當(dāng)微波入射功率梯度為20 m A/min時(shí),獲得分散性良好的棒狀SiC晶體;微波入射功率梯度可能會影響體系內(nèi)物料的受熱情況,從而使生成SiC晶體的分散情況不同。微波加熱溫度同樣影響SiC晶體的形貌:當(dāng)微波加熱溫度為110... 

【文章來源】：鄭州航空工業(yè)管理學(xué)院河南省

【文章頁數(shù)】：57 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

碳化硅晶體中原子排列連接示意圖

1 緒論表 1.1 微波與材料之間的相互作用Table 1.1 Different response of material to microwave作用方式 材料類型 透過深度透明型 全部反射型 不通過微波吸收型 部分或全部僅使材料的溫度升高而不改變材料物化性質(zhì)的作用主要表現(xiàn)為：主要是利用微波的高頻電場不斷對材料內(nèi)部存在的極性分子進(jìn)行重復(fù)進(jìn)行極性轉(zhuǎn)動，使分子極化，進(jìn)而產(chǎn)生熱效應(yīng)，使材料進(jìn)行加波加熱的示意圖在下圖 1.2 中展示出。

圖 2.1 活性炭的 XRD 圖Figure 2.1 XRD pattern of activated carbon 2.2 顯示了實(shí)驗(yàn)采用活性炭的 SEM 圖片，從圖片中可以看到，原銳，棱角分明，顆粒大小不一，且分布較為集聚。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]SiC單晶生長技術(shù)及器件研究進(jìn)展[J]. 任學(xué)民.  半導(dǎo)體情報(bào). 1998(04)



本文編號：3370855