發(fā)布時間：2021-08-24 19:48

　　ZnSnN₂是一種新型直接帶隙的三元化合物半導(dǎo)體材料。它的成本低廉,儲量豐富;禁帶寬度在1.4².0eV之間,且無毒性,長期穩(wěn)定。這些特性和優(yōu)勢使得ZnSnN₂在光催化、光伏、光發(fā)射等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。然而,ZnSnN₂目前存在著遷移率低,載流子濃度過高的特點(diǎn),導(dǎo)致它難以得到實際應(yīng)用。如何提高ZnSnN₂的遷移率,降低載流子濃度,就成為了人們研究的重點(diǎn)。本論文的主要內(nèi)容是制備ZnSnN₂薄膜并調(diào)節(jié)遷移率,研究其內(nèi)部的散射機(jī)制和導(dǎo)電機(jī)制對于載流子濃度和遷移率的影響。本文通過反應(yīng)磁控濺射方法制備ZnSnN₂薄膜,通過不同的磁控濺射工藝來進(jìn)行制備。研究了濺射氣壓、基底溫度、氮?dú)灞壤龑nSnN₂薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、電子濃度和遷移率的影響。通過濺射氣壓的改變調(diào)節(jié)了ZnSnN₂薄膜的遷移率和載流子濃度,并分析了不同濺射氣壓下樣品的載流子濃度隨溫度的變化趨勢、遷移率隨溫度的變化趨勢。具體工作分以下幾個... 

【文章來源】：深圳大學(xué)廣東省

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

太陽光輻射強(qiáng)度與光的波長關(guān)系

太陽電池輸出伏安特性曲線

(a)直接躍遷；(b)間接躍遷

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]反應(yīng)磁控濺射技術(shù)的發(fā)展情況及趨勢[J]. 王治安,劉曉波,劉維,王軍生,韓大凱,戴彬,童洪輝.  真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報. 2013(12)

碩士論文
[1]磁控濺射制備氧化亞銅及摻雜鋅銦的光電性能研究[D]. 王歡.深圳大學(xué) 2015



本文編號：3360610