鈮酸鉀鈉基壓電單晶制備及陶瓷摻雜改性研究
發(fā)布時間:2021-08-10 19:43
為提升鈮酸鉀鈉基壓電陶瓷的各項性能,本論文在制備KNN壓電單晶和陶瓷的摻雜改性這兩方面對其進行改良的探究。利用無籽單晶固相法即摻入微量的Bi5+和Li+適當延長燒結(jié)時間即可生長出單晶,本實驗制備了(1-x)K0.45Na0.55Bi0.004Nb0.996O3-xLiTaO3體系的單晶。制備出尺寸達4mm*3mm*1.5mm,發(fā)現(xiàn)摻入的Bi5+、Li+和Ta5+都可以完全摻入形成穩(wěn)定的鈣鈦礦結(jié)構(gòu),在室溫內(nèi)處于正交相,各單晶微觀表面呈典型單晶形貌,其中x=0.04時PPT區(qū)間最接近室溫,此時的各項電學性能最好分別為d33=178pC/N、To-t=62℃、Tc=411℃、Pr=20.7μC/cm2及Ec=9.3kV/cm。同時也探究了LT含量為0.04時燒結(jié)時間對其的影響,發(fā)現(xiàn)在燒結(jié)時間為12h附近時的燒結(jié)...
【文章來源】:南昌大學江西省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:54 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
KNbO3-NaNbO3固溶體系相圖
Saito所報道的KNN與PZT性能對比
第 1 章 引言取了尺寸約為 1mm 的 KNN 單晶,并且對其電學性能進行了溫到低溫時相變的經(jīng)歷。到了 1976 年,Ahtee[56]等人利用 FM(備了 KNN 壓電陶瓷的各個成分的單晶,并對其晶體結(jié)構(gòu)進行其生長的相變進行討論并且修正了相圖。過了很長一段時間i[57]等人利用 KF-NaF 作為助熔劑及助熔劑法(FM)制作含 (在之前的研究中發(fā)現(xiàn)適量的 Mn 可以改善單晶的漏電這個單晶尺寸達到了毫米級,并且 d33=161Pc/N。之后一系列科研Mn、B 等離子摻入了 KNN 中生長出來了單晶尺寸近厘m*4mm 壓電常數(shù) d33=220pC/N 居里溫度 Tc=355℃,后續(xù)還有許多研究人員集中于頂部籽晶法(TSSG)方面的研究,因為寸大且良品率高的單晶。首次報道是 1993 年 Amnin 等人利用加入了助熔劑生長出了單晶,下圖 1.3 為頂部籽晶助熔劑法的 Zhou[62]等人就是利用這個裝置成功的生長出圖 1.4 所示的巨
【參考文獻】:
期刊論文
[1]無籽固相法生長的K0.5Na0.5NbO3基壓電單晶預合成工藝、結(jié)構(gòu)與性能[J]. 宋嘉庚,江民紅,李林,嚴亞飛,郝崇琰,張津瑋. 硅酸鹽學報. 2017(09)
[2]鈮酸鉀鈉基透明上轉(zhuǎn)換陶瓷材料制備及性能[J]. 耿志明,李坤,施東良,施瑕玉,黃海濤,陳王麗華. 無機材料學報. 2014(12)
[3]稀土氧化物摻雜ZnO-Bi2O3系壓敏陶瓷的介電特性[J]. 成鵬飛,李盛濤. 電瓷避雷器. 2010(03)
[4]無鉛壓電陶瓷研究進展[J]. 賃敦敏,鄭蕎佶,伍曉春,徐成剛,畢劍,高道江. 四川師范大學學報(自然科學版). 2010(01)
[5]鈮酸鉀鈉基無鉛壓電陶瓷的X射線衍射與相變分析[J]. 明保全,王矜奉,臧國忠,王春明,蓋志剛,杜鵑,鄭立梅. 物理學報. 2008(09)
[6]Ag+摻雜Na0.5K0.5NbO3無鉛壓電陶瓷的無壓燒結(jié)及性能研究[J]. 張利民,張波萍,李敬鋒,丁曉年,張海龍. 稀有金屬材料與工程. 2007(S1)
[7]BNT-BT和BNT-BKT基無鉛壓電陶瓷研究進展[J]. 陳志武. 材料導報. 2006(01)
博士論文
[1]鈮酸鉀鈉單晶生長及巨壓電性能研究[D]. 胡程鵬.哈爾濱工業(yè)大學 2017
[2]KNN和BT高性能無鉛壓電陶瓷的制備技術(shù)及機理研究[D]. 方建.清華大學 2012
碩士論文
[1]鈮酸鉀鈉基無鉛壓電陶瓷的制備及性能研究[D]. 趙延.聊城大學 2018
[2]鈮酸鉀鈉基無鉛鐵電單晶的生長及性能研究[D]. 周慧方.上海應(yīng)用技術(shù)大學 2017
[3]稀土摻雜鈮酸鈉鉀基無鉛壓電陶瓷的結(jié)構(gòu)和性能[D]. 王鵬飛.哈爾濱工業(yè)大學 2010
本文編號:3334667
【文章來源】:南昌大學江西省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:54 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
KNbO3-NaNbO3固溶體系相圖
Saito所報道的KNN與PZT性能對比
第 1 章 引言取了尺寸約為 1mm 的 KNN 單晶,并且對其電學性能進行了溫到低溫時相變的經(jīng)歷。到了 1976 年,Ahtee[56]等人利用 FM(備了 KNN 壓電陶瓷的各個成分的單晶,并對其晶體結(jié)構(gòu)進行其生長的相變進行討論并且修正了相圖。過了很長一段時間i[57]等人利用 KF-NaF 作為助熔劑及助熔劑法(FM)制作含 (在之前的研究中發(fā)現(xiàn)適量的 Mn 可以改善單晶的漏電這個單晶尺寸達到了毫米級,并且 d33=161Pc/N。之后一系列科研Mn、B 等離子摻入了 KNN 中生長出來了單晶尺寸近厘m*4mm 壓電常數(shù) d33=220pC/N 居里溫度 Tc=355℃,后續(xù)還有許多研究人員集中于頂部籽晶法(TSSG)方面的研究,因為寸大且良品率高的單晶。首次報道是 1993 年 Amnin 等人利用加入了助熔劑生長出了單晶,下圖 1.3 為頂部籽晶助熔劑法的 Zhou[62]等人就是利用這個裝置成功的生長出圖 1.4 所示的巨
【參考文獻】:
期刊論文
[1]無籽固相法生長的K0.5Na0.5NbO3基壓電單晶預合成工藝、結(jié)構(gòu)與性能[J]. 宋嘉庚,江民紅,李林,嚴亞飛,郝崇琰,張津瑋. 硅酸鹽學報. 2017(09)
[2]鈮酸鉀鈉基透明上轉(zhuǎn)換陶瓷材料制備及性能[J]. 耿志明,李坤,施東良,施瑕玉,黃海濤,陳王麗華. 無機材料學報. 2014(12)
[3]稀土氧化物摻雜ZnO-Bi2O3系壓敏陶瓷的介電特性[J]. 成鵬飛,李盛濤. 電瓷避雷器. 2010(03)
[4]無鉛壓電陶瓷研究進展[J]. 賃敦敏,鄭蕎佶,伍曉春,徐成剛,畢劍,高道江. 四川師范大學學報(自然科學版). 2010(01)
[5]鈮酸鉀鈉基無鉛壓電陶瓷的X射線衍射與相變分析[J]. 明保全,王矜奉,臧國忠,王春明,蓋志剛,杜鵑,鄭立梅. 物理學報. 2008(09)
[6]Ag+摻雜Na0.5K0.5NbO3無鉛壓電陶瓷的無壓燒結(jié)及性能研究[J]. 張利民,張波萍,李敬鋒,丁曉年,張海龍. 稀有金屬材料與工程. 2007(S1)
[7]BNT-BT和BNT-BKT基無鉛壓電陶瓷研究進展[J]. 陳志武. 材料導報. 2006(01)
博士論文
[1]鈮酸鉀鈉單晶生長及巨壓電性能研究[D]. 胡程鵬.哈爾濱工業(yè)大學 2017
[2]KNN和BT高性能無鉛壓電陶瓷的制備技術(shù)及機理研究[D]. 方建.清華大學 2012
碩士論文
[1]鈮酸鉀鈉基無鉛壓電陶瓷的制備及性能研究[D]. 趙延.聊城大學 2018
[2]鈮酸鉀鈉基無鉛鐵電單晶的生長及性能研究[D]. 周慧方.上海應(yīng)用技術(shù)大學 2017
[3]稀土摻雜鈮酸鈉鉀基無鉛壓電陶瓷的結(jié)構(gòu)和性能[D]. 王鵬飛.哈爾濱工業(yè)大學 2010
本文編號:3334667
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