聚碳硅烷改性制備C-SiC的結構與性能
發(fā)布時間:2021-08-09 12:24
聚合物轉化陶瓷技術是指采用有機物先驅體,通過固化、裂解、燒結等過程制備無機陶瓷的技術。聚合物轉化陶瓷具有獨特的顯微結構,包括高缺陷的游離納米碳、非晶和結晶態(tài)共存、多個納米相共存、高比例的界面相等。基于聚合物先驅體在分子水平上的可設計性、良好的工藝性,使得最終陶瓷的顯微結構可調,獲得的聚合物轉化陶瓷具有獨特的性能,包括良好的力學性能、優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、抗氧化性、電學性能等,在陶瓷纖維、薄膜、多孔陶瓷、復合材料、高溫溫度/壓力傳感器等多個領域得到應用。聚合物轉化陶瓷的性能與其微結構密切相關,為進一步改善并提高聚合物轉化陶瓷的性能并滿足實際應用需求,充分理解聚合物轉化陶瓷微結構及其性能的相互關系,并達到對聚合物轉化陶瓷微結構及性能的精確調控至關重要。因此研究聚合物轉化陶瓷微結構的可調控性及微結構對性能的影響機制具有重要的實際意義。本研究針對聚合物轉化含SiC陶瓷在核能、摩擦磨損以及納米碳相在高溫電磁屏蔽等領域的典型應用,圍繞SiC輻照后熱導率嚴重衰減、SiC磨損性能優(yōu)化調整和納米碳相分散困難、高溫氧化氣氛下屏蔽性能退化等典型問題,結合聚碳硅烷轉化含SiC陶瓷微結構的可設計性、可原位生成均勻分...
【文章來源】:西北工業(yè)大學陜西省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:139 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
聚合物轉化陶瓷制備流程圖
聚合物陶瓷先驅體的通用簡representation of the moleculcompounds[3]征元素的不同,常見的)、聚硅氧烷(PSO),聚硼00 不等,陶瓷產率為 40以分別得到 Si-C,Si-N,對應的硅基陶瓷先驅體和 N 元素,聚合物轉化其它元素的摻雜改性,望的結構及性能的陶瓷或
圖 1-2 聚合物陶瓷先驅體的通用簡易結構式lified representation of the molecule structure ocompounds[3]含特征元素的不同,常見的幾類聚合/PSZ)、聚硅氧烷(PSO),聚硼硅氮烷(0-10000 不等,陶瓷產率為 40%-90%。后可以分別得到 Si-C,Si-N,Si-C-N,陶瓷對應的硅基陶瓷先驅體的主要元、O 和 N 元素,聚合物轉化陶瓷也可體進行其它元素的摻雜改性,如 Al、F所期望的結構及性能的陶瓷或者復合材
【參考文獻】:
期刊論文
[1]先驅體轉化法制備SiCO陶瓷粉體的氧化性能[J]. 李厚補,張立同,成來飛,王一光. 復合材料學報. 2009(05)
[2]聚碳硅烷和二乙烯基苯的交聯(lián)及納米SiC陶瓷的制備[J]. 張磊,趙東林,沈曾民. 材料科學與工程學報. 2009(03)
[3]耐超高溫SiC(Al)纖維先驅體——聚鋁碳硅烷纖維的研究[J]. 鄭春滿,李效東,余煜璽,王浩,曹峰,趙大方. 高分子學報. 2006(06)
[4]先驅體轉化法制備連續(xù)SiC(OAl)纖維[J]. 余煜璽,李效東,曹峰,鄭春滿,王應德,王軍. 稀有金屬材料與工程. 2006(04)
[5]原位轉化法制備TiO2/SiC納米功能陶瓷膜的研究[J]. 周春華,尹衍升,張書香,劉威. 中國科學E輯:工程科學 材料科學. 2005(01)
[6]先驅體轉化法制備耐高溫Si-Al-C-O纖維[J]. 鄭春滿,李效東,余煜璽,曹峰. 材料工程. 2004(12)
[7]先驅體轉化法制備陶瓷涂層[J]. 胡海峰,李彥武,陳朝輝,馮春祥,張長瑞,宋永才. 材料工程. 1997(03)
博士論文
[1]聚硅氮烷轉化SiCN陶瓷結構性能及傳感器應用[D]. 馬百勝.西北工業(yè)大學 2018
[2]聚變堆用鐵基結構材料的輻照損傷[D]. 劉平平.北京科技大學 2015
碩士論文
[1]SrTiO3及3C-SiC物性的第一性原理研究[D]. 唐鑫.西安電子科技大學 2011
本文編號:3332063
【文章來源】:西北工業(yè)大學陜西省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:139 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
聚合物轉化陶瓷制備流程圖
聚合物陶瓷先驅體的通用簡representation of the moleculcompounds[3]征元素的不同,常見的)、聚硅氧烷(PSO),聚硼00 不等,陶瓷產率為 40以分別得到 Si-C,Si-N,對應的硅基陶瓷先驅體和 N 元素,聚合物轉化其它元素的摻雜改性,望的結構及性能的陶瓷或
圖 1-2 聚合物陶瓷先驅體的通用簡易結構式lified representation of the molecule structure ocompounds[3]含特征元素的不同,常見的幾類聚合/PSZ)、聚硅氧烷(PSO),聚硼硅氮烷(0-10000 不等,陶瓷產率為 40%-90%。后可以分別得到 Si-C,Si-N,Si-C-N,陶瓷對應的硅基陶瓷先驅體的主要元、O 和 N 元素,聚合物轉化陶瓷也可體進行其它元素的摻雜改性,如 Al、F所期望的結構及性能的陶瓷或者復合材
【參考文獻】:
期刊論文
[1]先驅體轉化法制備SiCO陶瓷粉體的氧化性能[J]. 李厚補,張立同,成來飛,王一光. 復合材料學報. 2009(05)
[2]聚碳硅烷和二乙烯基苯的交聯(lián)及納米SiC陶瓷的制備[J]. 張磊,趙東林,沈曾民. 材料科學與工程學報. 2009(03)
[3]耐超高溫SiC(Al)纖維先驅體——聚鋁碳硅烷纖維的研究[J]. 鄭春滿,李效東,余煜璽,王浩,曹峰,趙大方. 高分子學報. 2006(06)
[4]先驅體轉化法制備連續(xù)SiC(OAl)纖維[J]. 余煜璽,李效東,曹峰,鄭春滿,王應德,王軍. 稀有金屬材料與工程. 2006(04)
[5]原位轉化法制備TiO2/SiC納米功能陶瓷膜的研究[J]. 周春華,尹衍升,張書香,劉威. 中國科學E輯:工程科學 材料科學. 2005(01)
[6]先驅體轉化法制備耐高溫Si-Al-C-O纖維[J]. 鄭春滿,李效東,余煜璽,曹峰. 材料工程. 2004(12)
[7]先驅體轉化法制備陶瓷涂層[J]. 胡海峰,李彥武,陳朝輝,馮春祥,張長瑞,宋永才. 材料工程. 1997(03)
博士論文
[1]聚硅氮烷轉化SiCN陶瓷結構性能及傳感器應用[D]. 馬百勝.西北工業(yè)大學 2018
[2]聚變堆用鐵基結構材料的輻照損傷[D]. 劉平平.北京科技大學 2015
碩士論文
[1]SrTiO3及3C-SiC物性的第一性原理研究[D]. 唐鑫.西安電子科技大學 2011
本文編號:3332063
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