聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷技術(shù)是指采用有機(jī)物先驅(qū)體,通過(guò)固化、裂解、燒結(jié)等過(guò)程制備無(wú)機(jī)陶瓷的技術(shù)。聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷具有獨(dú)特的顯微結(jié)構(gòu),包括高缺陷的游離納米碳、非晶和結(jié)晶態(tài)共存、多個(gè)納米相共存、高比例的界面相等。基于聚合物先驅(qū)體在分子水平上的可設(shè)計(jì)性、良好的工藝性,使得最終陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)可調(diào),獲得的聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷具有獨(dú)特的性能,包括良好的力學(xué)性能、優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、抗氧化性、電學(xué)性能等,在陶瓷纖維、薄膜、多孔陶瓷、復(fù)合材料、高溫溫度/壓力傳感器等多個(gè)領(lǐng)域得到應(yīng)用。聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷的性能與其微結(jié)構(gòu)密切相關(guān),為進(jìn)一步改善并提高聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷的性能并滿足實(shí)際應(yīng)用需求,充分理解聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷微結(jié)構(gòu)及其性能的相互關(guān)系,并達(dá)到對(duì)聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷微結(jié)構(gòu)及性能的精確調(diào)控至關(guān)重要。因此研究聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷微結(jié)構(gòu)的可調(diào)控性及微結(jié)構(gòu)對(duì)性能的影響機(jī)制具有重要的實(shí)際意義。本研究針對(duì)聚合物轉(zhuǎn)化含SiC陶瓷在核能、摩擦磨損以及納米碳相在高溫電磁屏蔽等領(lǐng)域的典型應(yīng)用,圍繞SiC輻照后熱導(dǎo)率嚴(yán)重衰減、SiC磨損性能優(yōu)化調(diào)整和納米碳相分散困難、高溫氧化氣氛下屏蔽性能退化等典型問(wèn)題,結(jié)合聚碳硅烷轉(zhuǎn)化含SiC陶瓷微結(jié)構(gòu)的可設(shè)計(jì)性、可原位生成均勻分... 

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【部分圖文】：

聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷制備流程圖

聚合物陶瓷先驅(qū)體的通用簡(jiǎn)representation of the moleculcompounds[3]征元素的不同，常見(jiàn)的)、聚硅氧烷(PSO)，聚硼00 不等，陶瓷產(chǎn)率為 40以分別得到 Si-C，Si-N，對(duì)應(yīng)的硅基陶瓷先驅(qū)體和 N 元素，聚合物轉(zhuǎn)化其它元素的摻雜改性，望的結(jié)構(gòu)及性能的陶瓷或

圖 1-2 聚合物陶瓷先驅(qū)體的通用簡(jiǎn)易結(jié)構(gòu)式lified representation of the molecule structure ocompounds[3]含特征元素的不同，常見(jiàn)的幾類(lèi)聚合/PSZ)、聚硅氧烷(PSO)，聚硼硅氮烷(0-10000 不等，陶瓷產(chǎn)率為 40%-90%。后可以分別得到 Si-C，Si-N，Si-C-N，陶瓷對(duì)應(yīng)的硅基陶瓷先驅(qū)體的主要元、O 和 N 元素，聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷也可體進(jìn)行其它元素的摻雜改性，如 Al、F所期望的結(jié)構(gòu)及性能的陶瓷或者復(fù)合材

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]聚硅氮烷轉(zhuǎn)化SiCN陶瓷結(jié)構(gòu)性能及傳感器應(yīng)用[D]. 馬百勝.西北工業(yè)大學(xué) 2018
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碩士論文
[1]SrTiO3及3C-SiC物性的第一性原理研究[D]. 唐鑫.西安電子科技大學(xué) 2011



本文編號(hào)：3332063