腐蝕性電子氣體HF主要用于半導體工業(yè)中硅晶片的刻蝕和表面清洗,是微納電子制造中的關鍵氣體之一。隨著微納電子工業(yè)先進制造向高集成度、大尺寸、窄線寬、高均勻性和完整性的發(fā)展,人們對HF電子氣體的純度的要求越來越高,尤其是對水分雜質(zhì)含量提出了越來越苛刻的要求,因為雜質(zhì)水分不僅導致下游產(chǎn)品缺陷,而且誘發(fā)、加速HF氣體對所接觸材料的腐蝕,造成腐蝕產(chǎn)物和材料自身雜質(zhì)等二次污染物釋出,降低HF氣體的純度。因CaF₂具有耐HF與H₂O協(xié)同腐蝕性能,且能與水分子形成具有高結(jié)合能的結(jié)合水,在HF氣體除水中具有廣闊的應用前景,但已報道的CaF₂吸水容量較小。本學位論文系統(tǒng)地研究了具有不同晶體形貌和尺寸的CaF₂納米材料的制備方法和吸水性能,主要研究工作總結(jié)如下:1.以檸檬酸鈉為絡合劑,采用水熱法分別制備了尺寸和形貌均一的CaF₂納米顆粒和納米花,系統(tǒng)地考察了氟源和鈣源、絡合劑用量和溶液p H值對合成CaF₂材料結(jié)構(gòu)和形貌的影響,利用XRD、SEM、FT-IR和N₂

【文章來源】：浙江師范大學浙江省

【文章頁數(shù)】：61 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

HF精餾除水裝置結(jié)構(gòu)圖

圖 1.2 含氟型共聚物結(jié)構(gòu)單元[19]離法是通過多孔性固體吸附劑，利用極性、化學鍵能、體中的水分被吸附到固體表面，從而達到分離的目的以將特定雜質(zhì)降至 ppb 級別，具有脫除深度高，不易著科研工作者對吸附劑在吸附過程中的深入研究，

接近水分子的直徑（( )= 0.4 nm），對水具有高選擇性和強吸等人[25]明確指出常見除水吸附劑在腐蝕性 HF 氣體下容易失活，考的耐腐蝕性和低雜質(zhì)二次釋出特點，Bhadha 等人[26,27]發(fā)明了一種熱脫羥基高硅鋁比沸石，應用于 HCl 和 HBr 等腐蝕性氣體除水工劑的制備方法及除水機理如圖 1.3 所示，首先，高硅鋁比（Si/Al 石分子篩在 873 K 左右的高溫條件下進行預處理活化，脫除表面表面的 B 酸位轉(zhuǎn)換成易吸水的 L 酸位，形成活性的脫羥基絲光沸水量約為 1~2 ppm 的 HF 氣體，在 573 K 左右的溫度下通過吸附床水處理。HF 會與吸附劑表面 L 酸性位形成新的硅羥基（≡Si-OHAl-F），而“≡Al-F”會進一步與氣體中的微量水反應，形成鋁羥基（體。從而在短時間內(nèi)實現(xiàn)了HF的深度脫水過程，得到水含量小于 HF 氣體。

【參考文獻】：
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本文編號：3323756